本文公开了信号放大器，其包括多个可切换放大器架构，使得特定增益模式可使用专用放大器架构来为那些增益模式提供期望的特性，诸如低噪声系数或高线性度。所公开的信号放大器架构使用退化块或矩阵而不使用所述退化切换块中的开关来提供定制阻抗。所公开的...

一种载波聚合电路可以包括具有滤波器组件和移相电路的中频段路径，以支持一个或多个频带。该电路还可以包括第一和第二高频段路径，每个高频段路径被配置为支持一频带并具有滤波器和移相电路。选择的高频段滤波器和中频段滤波器组件可以被配置成为虚部提供...

所公开的前端架构配置为将双工器发射(TX)轮廓聚集到特定或目标区域中。这使得功率放大器(PA)能够在没有额外匹配网络的帮助的情况下匹配更大数量的频带。所公开的架构是有利的，因为它们减少了诸如前端模块、功率放大器模块等的射频(RF)模块期...

具有自适应退化反馈模拟预失真的功率放大器。在一些实施例中，用于放大器的预失真电路可以包括：晶体管，其具有用于接收输入信号的输入节点、用于提供相对于输入信号具有增益的输出信号的输出节点、以及用于耦接到地的公共节点。预失真电路可进一步包括在...

提供了一种电子封装。所述电子封装包括：具有第一侧和第二侧的基板，所述基板配置为接纳一个或多个电子部件；安装在所述基板第一侧的第一电子部件；在所述基板第一侧的至少一部分上延伸的第一模制结构；在所述基板的第一侧上提供的贯穿模制连接件组，所述...

本公开提供了电子声学设备、MEMS麦克风和均衡方法。电子声学设备及其操作方法包括具有包括共振频率的频率响应的麦克风、具有包括共振频率的频率响应的参考麦克风，该麦克风和参考麦克风被配置为基本上同时接收公共声学信号以产生该麦克风的换能信号和...

本公开涉及高级发送架构中的多耦合布置。前端模块包括功率放大器、第一和第二耦合器、天线开关和开关子组件。功率放大器具有接收射频信号的输入和提供放大的射频信号的输出。第一耦合器具有耦合到功率放大器的输出的输入端口、耦合到天线开关的输入的输出...

一种耦合电路可以被配置为：通过第一路径将公共节点耦合到第一组的滤波器，以及通过第二路径将该公共节点耦合到第二组的一个或多个滤波器。该耦合电路可以被配置为：使得由该第一组中的每个滤波器为该第二组的每个频带中的信号提供的阻抗导致该信号被充分...

具有输入功率保护的放大器。在一些实施例中，所述放大器电路可以包括输入节点和输出节点、以及在所述输入节点和所述输出节点之间实现的放大器。所述放大器电路可以进一步包括配置为向所述放大器提供偏置信号的偏置电路。所述放大器电路可以进一步包括保护...

本文公开了用于汽车的分布式射频(RF)通信系统。在某些实施例中，用于汽车的RF通信系统包括RF模块，其靠近天线定位的以满足具有小插入损耗的指定输出功率。此外，基带处理器远离RF模块放置在汽车的不同区域中，以提供较低温度的环境。此外，RF...

本文提供了用于偏置低噪声放大器(LNA)的装置和方法。在某些实施例中，LNA包括至少一个放大射频(RF)输入信号的晶体管，以及包括基于参考电流产生偏置电流的电流偏置电路和基于所述偏置电流为所述至少一个晶体管产生至少一个输入偏置电压的电压...

本发明的各方面包括功率放大器，其包括接收输入信号的输入端、提供放大的输出信号的输出端、耦接在输入端和输出端之间的巴仑、耦接到巴仑的至少一个电容器、以及耦接到至少一个电容器的可控负载。电容器的可控负载。电容器的可控负载。

提供了用于射频(RF)开关控制的装置和方法。在某些实施例中，用于射频开关的电平移位器包括：第一电平移位n型晶体管；在负电荷泵电压和提供第一开关控制信号的第一输出之间与第一电平移位n型晶体管串联的第一共源共栅n型晶体管；第一电平移位p型晶...

根据本公开的一些方面，提供了一种射频信号耦合器。该射频耦合器包含输入端口、输出端口、在输入端口与输出端口之间延伸的主传输线、电磁耦合到主传输线的耦合传输线、耦合到耦合传输线的至少一个耦合端口、以及连接到耦合传输线的多个终端端口，该多个终...

本公开的方面涉及可切换声波滤波器。可切换声波滤波器可以包括开关，该开关被配置为在第一状态将声波谐振器电连接到节点并且在第二状态将声波谐振器与节点电隔离。可切换声波滤波器可以在第一状态中用至少所述声波谐振器和第二声波谐振器对射频信号进行滤...

提供了用于负载调制功率放大器的装置和方法。在某些实施例中，负载调制功率放大器系统包括：功率放大器，其在输入处接收射频信号并在输出处提供放大的射频信号；以及可控负载阻抗，其耦接到功率放大器的输出。可控负载阻抗接收相对于所述射频信号的包络而...

声波器件中的能量约束。在一些实施例中，表面声波器件可包括石英基板、由LiTaO3或LiNbO3形成并设置在石英基板上方的压电膜、以及形成在压电膜上方的叉指换能器电极。表面声波器件还可包括在压电膜上方实现的结合层、以及形成在结合层上方的覆...

功率放大器可以包括输入级，所述输入级包括具有输入节点和输出节点的放大晶体管，使得在所述输入节点处的信号具有第一功率大小、在所述输出节点处的放大信号具有第二功率大小。功率放大器可以进一步包括：偏置电路，所述偏置电路配置为向所述放大晶体管提...

一种开关电路包括耦合到第一输出端口的第一串联开关，该第一串联开关包含第一场效应晶体管(FET)、第二FET、第三FET、第四FET、第五FET和第六FET，耦合到第二输出端口的第二串联开关，以及耦合电路，被配置为将第五FET的栅极和第六...

一种晶体管可以包括均在第一类型有源区域中实现的源极和漏极、相对于源极和漏极实现的栅极、以及在第一类型有源区域中实现并且基本上被栅极覆盖的体。该晶体管还可以包括在第二类型有源区域中实现的体连结，并且该体连结包括基本上被栅极覆盖并接合体的连...