【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种具有电子组件的电子封装，该电子组件具有不可接地的热输出。本公开还涉及包含这种电子封装的电子设备。本公开还涉及制造这种电子封装的方法。相关技术的描述具有不可接地热输出的电子组件是已知的，其中电子组件的操作取决于不存在从输出到接地的导电通路。共源共栅放大器是这种电子组件的示例，其具有在使用期间变热的发射极。共源共栅放大器的操作取决于发射极不被短接到地。共源共栅放大器可以安装到衬底面板以限定电子封装，其中由绝缘材料形成的模制结构填充共源共栅放大器的发射极与衬底面板之间的空间。
技术介绍
技术实现思路
1、根据一个方面，提供了一种电子封装。电子封装包括衬底；封闭在衬底中或由衬底支撑的至少一个接地平面；安装到衬底的至少一个电子组件，至少一个电子组件包括至少一个不可接地热输出；在衬底内在暴露于衬底上的接口和接地平面之间延伸的至少一个导热通路，导热通路被配置为将接口与接地平面电隔离；以及将输出耦合到接口的至少一个导热构件。
2、在一个示例中，导热构件包括在相对的第一端和第二端之间延伸的柱，第一端耦合到输出，并且第二端耦合到接口。在一个示例中，柱具有从第一端延伸到第二端的基本均匀的横截面。
3、在一个示例中，导热构件的形状基本上是球形或椭圆形。
4、在一个示例中，电子封装包括将输出耦合到接口的多个导热构件。
5、在一个示例中，导热构件由铜或焊料中的一种形成。
6、在一个示例中，接口被配置用于焊接到其上。
7、在一个示例中，接
8、在一个示例中，导热构件包括限定输出和接口之间的焊接连接的焊球。
9、在一个示例中，导热构件的第一端被焊接到电子组件，并且导热构件的第二端被焊接到接口。
10、在一个示例中，导热构件的第一端被焊接到电子组件，并且导热构件的第二端与接口处于非接合表面接触。
11、在一个示例中，导热构件的第一端与输出非接合表面接触，并且导热构件的第二端被焊接到接口。
12、在一个示例中，导热通路包括氮化铝、碳化硅或金刚石中的任一种或由氮化铝、碳化硅或金刚石中的任一种组成。
13、在一个示例中，导热通路包括电绝缘材料或由电绝缘材料组成，所述电绝缘材料在室温下的热导率在铜在室温下的热导率的35％内、或在30％内、或在25％内、或在20％内、或在15％内、或在10％内、或在5％内。
14、在一个示例中，导热通路包括导热电绝缘材料的至少一部分。
15、在一个示例中，导热通路还包括一个或多个导电部分，其中导热电绝缘材料的部分耦合到一个或多个导电部分，使得接口与接地平面电隔离。
16、在一个示例中，导热电绝缘材料的部分包括氮化铝、碳化硅或金刚石中的任一种或由氮化铝、碳化硅或金刚石中的任一种组成。
17、在一个示例中，导热电绝缘材料的部分在室温下具有铜在室温下的热导率的35％内、或30％内、或25％内、或20％内、或15％内、或10％内、或5％内的热导率。
18、在一个示例中，一个或多个导电部分由铜形成。
19、在一个示例中，一个或多个导电部分包括耦合到一个或多个通孔的一个或多个导电迹线。
20、在一个示例中，导热电绝缘材料的部分被囊括在衬底内。
21、在一个示例中，导热电绝缘材料的部分抵靠接地平面定位。
22、在一个示例中，导热电绝缘材料的部分的暴露区域限定接口。
23、在一个示例中，金属层被限定在导热电绝缘材料的部分的暴露区域上，金属层限定接口。在一个示例中，金属层被配置用于焊接到其上。
24、在一个示例中，至少一个不可接地热输出包括第一和第二不可接地热输出。
25、在一个示例中，至少一个电子组件包括第一和第二电子组件，第一电子组件包括第一不可接地热输出，并且第二电子组件包括第二不可接地热输出。
26、在一个示例中，至少一个导热通路包括第一导热通路和第二导热通路，第一导热通路在暴露于衬底上的第一接口和接地平面之间延伸，第二导热通路在暴露于衬底上的第二接口和接地平面之间延伸。
27、在一个示例中，第一导热通路被配置为将第一接口与接地平面电隔离，并且第二导热通路被配置为将第二接口与接地平面电隔离。
28、在一个示例中，至少一个导热构件包括第一导热构件和第二导热构件，第一导热构件将第一输出耦合到第一接口，并且第二导热构件将第二输出耦合到第二接口。
29、在一个示例中，第一导热通路和第二导热通路包括氮化铝、碳化硅或金刚石中的任一种或由氮化铝、碳化硅或金刚石中的任一种组成。
30、在一个示例中，第一导热通路和第二导热通路包括电绝缘材料或由电绝缘材料组成，所述电绝缘材料在室温下的热导率在铜在室温下的热导率的35％内、或在30％内、或在25％内、或在20％内、或在15％内、或在10％内、或在5％内。
31、在一个示例中，第一导热通路和第二导热通路包括导热电绝缘材料的相应的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分在空间上彼此不同。
