一种PDP驱动芯片用接口电路制造技术

一种PDP驱动芯片用接口电路，适用于电子领域，采用RSDS接口技术，主要包括P型差分放大器设计、电压源偏置电路设计、N型差放电路设计。电路工作较为稳定，适应性好，结构紧凑，降低了驱动成本，满足RSDS接口标准且降低了功耗。

Interface circuit for PDP drive chip

An interface circuit for PDP driver chip is suitable for the electronic field. The RSDS interface technology is adopted, including the design of P differential amplifier, the design of voltage source bias circuit and the design of N differential circuit. The circuit works stably, has good adaptability, compact structure, reduces the drive cost, meets the RSDS interface standard and reduces power consumption.

【技术实现步骤摘要】
一种PDP驱动芯片用接口电路所属
本专利技术涉及一种PDP驱动芯片用接口电路，适用电子领域。
技术介绍
等离子电视是当今平板电视家族中的重要成员之一。长期以来，由于大屏幕平板显示专利技术和生产技术多掌握在美、日、韩厂商手中，平板电视成为中国彩电制造业的瓶颈。从目前的市场看来，中国虽已成为全球电视机生产的大国之一，但因核心技术受制于人，平均每台平板电视约占70%的成本被外商赚走。在这种严峻的形势下，中国将等离子显示屏技术和产业化列为“十一五”发展的重点。中国在等离子电视产业上的整体思路是:技术引进和自主开发相结合，重点发展42英寸以上PDP（等离子)显示屏、驱动电路及模块；掌握它们的大规模量产技术;建设PDP显示屏及模块生产线，鼓励引导设备和专用材料的开发和产业化。电子线路的成本占了56%。而这电子线路里面PDP行列驱动芯片占了一半以上，所以PDP行列驱动芯片的成本降下来了，那么最终PDP平板电视的成本也就会下降，成本的下降将会有利于PDP电视的普及。RSDS技术对于PDP列驱动芯片来说是一项崭新的技术。随着PDP电视朝大屏高清的方向发展，高速图像信号的可靠性传输就越来越重要。RSDS标准是由LVDS技术标准衍生而来，它有更低的信号摆幅，典型值是±200mV，能实现高速信号的传输；同时RSDS信号采用的是差分平衡传输的方式，相比非平衡的传输模式，能够有效地抑制噪声干扰；另外2mA的交变电流在很小的环路中所产生的电磁泄放也是微乎其微的，所以采用RSDS标准，在抗EMI方面有着显著的优势。终在PDP上显示图像。由于PDP驱动芯片的耐压、电流、功耗等的特殊要求，其设计和制造成本都较高，并且每台大屏幕彩色PDP中需要用40～50片此类芯片，所以PDP驱动芯片的成本和可靠性直接关系到PDP整机的成本和可靠性，因此设计出满足RSDS接口标准的电路结构具有重要的实用意义。
技术实现思路
本专利技术提供一种PDP驱动芯片用接口电路，电路工作较为稳定，适应性好，结构紧凑，降低了驱动成本，满足RSDS接口标准且降低了功耗。本专利技术所采用的技术方案是：RSDS接口电路主要包括P型差分放大器设计、电压源偏置电路设计、N型差放电路。所述P型差分放大器中，InP和InN分别是差分放大器的正相输入端和反相输入端；M1和M2是一对PMOS管构成差分对管；M3与M5.M4与M6以及M7与M8是比例镜像电流源做M1和M2的负载；M7和M8这对电流镜同时起着双端输出转为单端输出的作用，输出端的两级导向器用于输出波形的整形；M9提供差分电路工作所需的直流电流(尾电流)，M10是MOS管电容用于滤除来自电源的杂波信号干扰。所述电压源偏置电路中，M6，M7，Mc,Md都是开关管，当控制信号bias-ctr为低电平时，这四个管子导通，导致输出端Vbias电平被直接拉至Vdd电压，从而使得差分放大器部分不能正常工作，起到了关闭RSDS接收器的作用。