半导体封装制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装，更具体地说，一种包括嵌入在其内部中的天线的半导体封装。半导体封装包括：半导体芯片；主天线，被设置成与半导体芯片邻近且电连接到半导体芯片；密封部分，密封半导体芯片和主天线两者；辅助天线，形成在密封部分的外表面上并耦合到主天线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体封装，更具体地说，涉及一种包括嵌入在其内部中的天线的半导体封装。
技术介绍
作为用于下一代信息通信服务(information communication service)的频率源，毫米波段中的频率、30GHz或者更高的超高频率源已经被积极地研究。 该毫米波段中的频率可用于利用宽带特性以高速传输大量的信息，由于空气中的 显著的电波衰减，由相邻的地理区域上的相互干扰而引起的影响可更少，并且与目前正在使用的诸如2. 5GHz/5GHz等频带不同，毫米波段是目前未被使用的频带，从而其不具有已使用的频道的拥塞。因此，考虑到研究和开发以及商业机会，对毫米波段中的频率的关注已经增加。结果，已经对使用毫米波中的频率的信息通信服务和系统的进行了开发，并且已经对该信息通信服务和系统所需的各种组件进行了研究和开发。在该毫米波段中，天线和半导体芯片之间的电连接距离非常重要。即，当天线和半导体芯片之间的距离增加时，损耗相应地增加。因此，毫米波段(特别是60GHz)中的天线可被电连接到半导体芯片并靠近该半导体芯片。为此，根据现有技术，天线设置在与其中嵌入有半导体芯片的半导体封装非常靠近的位置，并且天线和半导体封装以可能的最短距离彼此电连接。在现有技术的情况下，需要执行分开地制造半导体封装和天线中的每一个然后将它们均安装在基底上以被电连接的工艺。因此，制造工艺可能会复杂。另外，天线的功率馈送结构复杂，从而其制造工艺可能会复杂，并且可能会难以分析对工艺误差的影响。因此，对于天线和半导体封装被设置在彼此更近的距离处的半导体封装结构的需求已经增加。
技术实现思路
本专利技术一方面在于提供一种在天线与半导体芯片之间的电距离显著减小的同时又容易制造的半导体封装。本专利技术的另一方面提供一种包括嵌入在其内部中的天线的半导体封装。本专利技术的另一方面提供一种半导体封装，即使天线嵌入在半导体封装的内部中，所述半导体封装也能够显著增加天线的辐射效率。根据本专利技术的一方面，提供一种半导体封装，包括半导体芯片；主天线，被设置成与半导体芯片邻近且电连接到半导体芯片；密封部分，密封半导体芯片和主天线两者；辅助天线，形成在密封部分的外表面上并耦合到主天线。所述半导体封装还可包括基底，所述半导体芯片和所述主天线被设置在基底的一个表面上，所述基底具有形成在其另一个表面上的外部端子。主天线和辅助天线可通过耦合收发毫米波段中的高频率。半导体芯片和主天线可通过键合引线而彼此电连接。密封部分可包括在密封部分的外表面中的与主天线的位置对应的位置形成的槽，辅助天线可被形成在所述槽的内部中。密封部分可包括在密封部分的外表面上的与主天线的位置对应的位置形成的突 起部分，辅助天线可形成在所述突出部分上。设置在主天线和辅助天线之间的密封部分的厚度可被调节，以此调节天线辐射方向图和天线增益。半导体封装还可包括屏蔽膜，所述屏蔽膜在密封部分的外表面上沿着辅助天线的外周由金属镀层形成。主天线可被形成为在基底的一个表面上的电路图案。附图说明通过下面结合附图进行的详细描述，本专利技术的上述和其他方面、特点和其他优点将会更加清楚地理解，其中图I是示出根据本专利技术的实施例的半导体封装的示意性透视图；图2是沿着线A-A'截取的图I中示出的半导体封装的剖视图；图3是图I中示出的半导体封装的分解透视图；图4A和图4B是示出在半导体封装不包括辅助天线的状态下的半导体封装的辐射特性的曲线。图5A和图5B是示出在半导体封装包括辅助天线的状态下半导体封装的辐射特性的曲线；图6到图11是示意性地示出根据本专利技术其他实施例的半导体封装的透视图。