差分收发射频开关和射频终端制造技术

一种差分收发射频开关和射频终端，所述差分收发射频开关包括：发射端口和接收端口，两个端口之间设置有天线端口；第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路和第四开关电路，第一至第四开关电路分别包括串联的多个开关管；第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路和第四开关电路中的至少一个开关电路内，多个开关管中的至少一个开关管的衬底经由各自的浮体偏置电路耦接至所述至少一个开关电路的偏置参考端，其他开关管的衬底耦接至所述至少一个开关电路的开关参考端，浮体偏置电路在其控制端接收到不同的电平时具有不同的阻抗。采用本发明专利技术方案可以改善差分收发射频开关的隔离度，并降低电路面积。

Differential transmit receive radio frequency switch and radio frequency terminal

A differential transceiver RF switch and RF terminal, the differential transceiver RF switch comprises a transmitting and receiving antenna port port, port setting between two ports; the first switching circuit and a second switching circuit, third switching circuit and a fourth switching circuit, first to fourth switching circuit comprises a plurality of switch tube series at least one switching circuit; the first switching circuit and a second switching circuit, third switching circuit and a fourth switching circuit in a switching substrate at least one switch tube in the floating body bias circuit is coupled via respective connected to the at least one switching circuit bias reference terminal substrate coupling other switch the tube is connected to the at least one switch switch reference end, the floating body bias circuit with different impedance in the control terminal to receive different levels. The adoption of the invention can improve the isolation degree of the differential transceiver radio frequency switch and reduce the circuit area.

