【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种变频器,尤其涉及一种太赫兹频段的三倍频器。
技术介绍
传统微波频段倍频器电路设计中,半导体器件封装寄生参数对电路性能的影响并不明显。但是在太赫兹频段,半导体器件封装产生的寄生参数对电路性能影响很大。需要加强对半导体器件封装寄生参数分析和对半导体器件封装三维电磁模型构建的手段和方法的研究,从而实现太赫兹三倍频器的精确设计,微带线是微波、毫米波系统常用的平面电路形式,随着频率上升至太赫兹,微带线的传输损耗显著增加,色散效应也明显增强,传统的微带线已不能满足太赫兹电路的设计要求,与传统的微带线相比,由微带线改进而成的悬置微带线具有较小的传输损耗、较弱的色散效应和较高的Q值,因此,悬置微带线常被应用于太赫兹倍频器、混频器等电路的设计中。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种太赫兹频段的三倍频器,由于传统的太赫兹倍频器变频损耗大,使用寿命比较短。本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种太赫兹频段的三倍频器,该三倍频器包括:输入信号端A、低通滤波器B、阻抗匹配电路C、至少2个二极管D、直流偏置电路E、阻抗匹配电路F、输出信号端G;至少2个二极管D相互串联;输入信号端A为输入端,输入信号端A连接低通滤波器B,低通滤波器B连接阻抗匹配电路C的输入端,阻抗匹配电路C的输出端连接在相互串联的相邻两个二极管D之间,阻抗匹配电路C的输出端同时与阻抗匹配电路F的输入端连接,阻抗匹配电路F的输出端与输出信号端G连接;相互串联的二极管D一端接地,在接地与二极管D之间连接直流偏置电路E,接地与连接直流偏置电路E之间还串联一个电容,相互串联的二极管D的 ...
【技术保护点】
一种太赫兹频段的三倍频器,其特征在于,该三倍频器包括:输入信号端A、低通滤波器B、阻抗匹配电路C、至少2个二极管D、直流偏置电路E、阻抗匹配电路F、输出信号端G;至少2个二极管D相互串联;输入信号端A为输入端,输入信号端A连接低通滤波器B,低通滤波器B连接阻抗匹配电路C的输入端,阻抗匹配电路C的输出端连接在相互串联的相邻两个二极管D之间,阻抗匹配电路C的输出端同时与阻抗匹配电路F的输入端连接,阻抗匹配电路F的输出端与输出信号端G连接;相互串联的二极管D一端接地,在接地与二极管D之间连接直流偏置电路E,接地与连接直流偏置电路E之间还串联一个电容,相互串联的二极管D的另一端也接地。
【技术特征摘要】
1.一种太赫兹频段的三倍频器,其特征在于,该三倍频器包括:输入信号端A、低通滤波器B、阻抗匹配电路C、至少2个二极管D、直流偏置电路E、阻抗匹配电路F、输出信号端G;至少2个二极管D相互串联;输入信号端A为输入端,输入信号端A连接低通滤波器B,低通滤波器B连接阻抗匹配电路C的输入端,阻抗匹配电路C的输出端连接在相互串联的相邻两个二极管D之间,阻抗匹配电路C的输出端同时与阻抗匹配电路F的输入端连接,阻抗匹配电路F的输出端与输出信号端G连接;相互串联的二极管D一端接地,在接地与二极管D之间连接直流偏置电路E,接地与连接直流偏置电路E之间还串联一个电容,相互串联的二极管D的另一端也接地...
【专利技术属性】
技术研发人员:明宇,纪建华,田建伟,
申请(专利权)人:北京无线电测量研究所,
类型:发明
国别省市:北京;11
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