具有共享的共基极偏置的功率放大系统技术方案

具有共享的共基极偏置的功率放大系统。一种功率放大系统可包括多个共射共基放大器区块。所述多个共射共基放大器区块中的每一个可包括第一晶体管和第二晶体管。所述功率放大器系统可包括多个共射极偏置部件。所述多个共射极偏置部件中的每一个可耦接到所述多个共射共基放大器区块中相应的一个的所述第一晶体管的基极，并且是可控的以偏置所述多个共射共基放大器区块中所述相应的一个的所述第一晶体管。所述功率放大系统可包括共基极偏置部件，其耦接到所述多个共射共基放大器区块中的每一个的所述第二晶体管的基极，并且是可控的以偏置所述多个共射共基放大器区块中的每一个的所述第二晶体管。

Power amplification system with shared common base bias

Power amplification system with shared common base bias. A power amplification system may include a plurality of common base amplifier blocks. Each of the plurality of cascode amplifiers may include a first transistor and a second transistor. The power amplifier system may include a plurality of common emitter bias units. The plurality of common emitter each can be coupled to the plurality of a common emitter of the first transistor corresponding cascode amplifier block in the base pole biasing member, and is controlled to bias the plurality of common emitter of the cascode amplifier block corresponding to a the first transistor. The power amplifier system includes a common base biasing member, which is coupled to the plurality of common emitter of each of the second transistors of the cascode amplifier block base, and is controlled to bias the plurality of common emitter of each of the second transistor, the cascode amplifier block.

