一种低噪音倍频器制造技术

本发明专利技术公开了一种低噪音倍频器，其特征在于，主要由处理芯片U，与处理芯片U相连接的谐波消除电路，一端与处理芯片U的VDD管脚相连接、另一端则接5V电源的电阻R5，一端与处理芯片U的VSS管脚相连接、另一端接电源的电阻R6，正极与处理芯片U的RC管脚相连接、负极经电阻R8后与处理芯片U的R管脚相连接的电容C3，一端与处理芯片U的C管脚相连接、另一端则与电容C3的负极相连接的电阻R7，以及与处理芯片U的Q管脚相连接的输出放大电路组成。本发明专利技术可以减少信号频率在变换过程产生的谐波，使输出的信号更加稳定，从而降低了输出信号的倍频噪声。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种倍频器，具体是指一种低噪音倍频器。
技术介绍
随着电子技术的不断发展，倍频器应用越来越广泛，如发射机采用倍频器后可使主振器振荡在较低频率，以提高频率稳定度；调频设备用倍频器来增大频率偏移；在相位键控通信机中，倍频器是载波恢复电路的一个重要组成单元。由此可见，倍频器在工业生产的过程中起到重要的作用。然而目前使用的倍频器因产生大量谐波使输出信号相位不稳定，从而使倍频器噪音过大。并且，倍频次数越高倍频噪声就越大，使倍频器的应用受到限制，尤其是在要求倍频噪声较小的设备中则无法使用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前的倍频器噪音过大的缺陷，提供一种低噪音倍频器。本专利技术的目的用以下技术方案实现：一种低噪音倍频器，主要由处理芯片U，与处理芯片U相连接的谐波消除电路，一端与处理芯片U的VDD管脚相连接、另一端则接5V电源的电阻R5，一端与处理芯片U的VSS管脚相连接、另一端接电源的电阻R6，正极与处理芯片U的RC管脚相连接、负极经电阻R8后与处理芯片U的R管脚相连接的电容C3，一端与处理芯片U的C管脚相连接、另一端则与电容C3的负极相连接的电阻R7，以及与处理芯片U的Q管脚相连接的输出放大电路组成。进一步的，所述谐波消除电路由三极管VT1，三极管VT2，负极与三极管VT1的发射极相连接、正极接地的电容C1，串接在三极管VT1的集电极和三极管VT2的基极之间的电阻R1，N极与处理芯片U的+TR管脚相连接、P极经电阻R2后与三极管VT1的集电极相连接的二极管D2，串接在三极管VT2的集电极和处理芯片U的+TR管脚之间的电阻R3，N极与处理芯片U的-TR管脚相连接、P极经电阻R4
后与三极管VT2的发射极相连接的二极管D3，N极与三极管VT2的发射极相连接、P极则与二极管D3的P极相连接的二极管D1，以及正极与二极管D1的P极相连接、负极则与二极管D2的N极相连接的电容C2组成；所述三极管VT1的基极作为该谐波消除电路的输入端。所述输出放大电路由放大器P，三极管VT3，P极与处理芯片U的Q管脚相连接、N极则与三极管VT3的基极相连接的二极管D4，串接在放大器P的正极和输出端之间的电阻R9，N极与放大器P的输出端相连接、P极则与三极管VT3的集电极相连接的二极管D5，以及正极与放大器P的输出端相连接、负极则作为该输出放大电路的输出端的电容C4组成；所述三极管VT3的集电极接地、其发射极则与放大器P的负极相连接。所述处理芯片U为CD4047集成芯片。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：(1)本专利技术可以减少信号频率在变换过程产生的谐波，使输出的信号更加稳定，从而降低了输出信号的倍频噪声。(2)本专利技术采用CD4047集成芯片作为处理芯片，使本专利技术更加节能。附图说明图1为本专利技术的整体结构示意图。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例如图1所示，本专利技术主要由处理芯片U，与处理芯片U相连接的谐波消除电路，一端与处理芯片U的VDD管脚相连接、另一端则接5V电源的电阻R5，一端与处理芯片U的VSS管脚相连接、另一端接电源的电阻R6，正极与处理芯片U的RC管脚相连接、负极经电阻R8后与处理芯片U的R管脚相连接的电容C3，一端与处理芯片U的C管脚相连接、另一端则与电容C3的负极相连接的电阻R7，以及与处理芯片U的Q管脚相连接的输出放大电路组成。为了更好的实施本专利技术，所
