一种移动终端的双供应偏置电路制造技术

本发明专利技术公开一种移动终端的双供应偏置电路，包括偏置选择电路、高电压基准电流偏置电路、带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路，当偏置选择电路通过PIN引角检测到电池的电压处于较高值时，偏置选择电路将高电压基准电流偏置电路导通，给放大管BJT6提供偏置基准电流，带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路截止；当偏置选择电路通过PIN引角检测到电池的电压处于较低值时，偏置选择电路将带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路导通，给放大管BJT6提供偏置基准电流，高电压基准电流偏置电路截止。本专利降低了电路设计的复杂程度，节省了芯片的面积，降低了制造的成本。

【技术实现步骤摘要】
一种移动终端的双供应偏置电路
本专利技术涉及一种移动终端中的偏置电路。
技术介绍
当前的3GHBT（双极晶体管）功率放大器是使用电池来供给偏置电路，但问题是，当电池电压有一个大的变动时，偏置电路就不能很好的跟随，所以，当电池电压降到比2.9V还低时，偏置电路就不能够正确地工作了。本专利技术就是为了解决偏置电路在低电压的情况下不能够正确地工作这个问题的。在当前的移动终端中，比如手机等，我们要实现手机的通讯功能，我们就必须要有接收端还有发送端，我们信号要在发送端要发送出去，就必须使用天线来发送。我们知道，天线的长度跟信号的波长是要处在同一个数量级上的，但是手机天线长度又是很短的，所以，我们要对信号进行混频操作，使信号的频率达到更高，才能发送出去。为了使信号能在空间中传播的更远，所以我们需要对信号进行放大，所以我们要设计射频功率放大器来对信号进行放大。在功率放大器中，分为两个模块，一个是增益放大部分，一个是偏置电路部分。所谓的偏置电路，即是指为功率放大器提供一个稳定的，不受工艺、电压、温度影响（或影响很小）的偏置电压或电流的电路，偏置电路一旦不能正确地工作，那整个功率放大器就不能实现其功能了。近来，我们有了一个新的需要，那就是在电池断电之前，电池电压可能需要降低至2.3V，在这个点上，如果还是原封不动地用着原本的偏置电路的设计方案，那么，过低的电池电压就会导致偏置电路和功率放大器停止工作。而目前的一个解决方案就是外加一个BICMOS芯片，偏置电压就能转换到2.3V，而且不会影响其功能。BICMOS工艺是指CMOS和双极器件同时集成在同一块芯片上的技术，BICMOS电路既具有CMOS电路高集成度、低功耗的优点，又获得了双极电路高速、强电流驱动能力的优势。就当前的外加一个BICMOS芯片的这种解决方案来说，这意味着我们需要一个Silicon（硅）和HBT（双极晶体管）双芯片解决方案，即需要两个芯片来做一个功率放大器，一个做偏置电路，一个做增益模块，这不仅增加了电路设计的复杂度和难度，这也意味着成本会大大地提高，而本专利技术就是通过设计一个电路来来解决双芯片这个问题的。
技术实现思路
为了解决现有技术存在的不足，本专利技术的目的是提供一种移动终端的双供应偏置电路。该电路降低了电路设计的复杂程度，节省了芯片的面积，降低了制造的成本。为实现上述目的，本专利技术所采用的技术方案是：一种移动终端的双供应偏置电路，包括偏置选择电路、高电压基准电流偏置电路、带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路，当偏置选择电路通过PIN引角检测到电池的电压处于较高值时，偏置选择电路将高电压基准电流偏置电路导通，给放大管BJT6提供偏置基准电流，带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路截止；当偏置选择电路通过PIN引角检测到电池的电压处于较低值时，偏置选择电路将带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路导通，给放大管BJT6提供偏置基准电流，高电压基准电流偏置电路截止。进一步地，所述电压基准电流偏置电路包括场效应晶体管JFET3和电阻R1，带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路包括低压差线性稳压器、场效应晶体管JFET4和电阻R2，低压差线性稳压器、场效应晶体管JFET4和电阻R2依次串接后与串接的场效应晶体管JFET3和电阻R1并联。进一步地，还包括晶体管BJT1、场效应晶体管JFET5和场效应晶体管JFET6和电感L1，晶体管BJT1和所述的放大管BJT6形成了一个电流镜，使流过晶体管BJT1的电流会等于流过放大管BJT6的电流；所述的场效应晶体管JFET5和场效应晶体管JFET6，用以给晶体管BJT1和所述的放大管BJT6提供基极的电压；所述晶体管BJT1的基极通过电感L1与放大管BJT6的基极连接。本专利技术的有益效果：这个方案通过设计一个电路，使到功率放大器通过Pin脚来检测电压而选择不同的偏置电路，所以只需要使用一个芯片就可以完成之前方案两个芯片才能完成的功能，降低了电路设计的复杂程度；另外，低压差线性稳压器电压是移动终端内本来就有的，并且用在射频芯片中的，并不需要在另外的设计出一个低压差线性稳压器电压，故节省了芯片的面积，降低了制造的成本。