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请主张2015年2月15日提交的题为“COMMONCASCODEBASEBIASING”的美国临时申请No.62/116,497的优先权，其公开内容特此通过引用明确地整体合并于此。
本申请总体上涉及功率放大器。
技术介绍
功率放大系统可包括与多个频率带对应的多个功率放大器级。偏置(biasing)每个功率放大器级，尤其是在每个级包括多个晶体管时，可能包括重复的偏置(bias)电路系统、控制电路系统和对应的路由。
技术实现思路
根据一些实施方式，本申请涉及一种功率放大系统。所述功率放大系统包括多个共射共基放大器区块。所述多个共射共基放大器区块中的每一个包括第一晶体管和第二晶体管。所述功率放大器系统包括多个共射极偏置部件。所述多个共射极偏置部件中的每一个耦接到所述多个共射共基放大器区块中相应的一个的所述第一晶体管的基极，并且是可控的以偏置所述多个共射共基放大器区块中所述相应的一个的所述第一晶体管。所述功率放大系统包括共基极偏置部件，其耦接到所述多个共射共基放大器区块中的每一个的所述第二晶体管的基极，并且是可控的以偏置所述多个共射共基放大器区块中的每一个的所述第二晶体管。在一些实施例中，所述功率放大系统还可包括控制器，所述控制器配置为基于频带选择信号控制所述多个共射极偏置部件。在一些实施例中，所述控制器可配置为基于所述频带选择信号使能所述多个共射极偏置部件中的一个或多个以提供相应的第一偏置信号给所述多个共射共基放大器区块中的相应的一个或多个的所述第一晶体管的基极。在一些实施例中，所述控制器可配置为不论所述频带选择信号为何，使能所述共基极偏置部件以提供第二偏置信号给所述多个共射共基放大器区块中的每个的所述第二晶体管的基极。在一些实施例中，所述第一偏置信号可以是基于目标输出功率的。在一些实施例中，所述第二偏置信号可以是基于目标输出功率的。在一些实施例中，所述第二偏置信号可以源自耦接到所述共基极偏置部件并且由来自电池的电压供电的电流源。在一些实施例中，所述第一偏置信号可以源自耦接到所述多个共射极偏置部件中的所述一个或多个并且由来自电池的电压供电的相应电流源。在一些实施例中，所述功率放大系统还可包括多个RC去耦部件。每个RC去耦部件可包括电阻器和电容器，所述电阻器耦接在所述共基极偏置部件与所述多个共射共基放大器区块中的相应一个的第二晶体管的基极之间，所述电容器耦接在所述多个共射共基放大器区块中的相应一个的所述第二晶体管的基极与地电压之间。在一些实施例中，所述多个共射共基放大器区块中的每个的所述第二晶体管的集电极可以经由相应的电感器耦接到供电电压。在一些实施例中，所述多个共射共基放大器区块中的每个的所述第二晶体管的集电极可以经由相应的输出匹配和滤波部件耦接到天线开关部件。在一些实施例中，所述多个输出匹配和滤波部件中的每个可对应于多个频率带中的相应一个。在一些实施例中，所述多个输出匹配和滤波部件中的每个可配置为用中心位于多个频率带中相应的一个处的滤波器对输出RF信号进行滤波。在一些实施例中，所述天线开关部件可配置为输出在所述多个输出匹配和滤波部件中的选定一个处接收到的信号。在一些实施例中，所述天线开关部件可配置为组合和输出在所述多个输出匹配和滤波部件中的多个处接收到的信号。在一些实施例中，所述功率放大系统还可包括多个输入匹配部件，其耦接到所述多个共射共基放大器区块中的相应一个的所述第一晶体管的基极，并且配置为匹配多个频率带中的相应一个处的输入RF信号。在一些实施例中，所述功率放大系统还可包括多个RC去耦部件。所述RC去耦部件中的每一个可包括电阻器和电容器，所述电阻器耦接在相应的共射极偏置部件与所述多个共射共基放大器区块中的相应一个的所述第一晶体管的基极之间，所述电容器耦接在所述多个共射共基放大器区块中的所述相应一个的所述第二晶体管的基极与所述多个输入匹配部件中的相应一个之间。在一些实施方式中，本申请涉及一种射频RF模块，其包括配置为容纳多个部件的封装衬底。所述RF模块包括实施在所述封装衬底上的功率放大系统。所述功率放大系统包括多个共射共基放大器区块。所述多个共射共基放大器区块中的每一个包括第一晶体管和第二晶体管。所述功率放大系统包括多个共射极偏置部件。所述多个共射极偏置部件中的每一个耦接到所述多个共射共基放大器区块中相应的一个的所述第一晶体管的基极，并且是可控的以偏置所述多个共射共基放大器区块中所述相应的一个的所述第一晶体管。所述功率放大系统包括共基极偏置部件，其耦接到所述多个共射共基放大器区块中的每一个的所述第二晶体管的基极，并且是可控的以偏置所述多个共射共基放大器区块中的每一个的所述第二晶体管。在一些实施例中，所述RF模块可以是前端模块FEM。在一些实施方式中，本申请涉及一种无线装置，包括配置为生成射频RF信号的收发机。所述无线装置包括与所述收发机通信的前端模块FEM。所述FEM包括配置为容纳多个部件的封装衬底。所述FREM还包括实施在所述封装衬底上的功率放大系统。所述功率放大系统包括多个共射共基放大器区块。所述多个共射共基放大器区块中的每一个包括第一晶体管和第二晶体管。所述功率放大系统包括多个共射极偏置部件。所述多个共射极偏置部件中的每一个耦接到所述多个共射共基放大器区块中相应的一个的所述第一晶体管的基极，并且是可控的以偏置所述多个共射共基放大器区块中所述相应的一个的所述第一晶体管。所述功率放大系统包括共基极偏置部件，其耦接到所述多个共射共基放大器区块中的每一个的所述第二晶体管的基极，并且是可控的以偏置所述多个共射共基放大器区块中的每一个的所述第二晶体管。所述无线装置包括与所述FEM通信的天线。所述天线配置为发射所述RF信号的放大版本。出于概述本申请的目的，已经在这里描述了本专利技术的某些方面、优点和新颖特征。应该理解，根据本专利技术的任何具体实施例，不一定要实现所有这些优点。因而，可以按照实现或优化如在这里教导的一个优点或一组优点的方式来实施或实现本专利技术，而不需要实现如在这里可以教导或建议的其它优点。附图说明图1示出示例无线系统或架构(architecture)。图2示出在一些实施方式中，放大系统可包括具有一个或多个功率放大器的射频(RF)放大器组件。图3A-3E示出功率放大器的非限制性示例。图4示出在一些实施方式中，放大系统可实施为高电压(HV)功率放大系统。图5示出在一些实施例中，功率放大系统可包括多个共射共基(cascode)放大器区块(section)。图6示出在一些实施例中，功率放大系统可具有多个共享的共基极偏置部件(component)。图7示出处理RF信号的方法的流程表示图。图8示出具有一个或多个这里描述的特征的模块。图9示出具有一个或多个这里描述的特征的无线装置。具体实施方式这里提供的标题(如果有的话)仅是为了便利，而不一定影响要求保护的专利技术的范围和含义。参照图1，本申请的一个或多个特征总体上涉及具有放大系统52的无线系统或架构50。在一些实施例中，放大系统52可实施为一个或多个器件，这些器件可用于无线系统/架构50中。在一些实施例中，无线系统/架构50可实施在例如便携式无线装置中。这样的无线装置的示例描述于此。图2示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率放大系统，包括：多个共射共基放大器区块，所述多个共射共基放大器区块中的每一个包括第一晶体管和第二晶体管；多个共射极偏置部件，所述多个共射极偏置部件中的每一个耦接到所述多个共射共基放大器区块中相应的一个的所述第一晶体管的基极，并且是可控的以偏置所述多个共射共基放大器区块中所述相应的一个的所述第一晶体管；以及共基极偏置部件，耦接到所述多个共射共基放大器区块中的每一个的所述第二晶体管的基极，并且是可控的以偏置所述多个共射共基放大器区块中的每一个的所述第二晶体管。

