半导体封装制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体封装，包括衬底、管芯、绝缘管芯贴装薄膜、仿真管芯、传导层和导电模塑料或密封剂。衬底的第一表面包括多个内部引线，并且衬底的第二表面包括多个外部导电焊盘和导电接地端子。非传导线上流动管芯贴装薄膜被放置以围绕并且包住管芯。仿真管芯覆在管芯上面，并且传导层覆在仿真管芯上面。导电模塑料被形成以包住半导体器件的各种组件。导电模塑料被电气耦合到导电接地端子和传导层，从而形成用于封装中的管芯的EMI屏蔽。

Semiconductor packaging

The utility model relates to a semiconductor package, which includes a substrate, a tube core, an insulating tube core mounting film, a simulation tube core, a conducting layer, a conductive mold plastic or a sealant. The first surface of the substrate includes a plurality of internal leads, and the second surface of the substrate comprises a plurality of external conductive pads and conductive grounding terminals. On the non conducting wire, the film is placed around the core and wrapped around the tube core. The simulation tube core is covered on the core and the conductive layer is covered on the simulation core. Conductive molding compounds are formed to encase various components of semiconductor devices. The conductive molding compound is electrically coupled to the conductive grounding terminal and the conductive layer, thereby forming a EMI shield for the core of the package.

【技术实现步骤摘要】
半导体封装
本技术涉及一种具有衬底、线上流动管芯贴装薄膜、仿真半导体管芯上的传导层和覆在衬底上的传导模塑料的半导体封装。
技术介绍
随着消费者对更薄的封装的需求的增加，制造商面临形成足够薄以在电子设备内运行的封装的重大挑战。此外，随着更灵敏的电气组件和连接被添加到半导体封装和电子设备，制造商面临减少暴露于来自单个电子设备中的电气组件或来自外部环境的电磁干扰(EMI)的重大挑战。半导体封装常常包括半导体管芯、电气连接和需要被保护以防EMI的电气组件。例如，封装可以包括非传导模塑料或非传导密封剂来保护单个分立单元中的封装的元件。封装然后被涂敷有传导材料以形成EMI保护涂层。其他半导体封装可以包括非传导球状顶幕(globtopdrop)材料，其被形成在半导体管芯、电气连接和电气组件上。非传导球状顶幕材料然后由传导模塑料或传导密封剂覆盖以使半导体管芯免受EMI影响。以上成形技术被用于形成具有EMI保护的封装，以使封装内的半导体管芯和电气连接/组件免受电子设备内的EMI或外部环境影响。遗憾的是，通过将传导模塑料覆在顶部封装水滴材料上形成EMI保护的封装导致更大、更厚的封装。也存在其他困难。第一，当形成EMI保护涂层时，利用导电材料涂敷封装可能引起不期望的电气连接。第二，当利用导电材料涂敷封装的整个外部时，封装的各部分可能未被覆盖，这减少了EMI保护的有效性。第三，球状顶幕材料可能未完全覆盖基本电气连接。
技术实现思路