【技术实现步骤摘要】
差分收发射频开关和射频终端
本专利技术涉及射频电路设计领域，特别涉及一种差分收发射频开关和射频终端。
技术介绍
在无线或者移动通信系统中，常常会用到射频开关(RadioFrequencySwitch，简称RFSW)进行射频通道选择。以手机为例，双刀双掷(Dual-PoleDual-Throw，简称DPDT)类型的射频开关可为手机的发射和接收无线信号进行通道选择。所述无线信号为差分信号，可提高数据信号传输的抗干扰特性。所述DPDT射频开关一般耦接天线端口，其包括的两个开关分支在共用天线的情况下实现无线信号的接收和发射。目前，CMOS工艺以较低的成本及集成整合优势，逐渐成为射频开关的主流工艺。随着移动通信的发展，射频开关的电路结构也越来越复杂，要求射频开关具有尽可能高的功率线性度，高的谐波抑制比，尽可能低的插入损耗(InsertionLoss，IL，简称插损)和尽可能高的隔离度(Isolation)。其中，插入损耗是指发射机与接收机之间，插入电缆或元件产生的信号损耗，通常指衰减。插入损耗以接收信号电平的对应分贝(dB)来表示，其大小可参见公式IL＝20lg(Uo/Ui)，其中，IL为插入损耗，Uo为输出信号的幅度，Ui为输入信号的幅度。隔离度为本振或射频信号泄漏到其他端口的功率与输入功率之比，单位为分贝(dB)。图1是现有技术中的一种差分收发射频开关的电路图。如图1所示，差分收发射频开关100可以包括：发射端口(图中未标示)和接收端口(图中未标示)，所述发射端口与所述接收端口之间设置有天线端口(图中未标示)，其中，所述天线端口为天线电路10的输出端口。所述发射端口的正端TX+经由第一开关电路11与所述天线端口的正端AN+连接，所述发射端口的负端TX-经由第二开关电路12与所述天线端口的负端AN-连接，所述天线端口的正端AN+经由第三开关电路13与所述接收端口的正端RX+连接，所述天线端口的负端AN-经由第四开关电路14与所述接收端口的负端RX-连接。其中，所述第一开关电路11的控制端与所述第二开关电路12的控制端均接收第一控制信号VG-TX，所述第三开关电路13的控制端和所述第四开关电路14的控制端均接收第二控制信号VG-RX；当所述第二控制信号VG-RX控制所述第三开关电路13和第四开关电路14关断时，所述第一控制信号VG-TX控制所述第一开关电路11和第二开关电路12导通；当所述第二控制信号VG-RX控制所述第三开关电路13和第四开关电路14导通时，所述第一控制信号VG-TX控制所述第一开关电路11和第二开关电路12关断。其中，所述第一开关电路11、第二开关电路12、第三开关电路13和第四开关电路14分别包括串联的多个开关管，可参见图中的开关管M1至M14，以使得所述差分收发射频开关100具有较高的接收和发射功率。在第一至第四开关电路中，均包括与所述多个开关管一一对应的第一电阻R1和第二电阻R2，以优化射频开关的射频性能。由于器件的非理想性，导致差分收发射频开关100有一定的插入损耗，隔离度也有限，并且很难在低插入损耗下达到高隔离度的特性。因此，如何在保证射频开关的插入损耗的基础上，改善射频开关的隔离度是一个需要解决的问题。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是如何在保证射频开关的插入损耗的基础上，改善射频开关的隔离度。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种差分收发射频开关，包括发射端口和接收端口，所述发射端口与所述接收端口之间设置有天线端口，所述发射端口的正端经由第一开关电路与所述天线端口的正端连接，所述发射端口的负端经由第二开关电路与所述天线端口的负端连接，所述天线端口的正端经由第三开关电路与所述接收端口的正端连接，所述天线端口的负端经由第四开关电路与所述接收端口的负端连接；其中，所述第一开关电路的控制端与所述第二开关电路的控制端均接收第一控制信号，所述第三开关电路的控制端和所述第四开关电路的控制端均接收第二控制信号；当所述第二控制信号控制所述第三开关电路和第四开关电路关断时，所述第一控制信号控制所述第一开关电路和第二开关电路导通；当所述第二控制信号控制所述第三开关电路和第四开关电路导通时，所述第一控制信号控制所述第一开关电路和第二开关电路关断；所述第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路和第四开关电路分别包括串联的多个开关管；所述第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路和第四开关电路中的至少一个开关电路内，所述多个开关管中的至少一个开关管的衬底经由各自的浮体偏置电路耦接至所述至少一个开关电路的偏置参考端，其他开关管的衬底耦接至所述至少一个开关电路的开关参考端，其中，所述浮体偏置电路在其控制端接收到不同的电平时具有不同的阻抗。可选地，所述第三开关电路中的至少一个开关管的衬底经由各自的浮体偏置电路耦接至所述第三开关电路的偏置参考端，其他开关管的衬底耦接至所述第三开关电路的开关参考端；所述第四开关电路中的至少一个开关管的衬底经由各自的浮体偏置电路耦接至所述第四开关电路的偏置参考端，其他开关管的衬底耦接至所述第四开关电路的开关参考端。可选地，所述第三开关电路的偏置参考端耦接所述第四开关电路的偏置参考端和第一虚地点，所述第一虚地点经由第一偏置电阻耦接至所述第三开关电路的开关参考端和所述第四开关电路的开关参考端。可选地，所述第三开关电路的偏置参考端耦接所述第三开关电路的开关参考端，所述第四开关电路的偏置参考端耦接所述第四开关电路的开关参考端。可选地，所述第一开关电路中的至少一个开关管的衬底经由各自的浮体偏置电路耦接至所述第一开关电路的偏置参考端，其他开关管的衬底耦接至所述第一开关电路的开关参考端；所述第二开关电路中的至少一个开关管的衬底经由各自的浮体偏置电路耦接至所述第二开关电路的偏置参考端，其他开关管的衬底耦接至所述第二开关电路的开关参考端。可选地，所述第一开关电路的偏置参考端耦接所述第二开关电路的偏置参考端和第二虚地点，所述第二虚地点经由第二偏置电阻耦接至所述第一开关电路的开关参考端和所述第二开关电路的开关参考端。可选地，所述第一开关电路的偏置参考端耦接所述第一开关电路的开关参考端，所述第二开关电路的偏置参考端耦接所述第二开关电路的开关参考端。可选地，所述第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路和第四开关电路中的至少一个开关电路内，所述多个开关管中远离所述天线端口的至少一个开关管的衬底经由各自的浮体偏置电路耦接至所述至少一个开关电路的偏置参考端。可选地，所述开关管为NMOS管；所述浮体偏置电路包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的栅极耦接所述至少一个开关电路的控制端。可选地，所述第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路和第四开关电路中的至少一个开关电路内，对应于所述浮体偏置电路的所述至少一个开关管的控制端经由各自的栅偏置电路耦接至所述至少一个开关电路的控制参考端，所述其他开关管的控制端耦接至所述至少一个开关电路的控制端，其中，所述栅偏置电路在其控制端接收到不同的电平时具有不同的阻抗。可选地，所述开关管为NMOS管；所述栅偏置电路包括：第二PMOS管，所述第二PMOS管的栅极耦接所述至少一个开关电路的控制端。可选地，所述第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路和第四开关电路中的所述至少一个开关本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种差分收发射频开关，包括发射端口和接收端口，所述发射端口与所述接收端口之间设置有天线端口，所述发射端口的正端经由第一开关电路与所述天线端口的正端连接，所述发射端口的负端经由第二开关电路与所述天线端口的负端连接，所述天线端口的正端经由第三开关电路与所述接收端口的正端连接，所述天线端口的负端经由第四开关电路与所述接收端口的负端连接；其中，所述第一开关电路的控制端与所述第二开关电路的控制端均接收第一控制信号，所述第三开关电路的控制端和所述第四开关电路的控制端均接收第二控制信号；当所述第二控制信号控制所述第三开关电路和第四开关电路关断时，所述第一控制信号控制所述第一开关电路和第二开关电路导通；当所述第二控制信号控制所述第三开关电路和第四开关电路导通时，所述第一控制信号控制所述第一开关电路和第二开关电路关断；所述第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路和第四开关电路分别包括串联的多个开关管；其特征在于，所述第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路和第四开关电路中的至少一个开关电路内，所述多个开关管中的至少一个开关管的衬底经由各自的浮体偏置电路耦接至所述至少一个开关电路的偏置参考端，其他开关管的衬底耦接至所述至少一个开关电路的开关参考端，其中，所述浮体偏置电路在其控制端接收到不同的电平时具有不同的阻抗。...