【技术特征摘要】
2015.02.15 US 62/116,4971.一种功率放大系统，包括：多个共射共基放大器区块，所述多个共射共基放大器区块中的每一个包括第一晶体管和第二晶体管；多个共射极偏置部件，所述多个共射极偏置部件中的每一个耦接到所述多个共射共基放大器区块中相应的一个的所述第一晶体管的基极，并且是可控的以偏置所述多个共射共基放大器区块中所述相应的一个的所述第一晶体管；以及共基极偏置部件，耦接到所述多个共射共基放大器区块中的每一个的所述第二晶体管的基极，并且是可控的以偏置所述多个共射共基放大器区块中的每一个的所述第二晶体管。2.如权利要求1所述的功率放大系统，还包括控制器，所述控制器配置为基于频带选择信号控制所述多个共射极偏置部件。3.如权利要求2所述的功率放大系统，其中，所述控制器配置为基于所述频带选择信号使能所述多个共射极偏置部件中的一个或多个以提供相应的第一偏置信号给所述多个共射共基放大器区块中的相应的一个或多个的所述第一晶体管的基极。4.如权利要求3所述的功率放大系统，其中，所述控制器配置为不论所述频带选择信号为何，使能所述共基极偏置部件以提供第二偏置信号给所述多个共射共基放大器区块中的每个的所述第二晶体管的基极。5.如权利要求4所述的功率放大系统，其中，所述第一偏置信号是基于目标输出功率的。6.如权利要求4所述的功率放大系统，其中，所述第二偏置信号是基于目标输出功率的。7.如权利要求4所述的功率放大系统，其中，所述第二偏置信号源自耦接到所述共基极偏置部件并且由来自电池的电压供电的电流源。8.如权利要求4所述的功率放大系统，其中，所述第一偏置信号源自耦接到所述多个共射极偏置部件中的所述一个或多个并且由来自电池的电压供电的相应电流源。9.如权利要求1所述的功率放大系统，还包括多个RC去耦部件，每个RC去耦部件包括电阻器和电容器，所述电阻器耦接在所述共基极偏置部件与所述多个共射共基放大器区块中的相应一个的第二晶体管的基极之间，所述电容器耦接在所述多个共射共基放大器区块中的相应一个的所述第二晶体管的基极与地电压之间。10.如权利要求1所述的功率放大系统，其中，所述多个共射共基放大器区块中的每个的所述第二晶体管的集电极经由相应的电感器耦接到供电电压。11.如权利要求1所述的功率放大系统，其中，所述多个共射共基放大器区块中的每个的所述第二晶体管的集电极经由相应的输出匹配和滤波部件耦接到天线开关部件。12.如权利要求11所述的功率放大系统，其中，所述多个输出匹配和滤波部件中的每个对应于多个频率带中的相应一个。13.如权利要求11所述的功率放大系统，其中，所述多个输出匹配...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·J·莱托拉，D·S·里普利，
申请(专利权)人：天工方案公司，
类型：发明
国别省市：美国;US