32、在一个示例中，导热电绝缘材料的第一部分和第二部分包括氮化铝、碳化硅或金刚石中的任一种或由氮化铝、碳化硅或金刚石中的任一种组成。
33、在一个示例中，第一及第二部分包括电绝缘材料或由电绝缘材料组成，所述电绝缘材料在室温下的热导率在铜在室温下的热导率的35％内、或在30％内、或在25％内、或在20％内、或在15％内、或在10％内、或在5％内。
34、在一个示例中，第一导热通路和第二导热通路包括将第一导热通路和第二导热通路彼此耦合的导热电绝缘材料的共享部分。
35、在一个示例中，导热电绝缘材料的共享部分包括氮化铝、碳化硅或金刚石中的任一种或由氮化铝、碳化硅或金刚石中的任一种组成。
36、在一个示例中，共享部分包括电绝缘材料或由电绝缘材料组成，所述电绝缘材料在室温下的热导率在铜在室温下的热导率的35％内、或在30％内、或在25％内、或在20％内、或在15％内、或在10％内、或在5％内。
37、在一个示例中，第一导热构件和第二导热构件中的任一个或两个包括在相对的第一端和第二端之间延伸的柱，第一端耦合到相应的第一输出或第二输出，并且第二端耦合到相应的第一接口或第二接口。在一个示例中，柱具有从第一端延伸到第二端的均匀横截面。
38、在一个示例中，第一导热构件和第二导热构件中的任一者或两者的形状基本上是球形或椭圆形。
39、在一个示例中，多个第一导热构件将第一输出耦合到第一接口。
40、在一个示例中，多个第二导热构件将第二输出耦合到第二接口。
41、在一个示例中，第一导热构件和第二导热构件中的任一者或两者由铜或焊料形成。
42、在一个示例中，电子组件包括共源共栅功率放大器。
43、在一个本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电子封装，包括：
2.根据权利要求1所述的电子封装，其中，所述导热构件包括在相对的第一端和第二端之间延伸的柱，所述第一端耦合到所述输出，并且所述第二端耦合到所述接口。
3.根据权利要求1所述的电子封装，其中所述导热构件由铜或焊料之一形成，并且所述接口包括金属焊盘。
4.根据权利要求1所述的电子封装，其中所述导热构件包括焊球，所述焊球限定所述输出和所述接口之间的焊接连接。
5.根据权利要求1所述的电子封装，其中所述导热构件的第一端被焊接到所述电子组件，并且所述导热构件的第二端被焊接到所述接口。
6.根据权利要求1所述的电子封装，其中所述导热构件的第一端被焊接到所述电子组件，并且所述导热构件的第二端与所述接口非接合表面接触。
7.根据权利要求1所述的电子封装，其中所述导热构件的第一端与所述输出非接合表面接触，并且所述导热构件的第二端焊接到所述接口。
8.根据权利要求1所述的电子封装，其中所述导热通路包括被囊括在所述衬底内的导热电绝缘材料的至少一部分，所述导热电绝缘材料的所述至少一部分在室温下的
9.根据权利要求8所述的电子封装，其中所述导热通路还包括一个或多个导电部分，并且所述导热电绝缘材料的所述部分耦合到所述一个或多个导电部分，使得所述接口与所述接地平面电隔离。
10.根据权利要求8所述的电子封装，其中所述导热电绝缘材料的所述至少一部分包括氮化铝、碳化硅或金刚石中的任一种或由氮化铝、碳化硅或金刚石中的任一种组成。
11.根据权利要求9所述的电子封装，其中所述一个或多个导电部分包括耦合到一个或多个通孔的一个或多个导电迹线。
12.根据权利要求8所述的电子封装，其中所述导热电绝缘材料的部分抵靠所述接地平面定位。
13.根据权利要求8所述的电子封装，其中所述导热电绝缘材料的所述部分的暴露区域限定所述接口。
14.根据权利要求8所述的电子封装，其中金属层被限定在导热电绝缘材料的所述部分的暴露区域上，所述金属层限定所述接口。
15.根据权利要求1所述的电子组件，其中所述至少一个导热通路包括第一导热通路和第二导热通路，所述第一导热通路在暴露于所述衬底上的第一接口与所述接地平面之间延伸，所述第二导热通路在暴露于所述衬底上的第二接口与所述接地平面之间延伸。
16.根据权利要求15所述的电子组件，其中所述第一导热通路被配置为将所述第一接口与所述接地平面电隔离，并且所述第二导热通路被配置为将所述第二接口与所述接地平面电隔离。
17.根据权利要求15所述的电子组件，其中所述至少一个导热构件包括第一导热构件和第二导热构件，所述第一导热构件将所述第一输出耦合到所述第一接口，并且所述第二导热构件将所述第二输出耦合到所述第二接口。
18.根据权利要求16所述的电子封装，其中所述第一导热通路和所述第二导热通路包括导热电绝缘材料的相应的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分在空间上彼此不同。
19.根据权利要求16所述的电子封装，其中所述第一导热通路和所述第二导热通路包括将所述第一导热通路和所述第二导热通路彼此耦合的导热电绝缘材料的共享部分。
20.一种电子设备，包括：
21.一种用于制造电子封装的方法，所述方法包括：