【技术特征摘要】
1.一种差分收发射频开关，包括发射端口和接收端口，所述发射端口与所述接收端口之间设置有天线端口，所述发射端口的正端经由第一开关电路与所述天线端口的正端连接，所述发射端口的负端经由第二开关电路与所述天线端口的负端连接，所述天线端口的正端经由第三开关电路与所述接收端口的正端连接，所述天线端口的负端经由第四开关电路与所述接收端口的负端连接；其中，所述第一开关电路的控制端与所述第二开关电路的控制端均接收第一控制信号，所述第三开关电路的控制端和所述第四开关电路的控制端均接收第二控制信号；当所述第二控制信号控制所述第三开关电路和第四开关电路关断时，所述第一控制信号控制所述第一开关电路和第二开关电路导通；当所述第二控制信号控制所述第三开关电路和第四开关电路导通时，所述第一控制信号控制所述第一开关电路和第二开关电路关断；所述第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路和第四开关电路分别包括串联的多个开关管；其特征在于，所述第一开关电路、第二开关电路、第三开关电路和第四开关电路中的至少一个开关电路内，所述多个开关管中的至少一个开关管的衬底经由各自的浮体偏置电路耦接至所述至少一个开关电路的偏置参考端，其他开关管的衬底耦接至所述至少一个开关电路的开关参考端，其中，所述浮体偏置电路在其控制端接收到不同的电平时具有不同的阻抗。2.根据权利要求1所述的差分收发射频开关，其特征在于，所述第三开关电路中的至少一个开关管的衬底经由各自的浮体偏置电路耦接至所述第三开关电路的偏置参考端，其他开关管的衬底耦接至所述第三开关电路的开关参考端；所述第四开关电路中的至少一个开关管的衬底经由各自的浮体偏置电路耦接至所述第四开关电路的偏置参考端，其他开关管的衬底耦接至所述第四开关电路的开关参考端。3.根据权利要求2所述的差分收发射频开关，其特征在于，所述第三开关电路的偏置参考端耦接所述第四开关电路的偏置参考端和第一虚地点，所述第一虚地点经由第一偏置电阻耦接至所述第三开关电路的开关参考端和所述第四开关电路的开关参考端。4.根据权利要求2所述的差分收发射频开关，其特征在于，所述第三开关电路的偏置参考端耦接所述第三开关电路的开关参考端，所述第四开关电路的偏置参考端耦接所述第四开关电路的开关参考端。5.根据权利要求1或2所述的差分收发射频开关，其特征在于，所述第一开关电路中的至少一个开关管的衬底经由各自的浮体偏置电路耦接至所述第一开关电路的偏置参考端，其他开关管的衬底耦接至所述第一开关电路的开关参考端；...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴若凡，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31