具体实施例方式本说明书和权利要求书中使用的术语和词语不应被解释为局限于通常的含义或者词典的定义，而应基于专利技术人可以适当地限定术语的概念以最适当地描述他/她所了解的用于实施本专利技术的最佳方法的规则被解释为具有与本专利技术的技术范围相关的含义和概念。因此，本专利技术的实施例和附图中描述的构造仅仅是最优选的实施例，而不是代表本专利技术的技术精神的全部。因此，本专利技术应被解释为在提交该申请时本专利技术的精神和范围中包括的所有的改变、等同物和替代物。以下，将参照附图详细地描述本专利技术的实施例。此时，应当注意，在理解附图时，相同的标号表示相同的元件。此外，为了避免对本专利技术的主题造成不必要的模糊，将省略与公知的功能或者配置相关的详细描述。基于相同的原因，应当注意在附图中示出的一些组件被夸大、被省略或者被示意性地示出，各个组件的尺寸不是精确地反映其真实尺寸。以下，将参照附图详细描述本专利技术的实施例。图I是示出根据本专利技术的实施例的半导体封装的示意性透视图。另外，图2是沿着线A-A'截取的图I中示出的半导体封装的剖视图。图3是图I中示出的半导体封装的分解透视图。如图I至图3中所示，根据本专利技术的实施例的半导体封装100可包括基底30、半导体芯片10、密封半导体芯片10的密封部分20和天线部分40。半导体芯片10可包括用于连接到外部的多个连接焊盘12，且可通过所述连接焊盘12电连接到下面将要描述的基底30和天线部分40。根据本实施例的半导体芯片10通过键合引线(bonding wire) 15电连接到基底30和天线部分40。然而,本专利技术不限于此。半导体芯片10可以按需要或者根据其形状以各种方式连接到基底30和天线部分40。 例如，半导体芯片10还可通过键合引线15电连接到天线部分40并通过其下表面连接到基底30。在这种情况下，半导体芯片10可包括形成在其下表面上的电极凸块、焊球等，其中，电极凸块或者焊球电连接到或者物理连接到基底30。该半导体芯片10可通过下面将要描述的天线部分40与外部进行无线通信。基底30包括固定安放在基底30的一个表面上的半导体芯片10，并且基底30被电连接到所述半导体芯片10。可以使用现有技术中公知的各种基底(例如，硅基底、陶瓷基底、印刷电路板(PCB)、柔性基底等)可以用作为基底30。基底30包括形成在基底30的一个表面上的电极图案32，其中，所述电极图案电连接到半导体芯片10。另外，还可以形成与电极图案32彼此电连接的电路图案(未示出)。根据本实施例的基底30可以是由多个层构造而成的多层基底。因此，在各层之间可以形成用于形成电连接的电路图案(未示出)和用于电连接各个层的导电过孔(未示出)。另外，基底30可包括形成在基底30的另一表面(即，基底30的外表面)上的外部电极38，其中，外部电极38将半导体封装100电连接到外部。外部电极38可通过形成在基底30的内部中的导电过孔或者电路图案电连接到电极图案32。密封部分20可以按照将半导体芯片10和主天线42 (后面描述)两者均包围在其中以密封半导体芯片10和主天线42的形式设置。即，密封部分20包围半导体芯片10和主天线42的外部，并将半导体芯片10和主天线42固定到基底30，从而稳固地保护半导体芯片10和主天线42免受外部冲击。作为用于形成密封部分20的方法，可以使用模制方法。在这种情况下，环氧塑封料(epoxy mold compound,EMC)可以用作密封部分20的材料。然而,本专利技术不限于此。可以根据需要使用各种方法(诸如印刷方法、旋涂方法、喷射方法等)来形成密封部分20。天线部分40可包括主天线42和辅助天线45。主天线42设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，包括：半导体芯片；主天线，被设置成与半导体芯片邻近且电连接到半导体芯片；密封部分，密封半导体芯片和主天线两者；辅助天线，形成在密封部分的外表面上并耦合到主天线。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李政彦，韩明愚，俞度在，朴哲均，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：