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述导热构件包括在相对的第一端和第二端之间延伸的柱，并且将所述电子组件安装到所述衬底包含将所述柱的所述第一端耦合到所述输出并且将所述柱的所述第二端耦合到所述接口。
23.根据权利要求21所述的方法，其中所述导热构件的形状基本上为球形或椭圆形。
24.根据权利要求21所述的方法，其中将所述电子组件安装到所述衬底包含利用多个所述导热构件将所述输出热耦合到所述接口。
25.根据权利要求21所述的方法，其中将所述输出热耦合到所述接口包括将所述导热构件焊接到所述接口。
26.根据权利要求21所述的方法，其中所述导热构件包括焊球，并且将所述输出热耦合到所述接口包括加热所述焊球以在所述输出和所述接口之间限定焊接连接。
27.根据权利要求21所述的方法，其中将所述输出热耦合到所述接口包括将所述导热构件的第一端焊接到所述电子组件并且将所述导热构件的第二端焊接到所述接口。
28.根据权利要求21所述的方法，其中将所述输出热耦合到所述接口包括将所述导热构件的第一端焊接到所述电子组件，并且将所述导热构件的第...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电子封装，包括：
2.根据权利要求1所述的电子封装，其中，所述导热构件包括在相对的第一端和第二端之间延伸的柱，所述第一端耦合到所述输出，并且所述第二端耦合到所述接口。
3.根据权利要求1所述的电子封装，其中所述导热构件由铜或焊料之一形成，并且所述接口包括金属焊盘。
4.根据权利要求1所述的电子封装，其中所述导热构件包括焊球，所述焊球限定所述输出和所述接口之间的焊接连接。
5.根据权利要求1所述的电子封装，其中所述导热构件的第一端被焊接到所述电子组件，并且所述导热构件的第二端被焊接到所述接口。
6.根据权利要求1所述的电子封装，其中所述导热构件的第一端被焊接到所述电子组件，并且所述导热构件的第二端与所述接口非接合表面接触。
7.根据权利要求1所述的电子封装，其中所述导热构件的第一端与所述输出非接合表面接触，并且所述导热构件的第二端焊接到所述接口。
8.根据权利要求1所述的电子封装，其中所述导热通路包括被囊括在所述衬底内的导热电绝缘材料的至少一部分，所述导热电绝缘材料的所述至少一部分在室温下的热导率在铜在室温下的热导率的35％、30％、25％、20％、15％、10％或5％之一内。
9.根据权利要求8所述的电子封装，其中所述导热通路还包括一个或多个导电部分，并且所述导热电绝缘材料的所述部分耦合到所述一个或多个导电部分，使得所述接口与所述接地平面电隔离。
10.根据权利要求8所述的电子封装，其中所述导热电绝缘材料的所述至少一部分包括氮化铝、碳化硅或金刚石中的任一种或由氮化铝、碳化硅或金刚石中的任一种组成。
11.根据权利要求9所述的电子封装，其中所述一个或多个导电部分包括耦合到一个或多个通孔的一个或多个导电迹线。
12.根据权利要求8所述的电子封装，其中所述导热电绝缘材料的部分抵靠所述接地平面定位。
13.根据权利要求8所述的电子封装，其中所述导热电绝缘材料的所述部分的暴露区域限定所述接口。
14.根据权利要求8所述的电子封装，其中金属层被限定在导热电绝缘材料的所述部分的暴露区域上，所述金属层限定所述接口。
15.根据权利要求1所述的电子组件，其中所述至少一个导热通路包括第一导热通路和第二导热通路，所述第一导热通路在暴露于所述衬底上的第一接口与所述接地平面之间延伸，所述第二导热通路在暴露于所述衬底上的第二接口与所述接地平面之间延伸。
16.根据权利要求15所述的电子组件，其中所述第一导热通路被配置为将所述第一接口与所述接地平面电隔离，并且所述第二导热通路被配置为将所述第二接口与所述接地平面电隔离。
17.根据权利要求15所述的电子组件，其中所述至少一个导热构件包括第一导热构件和第二导热构件，所述第一导热构件将所述第一输出耦合到所述第一接口，并且所述第二导热构件将所述第二输出耦合到所述第二接口。
18.根据权利要求16所述的电子封装，其中所述第一导热通路和所述第二导热通路包括导热电绝缘材料的相应的第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分在空间上彼此不同。
19.根据权利要求16所述的电子封装，其中所述第一导热通路和所述第二导热通路包括将所述第一导热通路和所述第二导热通路彼此耦合的导热电绝缘材料的共享部分。
20.一种电子设备，包括：
21.一种用于制造电子封装的方法，所述方法包括：
22.根据权利要求21所述的方法，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：B·维贾亚库玛尔，R·F·达尔维奥克斯，L·A·迪奥里奥，
申请(专利权)人：天工方案公司，
类型：发明
国别省市：
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