M11、M10、M9、Ma、Mb和R1是该偏置电路的土体部分，Rl的大小直接影响输出端的电流和电压大小，C1的作用是隔离输入信号对电源Vdd的干扰；M1,M2和Ma，Mb的栅长栅宽相同，M4,M5和M9,M10的栅长栅宽相同；M3构成MOS管电容，用于滤除来自地的杂波信号干扰；通过增大M1管的栅极宽长比或者减小M4管的栅极宽长比，能够减小输出端Vbias的大小。所述N型差放电路中，Ma,Mb,Mc,Md和Me五只MOS管的作用和“P型差放”中一样，也是用来关闭差分放大器的，它们的栅极控制信号由导向器INV3产生；Mf和Mg两只管子是MOS管电容，用来滤除来自地和电源的杂波干扰；由于“N型差放”对偏置电压没有特殊要求，所以尾电流部分所需的偏置电压就通过三只栅漏短接的MOS管有源电阻对Vdd进行分压得到。本专利技术的有益效果是：电路工作较为稳定，适应性好，结构紧凑，降低了驱动成本，满足RSDS接口标准且降低了功耗。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。图1是本专利技术的P型差分放大器。图2是本专利技术的电源偏置电路。图3是本专利技术的N型差放电路。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明。如图1，P型差分放大器中，InP和InN分别是差分放大器的正相输入端和反相输入端；M1和M2是一对PMOS管构成差分对管；M3与M5.M4与M6以及M7与M8是比例镜像电流源做M1和M2的负载；M7和M8这对电流镜同时起着双端输出转为单端输出的作用，输出端的两级导向器用于输出波形的整形；M9提供差分电路工作所需的直流电流(尾电流)，M10是MOS管电容用于滤除来自电源的杂波信号干扰。如图2，电压源偏置电路中，M6，M7，Mc,Md都是开关管，当控制信号bias-ctr为低电平时，这四个管子导通，导致输出端Vbias电平被直接拉至Vdd电压，从而使得差分放大器部分不能正常工作，起到了关闭RSDS接收器的作用。M11、M10、M9、Ma、Mb和R1是该偏置电路的土体部分，Rl的大小直接影响输出端的电流和电压大小，C1的作用是隔离输入信号对电源Vdd的干扰；M1,M2和Ma.Mb的栅长栅宽相同，M4,M5和M9,M10的栅长栅宽相同；M3构成MOS管电容，用于滤除来自地的杂波信号干扰；通过增大M1管的栅极宽长比或者减小M4管的栅极宽长比，能够减小输出端Vbias的大小。如图3，N型差放电路中，Ma,Mb,Mc,Md和Me五只MOS管的作用和“P型差放”中一样，也是用来关闭差分放大器的，它们的栅极控制信号由导向器INV3产生；Mf和Mg两只管子是MOS管电容，用来滤除来自地和电源的杂波干扰；由于“N型差放”对偏置电压没有特殊要求，所以尾电流部分所需的偏置电压就通过三只栅漏短接的MOS管有源电阻对Vdd进行分压得到。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种PDP驱动芯片用接口电路，其特征是：所述的RSDS接口电路主要包括P型差分放大器设计、电压源偏置电路设计、N型差放电路。

【技术特征摘要】
1.一种PDP驱动芯片用接口电路，其特征是：所述的RSDS接口电路主要包括P型差分放大器设计、电压源偏置电路设计、N型差放电路。2.根据权利要求1所述的一种PDP驱动芯片用接口电路，其特征是：所述P型差分放大器中，M1和M2是一对PMOS管构成差分对管；M3与M5.M4与M6以及M7与M8是比例镜像电流源做M1和M2的负载。3.根据权利要求1所述的一种PDP驱动芯片用接口电路，其特征是：所述的P型差分放大器中，M7和M8这对电流镜同时起着双端输出转为单端输出的作用，输出端的两级导向器用于输出波形的整形。4.根据权利要求1所述的一种PDP驱动芯片用接口电路，其特征是：所述的P型差分放大器中，M9提供差分电路工作所需的直流电流(尾电流)，M10是MOS管电容用于滤除来自电源的杂波信号干扰。5.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩会义，
申请(专利权)人：韩会义，
类型：发明
国别省市：辽宁,21