因此，本技术旨在解决上述提及的技术问题。本技术提供具有通过利用非导电和导电材料的组合制造的EMI屏蔽的半导体封装。更特别地，非导电材料包住封装的电气组件，诸如管芯、接触焊盘、电气连接、导线等，并且导电材料覆盖非导电材料以使封装的电气组件免受EMI影响。导电材料被接地，以将任何EMI电荷短路到接地，而没有到达电气组件。根据一个实施例，形成具有衬底、管芯、覆在管芯上的管芯贴装薄膜和覆在管芯贴装薄膜上的导电模塑料。在该实施例中，多个引线在衬底的第一面上，并且多个传导焊盘和导电接地端子在衬底的第二面上。导电接地端子和多个传导焊盘中的传导焊盘被电气连接到多个引线中的相应引线。管芯被贴装到衬底的第二面，并且导线被形成以将管芯耦合到多个传导焊盘中的相应传导焊盘。管芯贴装薄膜可以是被放置到衬底上的固体上的形式。在一个实施例中，管芯贴装薄膜主体包括：仿真管芯，在其正表面上具有导电层；和第一管芯贴装薄膜，其是非传导材料。管芯贴装薄膜主体的第一管芯贴装薄膜围绕多个导线并且包住管芯和传导焊盘。此外，仿真管芯覆在第一管芯贴装薄膜、管芯、导线和多个传导焊盘上面。传导层覆在仿真管芯上面。导电模塑料被形成以包住管芯贴装薄膜主体和导电接地端子。导电模塑料与接地端子和仿真管芯上的传导层电气接触。导电模塑料、仿真管芯的导电层与导电接地端子之间的电气接触将封装的外层的整个上部接地。导电模塑料和仿真管芯的导电层的这种接地形成EMI屏蔽。该EMI屏蔽将管芯与任何外部EMI电气隔离。这种EMI屏蔽具有以下附加益处：如果EMI足够强使得其穿过导电模塑料，那么仿真管芯的传导层充当提供附加保护以使任何外部EMI耗散的另一EMI屏蔽。在一个实施例中，封装包括衬底、管芯、管芯贴装薄膜主体和导电模塑料。管芯贴装薄膜主体包括第一管芯贴装薄膜、非传导层和传导层。在一个备选方案中，传导层暴露于外部环境，而在另一备选实施例中，传导层由导电模塑料覆盖。本技术提供了一种半导体封装，包括：衬底，其具有第一面和第二面；多个引线，其在所述衬底的所述第一面上；导电接地端子，其在所述衬底的所述第二面上，所述导电接地端子电连接到所述多个引线中的相应引线；多个传导焊盘，其在所述衬底的所述第二面上；管芯，其耦合到所述衬底的所述第二面；多个导线，每个导线具有耦合到所述管芯的第一端和耦合到所述多个传导焊盘中的相应传导焊盘的第二端；第一管芯贴装薄膜，其覆在所述管芯、所述多个传导焊盘和所述多个导线上面，所述第一管芯贴装薄膜围绕所述多个导线并且包住所述管芯和所述传导焊盘，所述第一管芯贴装薄膜耦合到所述衬底；电隔离层，其覆在所述第一管芯贴装薄膜上面；传导层，其与所述电隔离层直接接触并且覆在所述电隔离层上面；以及导电模塑料，其覆在所述衬底、所述导电接地端子、所述第一管芯贴装薄膜、所述管芯、所述电隔离层和所述传导层上面，所述导电模塑料将所述导电接地端子耦合到所述传导层。在一个实施例中，所述半导体封装还包括：多个焊球，每个焊球耦合到所述多个引线中的相应引线。在一个实施例中，所述电隔离层是仿真管芯。在一个实施例中，所述仿真管芯是无掺杂仿真半导体管芯。在一个实施例中，所述衬底的所述第二面上的所述多个传导焊盘中的每个传导焊盘电耦合到所述衬底的所述第一面上的所述多个引线中的相应引线。在一个实施例中，所述半导体封装还包括：第二管芯贴装薄膜，其将所述管芯耦合到所述衬底的所述第二面。在一个实施例中，覆在所述第一管芯贴装薄膜上面的所述电隔离层是硅材料。在一个实施例中，与所述电隔离层直接接触并且覆在所述电隔离层上面的所述传导层是导电材料。在一个实施例中，所述导电材料是沉积在所述电隔离层上的铝材料。在一个实施例中，所述第一管芯贴装薄膜是非导电材料和线上流动管芯贴装薄膜。本技术还提供了一种半导体封装，包括：衬底，其具有管芯贴装表面和非管芯贴装表面；多个引线，其在所述衬底的所述非管芯贴装表面上；导电接地端子，其在所述衬底的所述管芯贴装表面上，所述导电接地端子电连接到所述多个引线的相应引线；多个导电焊盘，其在所述衬底的所述管芯贴装表面上；管芯，其通过管芯贴装薄膜耦合到所述衬底的所述管芯贴装表面；多个导线结合互连，每个导线结合互连具有耦合到所述管芯的第一端和耦合到所述多个导电焊盘中的相应导电焊盘的第二端；非传导管芯贴装薄膜，其覆在所述衬底、所述管芯、所述多个导电焊盘和所述多个导线结合互连上面，所述非传导管芯贴装薄膜耦合到所述衬底，所述非传导管芯贴装薄膜围绕所述多个导线结合互连并且包住所述管芯和所述多个导电焊盘；非传导层，其覆在所述非传导管芯贴装薄膜上面；以及导电密封剂，其覆在所述衬底和所述导电接地端子上面，所述导电密封剂覆盖所述非传导管芯贴装薄膜、所述非传导层和所述导电接地端子的侧面。在一个实施例中，所述半导体封装还包括电磁干扰屏蔽层，其覆在所述非传导层上面并且与所述非传导层直接物理接触。在一个实施例中，所述导电密封剂覆在所述非传导管芯贴装薄膜、所述管芯、所述非传导层和所述电磁干扰屏蔽层上面。