【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例是在非易失性存储器装置的领域内，且更具体来说涉及相变存储器装置的刷新。
技术介绍
如已知，相变存储器(PCM)阵列使用具有在具有相异电特性的两个相之间改变的性质的ー类材料。例如，硫属化物可从无序非晶相改变到有序结晶相或多晶相。使所述两个相与显著不同的电阻率值相关联，所述不同电阻率值可被感测且与不同存储器状态相关联。明确地说，可如下界定相变存储器単元当在适当偏置下传导可检测电流时为“设定”(例如，通常与逻辑状态“I”相关联的条件)，且当在相同偏置下传导低得多的电流时为“复位”(例如，逻辑状态“O”)。可通过增加温度来获得相变。如果使相变材料保持在结晶温度(例如，高于约200°C)下达足够的时间长度，那么发生成核。如果系统应用将PCM阵列暴露于接近结晶温度的周围温度达足够的时间量，那么可在对应于非晶状态的数据丢失时发生存储器保持错误。此些保持错误可排除在不存在材料改进或繁重级别的错误校正码(ECC)的情况下在高温应用中使用PCM。举例来说，许多汽车应用可针对在苛求应用中以10年或甚至20年为目标的数据保持指定在超过150°C下的非易失性。因此，提供...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种刷新非易失性存储器装置中的存储器单元阵列的方法，所述方法包含 依据系统状态识别符来执行第一刷新及第二刷新，其中执行所述第一刷新进一步包含: 对照第一刷新参考电平读取所述存储器阵列的单元并重新编程未通过的那些单元；且 其中所述第二刷新的所述执行进一步包含 对照不同于所述第一刷新参考电平的第二刷新参考电平读取所述存储器阵列的单元并重新编程存储通过错误校正编码算法校正的数据的那些单元。2.根据权利要求I所述的方法，其进一步包含对照读取参考电平从来自所述存储器装置中的所述存储器阵列读取数据，其中在所述第一刷新参考电平与所述读取参考电平之间存在一裕度，且其中所述第二刷新参考电平等于所述读取参考电平。3.根据权利要求I所述的方法，其中以随所述存储器装置的温度变化的频率重复执行所述第一刷新及第二刷新中的至少一者。4.根据权利要求I所述的方法，其中在转变到系统接通状态之后即刻执行所述第一刷新，且其中在活动状态期间执行所述第二刷新，在处于所述活动状态时通过存储器控制器单元启用并存取所述存储器装置，且所述系统接通状态为介于其中系统电路正被加电的通电状态与所述活动状态之间的使所有电路被供电的转变状态。5.根据权利要求I所述的方法，其中所述第二刷新的所述执行进一步包含 从存储器单元的第一子组读取数据； 对从存储器单元的所述第一子组读取的所述数据应用所述错误校正算法； 将所述经错误校正的数据写入到易失性高速缓冲存储器中；且其中所述编程包含将所述经错误校正的数据从所述高速缓冲存储器复制回到存储器单元的所述第一子组中。6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包含 在执行所述第二刷新时接收从所述存储器装置中读出数据位的系统请求； 如果数据位地址在不同于存储器单元的所述第一子组的存储器单元的第二子组中，那么从所述存储器阵列中读出所述数据位； 如果所述数据位地址在存储器单元的所述第一子组中，那么从所述高速缓冲存储器中读出所述数据位。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述从所述存储器阵列中读出数据位是用第一感测电路进行，且其中所述从所述高速缓冲存储器中读出所述数据位是用第二感测电路进行。8.根据权利要求5所述的方法，其中所述存储器单元包含相变存储器单元，其中所述易失性高速缓冲存储器由SRAM单元组成，其中存储器单元的所述第一子组由存储器分区中的第一存储器单元页组成，且其中存储器单元的所述第二子组由所述存储器分区中的第二存储器单元页组成。9.一种非易失性存储器装置，其包含 存储器单元阵列； 刷新控制器，其经配置以依据系统状态识别符来执行第一刷新及第二刷新，其中执行所述第一刷新进一步包含对照第一刷新参考电平读取所述存储器阵列的单元并重新编程未通过的那些单元；且 其中所述第二刷新的所述执行进一步包含 对照不同于所述第一刷新参考电平的第二刷新参考电平读取所述存储器阵列的单元并重新编程存储通过错误校正编码算法校正的数据的那些单元。10.根据权利要求9所述的非易失性存储器装置，其进一步包含 高速缓冲存储器，其用以存储响应于所述刷新控制器起始所述第二刷新而读出的来自所述存储器单元的第一子组的数据； 错误校正编码模块，其用以对从存储器单元的所述第一子...
【专利技术属性】
技术研发人员：费迪南多·贝代斯基，罗伯托·加斯塔尔迪，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。