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明：图1为本专利技术的电路框图；图2为本专利技术的电原理图。具体实施方式如图1所示，一种包括偏置选择电路、高电压基准电流偏置电路、带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路，当偏置选择电路通过PIN引角检测到电池的电压处于较高值时，偏置选择电路将高电压基准电流偏置电路导通，给放大管BJT6提供偏置基准电流，带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路截止；当偏置选择电路通过PIN引角检测到电池的电压处于较低值时，偏置选择电路将带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路导通，给放大管BJT6提供偏置基准电流，高电压基准电流偏置电路截止。如图2所示，所述电压基准电流偏置电路包括场效应晶体管JFET3和电阻R1，带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路包括低压差线性稳压器、场效应晶体管JFET4和电阻R2，低压差线性稳压器、场效应晶体管JFET4和电阻R2依次串接后与串接的场效应晶体管JFET3和电阻R1并联。还包括晶体管BJT1、场效应晶体管JFET5和场效应晶体管JFET6和电感L1，晶体管BJT1和所述的放大管BJT6形成了一个电流镜，使流过晶体管BJT1的电流会等于流过放大管BJT6的电流；所述的场效应晶体管JFET5和场效应晶体管JFET6，用以给晶体管BJT1和所述的放大管BJT6提供基极的电压；所述晶体管BJT1的基极通过电感L1与放大管BJT6的基极连接。所述偏置选择电路由晶体管BJT2，晶体管BJT4，晶体管BJT5，电阻R3，电阻R4，电阻R5，电阻R6组成，用以实现对电压的检测选择的功能。使用了PIN脚来检测从电路传来的电压，如果电压处于一个较高的值的时候，即检测到Vext为一个比较大的值时，电压通过电阻R6传至晶体管BJT5的基极，使到晶体管BJT5导通，进而使晶体管BJT4导通。晶体管BJT4的导通会把Vlow拉低至地电压，所以场效应晶体管JFET3截止了，场效应晶体管JFET3所在支路不会产生一个基准电流。此时，BJT2的基极电压为零，所以晶体管BJT2截止了，而Vhigh就会等于Vbias，则场效应晶体管JFET4导通，场效应晶体管JTET4就会根据Vhigh的值来产生一个基准偏置电流，电流流经BJT1，再通过晶体管BJT1镜像到放大管BJT6，从而实现了给放大管BJT6提供偏置电流的功能，使放大管BJT6工作在一个稳定的工作点上。如果电压处于一个较低的值的时候，即检测到Vext为一个比较小的值时，电压通过R6传至晶体管BJT5的基极，由于电压比较小，所以使到晶体管BJT5截止，导致了晶体管BJT4的基极没有电压，所以晶体管BJT4也截止了。晶体管BJT4的截止会使Vlow在Vbias的作用下处在一个比较高的点位上，Vlow的电压通过R5传至晶体管BJT2的基极，使晶体管BJT2导通，晶体管BJT2的导通又会把Vhigh拉低至地电位，所以场效应晶体管JFET4截止了，场效应晶体管JFET4所在支路就不会产生一个基准电流。由于Vlow处在一个比较高的电位上，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移动终端的双供应偏置电路，其特征在于：包括偏置选择电路、高电压基准电流偏置电路、带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路，当偏置选择电路通过PIN引角检测到电池的电压处于较高值时，偏置选择电路将高电压基准电流偏置电路导通，给放大管BJT6提供偏置基准电流，带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路截止；当偏置选择电路通过PIN引角检测到电池的电压处于较低值时，偏置选择电路将带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路导通，给放大管BJT6提供偏置基准电流，高电压基准电流偏置电路截止。

【技术特征摘要】
1.一种移动终端的双供应偏置电路，其特征在于：包括偏置选择电路、高电压基准电流偏置电路、带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路，当偏置选择电路通过PIN引角检测到电池的电压处于较高值时，偏置选择电路将高电压基准电流偏置电路导通，给放大管BJT6提供偏置基准电流，带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路截止；当偏置选择电路通过PIN引角检测到电池的电压处于较低值时，偏置选择电路将带有低压差线性稳压器的基准电流偏置电路导通，给放大管BJT6提供偏置基准电流，高电压基准电流偏置电路截止；所述高电压基准电流偏置电路包括场效应晶体管JFET3和电阻R1，带有低压差...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱晓锐，章国豪，陈锦涛，区力翔，余凯，林俊明，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东;44