在一个实施例中，所述电磁干扰屏蔽层是耦合到所述非传导层和所述导电密封剂的导电材料。在一个实施例中，沉积在所述非传导层上的所述导电材料是铝材料。在一个实施例中，所述电磁干扰屏蔽层是裸露的，是导电材料，并且耦合到所述非传导层和所述导电密封剂。在一个实施例中，所述导电密封剂耦合到所述衬底。在一个实施例中，所述半导体封装还包括多个焊球，每个焊球耦合到所述多个引线中的相应引线。在一个实施例中，所述非传导层是仿真无掺杂半导体管芯。因此，本技术提供了可靠的EIM保护，其减少了封装的大小、减少了制造成本并且增加了来自每个制造批量的可行封装和半导体管芯的总百分比。附图说明在附图中，除非上下文另外指明，否则相同附图标记标本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，其特征在于包括：衬底，其具有第一面和第二面；多个引线，其在所述衬底的所述第一面上；导电接地端子，其在所述衬底的所述第二面上，所述导电接地端子电连接到所述多个引线中的相应引线；多个传导焊盘，其在所述衬底的所述第二面上；管芯，其耦合到所述衬底的所述第二面；多个导线，每个导线具有耦合到所述管芯的第一端和耦合到所述多个传导焊盘中的相应传导焊盘的第二端；第一管芯贴装薄膜，其覆在所述管芯、所述多个传导焊盘和所述多个导线上面，所述第一管芯贴装薄膜围绕所述多个导线并且包住所述管芯和所述传导焊盘，所述第一管芯贴装薄膜耦合到所述衬底；电隔离层，其覆在所述第一管芯贴装薄膜上面；传导层，其与所述电隔离层直接接触并且覆在所述电隔离层上面；以及导电模塑料，其覆在所述衬底、所述导电接地端子、所述第一管芯贴装薄膜、所述管芯、所述电隔离层和所述传导层上面，所述导电模塑料将所述导电接地端子耦合到所述传导层。

【技术特征摘要】
2017.03.30 US 15/474,9041.一种半导体封装，其特征在于包括：衬底，其具有第一面和第二面；多个引线，其在所述衬底的所述第一面上；导电接地端子，其在所述衬底的所述第二面上，所述导电接地端子电连接到所述多个引线中的相应引线；多个传导焊盘，其在所述衬底的所述第二面上；管芯，其耦合到所述衬底的所述第二面；多个导线，每个导线具有耦合到所述管芯的第一端和耦合到所述多个传导焊盘中的相应传导焊盘的第二端；第一管芯贴装薄膜，其覆在所述管芯、所述多个传导焊盘和所述多个导线上面，所述第一管芯贴装薄膜围绕所述多个导线并且包住所述管芯和所述传导焊盘，所述第一管芯贴装薄膜耦合到所述衬底；电隔离层，其覆在所述第一管芯贴装薄膜上面；传导层，其与所述电隔离层直接接触并且覆在所述电隔离层上面；以及导电模塑料，其覆在所述衬底、所述导电接地端子、所述第一管芯贴装薄膜、所述管芯、所述电隔离层和所述传导层上面，所述导电模塑料将所述导电接地端子耦合到所述传导层。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于还包括：多个焊球，每个焊球耦合到所述多个引线中的相应引线。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于所述电隔离层是仿真管芯。4.根据权利要求3所述的半导体封装，其特征在于所述仿真管芯是无掺杂仿真半导体管芯。5.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于所述衬底的所述第二面上的所述多个传导焊盘中的每个传导焊盘电耦合到所述衬底的所述第一面上的所述多个引线中的相应引线。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于还包括：第二管芯贴装薄膜，其将所述管芯耦合到所述衬底的所述第二面。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于覆在所述第一管芯贴装薄膜上面的所述电隔离层是硅材料。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其特征在于与所述电隔离层直接接触并且覆在所述电隔离层上面的所述传导层是导电材料。9.根据权利要求8所述的半导体封装，其特征在于所述导电材料是沉积在所述电隔离层上的铝材料。10.根据权利要求1所述的半导体封装，...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·卡达格，R·罗德里奎兹，E·M·卡达格，
申请(专利权)人：意法半导体公司，
类型：新型
国别省市：菲律宾,PH