半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体装置。所述装置包括传输控制单元，所述传输控制单元被配置成响应于所接收的具有第一脉冲宽度的脉冲信号而产生具有比第一脉冲宽度大的第二脉冲宽度的传输控制信号和具有比第二脉冲宽度大的第三脉冲宽度的同步控制信号。所述装置还包括接收控制单元，所述接收控制单元被配置成响应于同步控制信号而产生接收控制信号。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置相关申请的交叉引用本申请要求2011年8月26日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2011-0085678的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术所公开的实施例涉及一种半导体装置，更具体而言，涉及一种使用穿通通孔的3D(3维)半导体装置。
技术介绍
为了提高半导体装置的集成度，已经开发了3D(3维)半导体装置，其中将多个芯片层叠并封装在3D(3维)半导体装置中以增加集成度。在3D半导体装置中，由于垂直层叠两个或更多个芯片，所以可以在相同的面积内实现最大的集成度。可以应用不同的方法来实现3D半导体装置。在其中的一个方法中，层叠多个具有相同结构的芯片，然后使用诸如金属线的导线彼此连接所述多个具有相同结构的芯片以作为一个半导体装置来操作。近来，已经公开了TSV(穿通硅通孔)型半导体装置，在这种装置中穿通硅通孔被形成为穿通多个层叠的芯片使得所有的层叠芯片彼此电连接。在TSV型半导体装置中，因为穿通硅通孔垂直穿通各个芯片以使各个芯片彼此电连接，所以与利用导线经由外围导线而将各个芯片彼此连接的半导体装置相比，可以有效地减小封装的面积。因为每个TSV是通过在被定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：传输控制单元，所述传输控制单元被配置成响应于所接收的具有第一脉冲宽度的脉冲信号而产生具有比所述第一脉冲宽度大的第二脉冲宽度的传输控制信号和具有比所述第二脉冲宽度大的第三脉冲宽度的同步控制信号；以及接收控制单元，所述接收控制单元被配置成响应于所述同步控制信号而产生接收控制信号。

【技术特征摘要】
2011.08.26 KR 10-2011-00856781.一种半导体装置，包括：传输控制单元，所述传输控制单元被配置成响应于所接收的具有第一脉冲宽度的脉冲信号而产生具有比所述第一脉冲宽度大的第二脉冲宽度的传输控制信号和具有比所述第二脉冲宽度大的第三脉冲宽度的同步控制信号；传输单元，所述传输单元被配置成与所述脉冲信号同步地接收输入信号，以及与所述传输控制信号同步地传输所述输入信号；接收控制单元，所述接收控制单元被配置成响应于所述同步控制信号而产生接收控制信号；以及接收单元，所述接收单元被配置成响应于所述接收控制信号而接收从所述传输单元传输的所述输入信号。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述传输单元和所述接收单元被设置在不同的芯片中并经由耦接不同芯片的穿通通孔而彼此耦接。3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接收控制信号的脉冲宽度与所述第一脉冲宽度相同。4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接收控制单元包括：一个或更多个延迟级，所述一个或更多个延迟级被配置成将所述同步控制信号延迟预定的时间；以及一个或更多个信号组合级，所述一个或更多个信号组合级被配置成将所述同步控制信号与所述延迟级的输出组合并产生所述接收控制信号。5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，所述预定的时间包括与所述第一脉冲宽度相对应的时间。6.如权利要求4所述的半导体装置，其中，所述同步控制信号经由穿通通孔从所述传输控制单元传输到所述接收控制单元，以及其中，所述接收控制单元还包括一个或更多个缓冲级，所述一个或更多个缓冲级被配置成缓冲所述同步控制信号。7.一种半导体装置，包括：传输控制单元，所述传输控制单元被配置成响应于脉冲信号而产生第一传输控制信号和第二传输控制信号，并基于所述第一传输控制信号和所述第二传输控制信号而产生第一同步信号和第二同步信号；传输单元，所述传输单元被配置成与所述脉冲信号同步地接收输入信号，以及与所述第一传输控制信号和所述第二传输控制信号同步地传输所述输入信号；接收控制单元，所述接收控制单元被配置成响应于所述第一同步信号和所述第二同步信号而产生第一接收控制信号和第二接收控制信号；以及接收单元，所述接收单元被配置成响应于所述第一接收控制信号和所述第二接收控制信号而接收从所述传输单元传输的所述输入信号。8.如权利要求7所述的半导体装置，其中，所述传输单元被配置成与所述第一传输控制信号同步地将第一信号传输至所述接收单元，以及与所述第二传输控制信号同步地将第二信号传输至所述接收单元，所述第一信号被与所述脉冲信号中的奇数编号的脉冲同步地接收到所述传输单元，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：边相镇，尹泰植，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：