半导体封装装置及其制造方法制造方法及图纸

一种半导体封装装置，其包含衬底、无源组件、有源组件和封装主体。所述无源组件安置在所述衬底上。所述有源组件安置在所述衬底上。所述封装主体安置在所述衬底上。所述封装主体包含覆盖所述有源组件和所述无源组件的第一部分以及覆盖所述无源组件的第二部分。所述封装主体的所述第二部分的顶部表面高于所述封装主体的所述第一部分的顶部表面。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置及其制造方法
本专利技术涉及半导体封装装置及其制造方法，且更确切地说涉及包含屏蔽层的半导体封装装置及其制造方法。
技术介绍
在至少部分地由针对增强处理速度和较小尺寸的需求的驱动下，半导体装置已变得越来越复杂。增强处理速度倾向于涉及更高的时钟速度，这可以涉及信号电平之间的更频繁的转换，这继而可以引起在较高频率或较短波长处的较高电平的电磁发射。电磁发射可从源半导体装置中辐射，并且可入射到邻近半导体装置上。如果邻近半导体装置处的电磁发射的电平足够高，那么这些发射可不利地影响邻近半导体装置的操作。此现象有时被称作电磁干扰(EMI)。较小尺寸的半导体装置可通过在总电子系统内提供较高密度的半导体装置且因此提供邻近半导体装置处的较高电平的不希望的电磁发射而加重EMI。减少EMI的一种方式是屏蔽半导体封装装置内的一组半导体装置。具体地说，屏蔽可通过包含电接地且紧固到封装外部的导电壳体或外壳实现。当来自封装内部的电磁发射撞击壳体的内表面时，这些发射的至少一部分可以电短路，由此降低可以通过壳体且不利地影响邻近半导体装置的发射的电平。类似地，当来自邻近半导体装置的电磁发射撞击壳体的外表面时，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装装置，其包括：衬底；无源组件，其安置在所述衬底上；有源组件，其安置在所述衬底上；以及封装主体，其安置在所述衬底上，所述封装主体包括覆盖所述有源组件和所述无源组件的第一部分和覆盖所述无源组件的第二部分，其中所述封装主体的所述第二部分的顶部表面高于所述封装主体的所述第一部分的顶部表面。

【技术特征摘要】
2016.10.24 US 15/333,0081.一种半导体封装装置，其包括：衬底；无源组件，其安置在所述衬底上；有源组件，其安置在所述衬底上；以及封装主体，其安置在所述衬底上，所述封装主体包括覆盖所述有源组件和所述无源组件的第一部分和覆盖所述无源组件的第二部分，其中所述封装主体的所述第二部分的顶部表面高于所述封装主体的所述第一部分的顶部表面。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其进一步包括安置在所述封装主体上的导电层。3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述封装主体的所述第一部分的所述顶部表面与所述有源组件的背侧表面对齐。4.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述封装主体的所述第一部分的所述顶部表面与所述无源组件的背侧表面对齐。5.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述封装主体的所述第二部分包括固化的感光材料。6.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中所述封装主体的所述第二部分的面积大于所述无源组件的面积。7.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中从所述封装主体的所述第二部分的所述顶部表面到所述无源组件的背侧表面的距离在从约50微米(μm)到约100μm的范围内。8.一种半导体封装装置，其包括：衬底；第一电子组件，其安置在所述衬底上；第二电子组件，其安置在所述衬底上；第一封装主体，其安置在所述衬底上以覆盖所述第二电子组件且暴露所述第一电子组件；以及第二封装主体，其安置在所述第一封装主体上且覆盖所述第二电子组件。9.根据权利要求8所述的半导体封装装置，其进一步包括安置在所述第一封装主体和所述第二封装主体上的导电层。10.根据权利要求9所述的半导体封装装置，其中所述导电层接触所述第一电子组件...

【专利技术属性】
技术研发人员：李威弦，丁兆明，陈威宇，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71