电子零件、电子零件的制造装置及电子零件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种形成于封装体上的磁性体的电磁波屏蔽膜可获得良好的屏蔽特性的电子零件、电子零件的制造装置及电子零件的制造方法。一种电子零件(10)，其在将元件(11)密封的封装体(12)的顶面形成有电磁波屏蔽膜(13)，且封装体(12)的顶面中的电磁波屏蔽膜(13)的膜厚为0.5μm～9μm，封装体(12)的顶面的粗糙度曲线要素的平均高度(Rc)与电磁波屏蔽膜(13)的膜厚(Te)的关系为Rc≤2Te。

【技术实现步骤摘要】
电子零件、电子零件的制造装置及电子零件的制造方法
本专利技术涉及一种电子零件、电子零件的制造装置及电子零件的制造方法。
技术介绍
在以移动电话为代表的无线通信设备中搭载着许多作为电子零件的半导体装置。为了防止对通信特性的影响，要求半导体装置抑制电磁波向外部泄漏等电磁波对内外的影响。因此，使用具有对电磁波的屏蔽功能的半导体装置。一般来说，半导体装置通过以下方式形成：将半导体芯片搭载于作为相对于安装基板的中继用的基板的插入基板的上方，并利用树脂将所述半导体芯片密封。已开发出通过将导电性的电磁波屏蔽膜设置于所述密封树脂的上表面及侧面来赋予屏蔽功能的半导体装置(参照专利文献1)。这种电磁波屏蔽膜可设为多种金属材料的层叠膜。例如，已知有形成不锈钢(SUS)膜后在其上方形成Cu膜，进而在所述Cu膜上方形成SUS膜的层叠结构的电磁波屏蔽膜。在电磁波屏蔽膜中，为了获得充分的屏蔽效果，需要降低电阻率。因此，对电磁波屏蔽膜要求某种程度的厚度。在半导体装置中，一般来说，只要有1μm～10μm左右的膜厚，则可获得良好的屏蔽特性。已知在所述SUS、Cu、SUS的层叠结构的电磁波屏蔽膜中只要有1μm～5μm左右本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子零件，其在将元件密封的封装体的顶面形成有电磁波屏蔽膜，且所述电子零件的特征在于：所述封装体的顶面中的所述电磁波屏蔽膜的膜厚Te为0.5μm～9μm，所述封装体的顶面的粗糙度曲线要素的平均高度Rc与所述电磁波屏蔽膜的膜厚Te的关系为Rc≤2Te。

【技术特征摘要】
2016.10.13 JP 2016-2015211.一种电子零件，其在将元件密封的封装体的顶面形成有电磁波屏蔽膜，且所述电子零件的特征在于：所述封装体的顶面中的所述电磁波屏蔽膜的膜厚Te为0.5μm～9μm，所述封装体的顶面的粗糙度曲线要素的平均高度Rc与所述电磁波屏蔽膜的膜厚Te的关系为Rc≤2Te。2.根据权利要求1所述的电子零件，其特征在于：所述封装体的顶面的粗糙度曲线要素的平均高度Rc为5μm以下。3.一种电子零件的制造装置，其为根据权利要求1所述的电子零件的制造装置，且所述电子零件的制造装置的特征在于具有：研磨装置，对利用密封材将多个元件密封的密封体的顶面进行研磨；分离装置，通过切断所述密封体，使其分离为由密封材的封装体将各元件密封的各个电子零件；及成膜装置，在所述各个电子零件的封装体的外表面通过溅射来形成所述电磁波屏蔽膜。4.根据权利要求3所述的电子零件的制造装置，其特征在于：所述成膜装置具有：腔室，即为导入溅射气体的容器；搬运部，设置于...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤昭彦，加茂克尚，松中繁树，藤田笃史，
申请(专利权)人：芝浦机械电子装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP