可调体偏置电路制造技术

在各种不同的示例中实现了体偏置电路和方法。一个这种示例包括通过控制体偏置开关电路的开关，将第一体偏置岛的第一阱和第二体偏置岛的第二阱设置为第一偏置模式。所述偏置是反向体偏置、额定体偏置和正向体偏置之一。还根据反向体偏置、额定体偏置和正向体偏置之一对第二阱进行偏置。响应于偏置模式输入，通过控制体偏置开关电路的开关将第一体偏置岛的第一阱和第二体偏置岛的第二阱每一个均设置为第二偏置模式。可以改变第一阱和第二阱的偏置。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及可调体偏置电路及方法。
技术介绍
高性能和低功率设计方案经常性的竞争目的可以要求复杂的体系结构以及对于电路设计的电路优化。功率和性能折衷可能要求不同的设计选择。半导体电路的体偏置(body biasing，缩写为“BB”)促进了调节功能，其可以改善诸如速度、功耗或者泄露之类的电路参数。BB也可以通过在已经制造了集成芯片(IC)之后进行调节来补偿工艺相关的性能分散。存在依赖于所施加偏置的对于体偏置的折衷。正向体偏置(FBB)通常将增加数字电路的性能，以增加泄露为代价。FBB由于改进的短沟道效应可以扩展体CMOS(互补金属氧化物半导体)的尺度限制。反向体偏置(RBB)通常将减小泄露功率，以低电路速度为代价。RBB对于给定性能代价比非最小沟道长度晶体管提供了更高的泄露补偿，提供了减小的VDD或者在70nm CMOS中的堆叠效应。尽管在现代体CMOS技术中BB可以是用于实现更好的设计规范和增加的电路鲁棒性的有吸引力的硅调节技术，但复杂的集成电路可以包括多个不同的电路部分，每一个部分具有不同的调节要求。此外，电路的所需性能特性可以在电路的使用期间改变。专利技术内容本公开的各种示例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于电路的设备，包括：第一体偏置岛，所述第一体偏置岛配置用于向至少第一阱提供体偏置；第二体偏置岛，所述第二体偏置岛配置用于向至少第二阱提供体偏置；体偏置开关电路，配置和设置用于响应于偏置模式输入按照不同模式工作，所述不同模式包括与第一阱和第二阱相连的开关的控制，并且所述不同模式包括：第一模式，所述第一模式将第一阱和第二阱的每一个设置为第一偏置条件，所述第一偏置条件包括针对第一阱和第二阱的每一个的反向体偏置、额定体偏置和正向体偏置之一；以及第二模式，所述第二模式将第一阱和第二阱的每一个设置为第二偏置条件，所述第二偏置条件包括针对所述第一阱的反向体偏置、额定体偏置和正向体偏置的不同之一。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：伦泽·迈耶，卡斯·格鲁特，杰拉尔德·维勒·皮盖，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：