半导体存储器件及其操作方法技术

本发明专利技术提供了半导体存储器件及其操作方法。所述操作方法包括：执行第一LSB编程循环，以将第一LSB数据存储在字线的第一存储单元中；执行第二LSB编程循环，以将第二LSB数据存储在所选字线的第二存储单元中，并检测具有低于呈负电位的过擦除参考电压的阈值电压的过擦除存储单元以将所述阈值电压提高至高于所述过擦除参考电压；执行第一MSB编程循环，以将第一MSB数据存储在所述第一存储单元中；以及，执行第二MSB编程循环，以将第二MSB数据存储在所述第二存储单元。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器件及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2011年6月27日提交的韩国专利申请案第10-2011-0062183号的优先权，其全部内容通过引用的方式结合在本文中。
示例性实施例涉及一种半导体存储器件及其操作方法，尤其涉及一种包括非易失性存储单元的半导体存储器件及其操作方法。
技术介绍
随着例如NAND快闪存储器件等非易失性存储器件中的存储单元尺寸的减小，当执行编程操作时，相邻存储单元之间可能更易于出现干扰现象。因此，与被编程的存储单元相邻的存储单元的阈值电压由于该干扰现象而大大偏移。此外，在目标电平中编程的存储单元的阈值电压分布由于该干扰现象而变宽，并且在不同电平中编程的存储单元的阈值电压分布之间的间隔变窄。因此，存储在存储单元中的数据可能不能被适当地读取，例如，可能读出不同的数据。在一个存储单元中存储2比特的数据的多电平单元(下文称为‘MLC’)编程方法中，此现象进一步增大。若干减小MLC编程操作中的存储单元之间的干扰现象的方法正被提出。下文描述了其中的一种方法。图1A和1B示出由于半导体存储器件的编程操作而偏移的存储单元的阈值电压的分布。参照图1A，2比特的数据包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器件的操作方法，包括：执行第一最低有效位LSB编程循环，以将第一LSB数据存储在所选字线的第一存储单元中；执行第二LSB编程循环，以将第二LSB数据存储在所选字线的第二存储单元中，并将第二存储单元中的低于呈负电位的过擦除参考电压的过擦除存储单元的阈值电压提高至高于所述过擦除参考电压；执行第一最高有效位MSB编程循环，以将第一MSB数据存储在所述第一存储单元中；以及执行第二MSB编程循环，以将第二MSB数据存储在所述第二存储单元中。

【技术特征摘要】
2011.06.27 KR 10-2011-00621831.一种半导体存储器件的操作方法，包括：执行第一最低有效位LSB编程循环，以将第一LSB数据存储在所选字线的第一存储单元中；执行第二LSB编程循环，以将第二LSB数据存储在所选字线的第二存储单元中，并将第二存储单元中的低于呈负电位的过擦除参考电压的过擦除存储单元的阈值电压提高至高于所述过擦除参考电压；执行第一最高有效位MSB编程循环，以将第一MSB数据存储在所述第一存储单元中；以及执行第二MSB编程循环，以将第二MSB数据存储在所述第二存储单元中，其中，所述执行第二LSB编程循环包括：执行LSB编程操作，以将选自所述第二存储单元的存储单元的阈值电压提高至高于LSB验证电压并将所述过擦除存储单元的阈值电压提高至高于所述过擦除参考电压；执行第一编程验证操作，以检查所选存储单元的阈值电压是否高于所述LSB验证电压；以及执行第二编程验证操作，以检查所述过擦除存储单元的阈值电压是否高于所述过擦除参考电压，以及其中，在所述第二编程验证操作的执行中：将对应于所述过擦除参考电压的绝对值的正电压供应给一组过擦除存储单元；以及将比在所述第一编程验证操作中供应给所选存储单元的电压高出所述绝对值的电压供应给所述过擦除存储单元。2.如权利要求1所述的操作方法，其中，取决于存储在所述第一存储单元和第二存储单元中的所述LSB数据和MSB数据，将所述第一存储单元和第二存储单元的阈值电压分别提高至高于LSB验证电压和MSB验证电压。3.如权利要求1所述的操作方法，其中，在所述第二LSB编程循环的执行中，将具有通过所述第二MSB编程循环而提高了的所述阈值电压的所述过擦除存储单元的阈值电压提高至高于所述过擦除参考电压。4.如权利要求3所述的操作方法，进一步包括：在执行所述第二LSB编程循环之前，输入用于所述第二LSB编程循环的所述第二LSB数据和所述第二MSB数据。5.一种半导体存储器件的操作方法，包括：执行第二最低有效位LSB编程循环，以将第二LSB数据存储在耦接到多个字线中的第二字线的存储单元中，并将耦接到所述第二字线的所述存储单元中的低于呈负电位的过擦除参考电压的过擦除存储单元的阈值电压提高至高于所述过擦除参考电压；执行第一最高有效位MSB编程循环，以将第一MSB数据存储在耦接到所述多个字线中的与所述第二字线在一侧相邻的第一字线的存储单元中；执行第三LSB编程循环，以将第三LSB数据存储在耦接到与所述第二字线在另一侧相邻的第三字线的存储单元中；以及执行第二MSB编程循环，以将第二MSB数据存储在耦接到所述第二字线的存储单元中。6.如权利要求5所述的操作方法，其中，响应于所述第二LSB数据，将耦接到所述第二字线的所述存储单元中的所选存储单元的阈值电压提高至高于LSB验证电压。7.如权利要求6所述的操作方法，其中，所述执行第二LSB编程循环包括：执行LSB编程操作，以将所选存储单元的阈值电压提高至高于所述LSB验证电压并将所述过擦除存储单元的阈值电压提高至高于所述过擦除参考电压；执行第一编程验证操作，以检查所选存储单元的阈值电压是否高于所述LSB验证电压；以及执行第二编程验证操作，以检查所述过擦除存储单元的阈值电压是否高于所述过擦除参考电压。8.如权利要求7所述的操作方法，其中，在所述第二编程验证操作的执行中：将对应于所述过擦除参考电压的绝对值的正电压供应给一组过擦除存储单元；以及将比在所述第一编程验证操作中供应给所选存储单元的电压高出所述绝对值的电压供应给所述过擦除存储单元。9.如权利要求5所述的操作方法，其中，在所述第二LSB编程循环的执行中，将具有通过所述第二MSB编程循环来提高的所述阈值电压的所述过擦除存储单元的阈值电压提高至高于所述过擦除...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炯珉，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：