述处理芯片U优选CD4047集成芯片来实现。其中，该谐波消除电路由三极管VT1，三极管VT2，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电容C1，电容C2，二极管D1，二极管D2以及二极管D3组成。连接时，电容C1的负极与三极管VT1的发射极相连接、其正极接地。电阻R1串接在三极管VT1的集电极和三极管VT2的基极之间。二极管D2的N极与处理芯片U的+TR管脚相连接、其P极经电阻R2后与三极管VT1的集电极相连接。电阻R3串接在三极管VT2的集电极和处理芯片U的+TR管脚之间。二极管D3的N极与处理芯片U的-TR管脚相连接、其P极经电阻R4后与三极管VT2的发射极相连接。二极管D1的N极与三极管VT2的发射极相连接、其P极则与二极管D3的P极相连接。电容C2的正极与二极管D1的P极相连接、其负极则与二极管D2的N极相连接。所述三极管VT1的基极作为该谐波消除电路的输入端并接外部信号输出设备。另外，所述输出放大电路由放大器P，三极管VT3，电阻R9，二极管D4，二极管D5以及电容C4组成。该二极管D4的P极与处理芯片U的Q管脚相连接、其N极则与三极管VT3的基极相连接。电阻R9串接在放大器P的正极和输出端之间。二极管D5的N极与放大器P的输出端相连接、其P极则与三极管VT3的集电极相连接。电容C4的正极与放大器P的输出端相连接、其负极则作为该输出放大电路的输出端。所述三极管VT3的集电极接地、其发射极则与放大器P的负极相连接。本专利技术可以减少信号频率在变换过程产生的谐波，使输出的信号更加稳定，从而降低了输出信号的倍频噪声。如上所述，便可很好的实现本专利技术。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低噪音倍频器，其特征在于，主要由处理芯片U，与处理芯片U相连接的谐波消除电路，一端与处理芯片U的VDD管脚相连接、另一端则接5V电源的电阻R5，一端与处理芯片U的VSS管脚相连接、另一端接电源的电阻R6，正极与处理芯片U的RC管脚相连接、负极经电阻R8后与处理芯片U的R管脚相连接的电容C3，一端与处理芯片U的C管脚相连接、另一端则与电容C3的负极相连接的电阻R7，以及与处理芯片U的Q管脚相连接的输出放大电路组成。

【技术特征摘要】
1.一种低噪音倍频器，其特征在于，主要由处理芯片U，与处理芯片U相连接的谐波消除电路，一端与处理芯片U的VDD管脚相连接、另一端则接5V电源的电阻R5，一端与处理芯片U的VSS管脚相连接、另一端接电源的电阻R6，正极与处理芯片U的RC管脚相连接、负极经电阻R8后与处理芯片U的R管脚相连接的电容C3，一端与处理芯片U的C管脚相连接、另一端则与电容C3的负极相连接的电阻R7，以及与处理芯片U的Q管脚相连接的输出放大电路组成。2.根据权利要求1所述的一种低噪音倍频器，其特征在于：所述谐波消除电路由三极管VT1，三极管VT2，负极与三极管VT1的发射极相连接、正极接地的电容C1，串接在三极管VT1的集电极和三极管VT2的基极之间的电阻R1，N极与处理芯片U的+TR管脚相连接、P极经电阻R2后与三极管VT1的集电极相连接的二极管D2，串接在三极管VT2的集电极和处理芯片U的+TR管脚之间的电阻R3，N极与处理芯片U的...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤福琼，
申请(专利权)人：成都卡诺源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51