作为除草剂的嘧啶氧基苯衍生物制造技术

本发明专利技术公开了式(1)的化合物，包括其所有立体异构体、N‑氧化物和盐，其中Q、Z、R2、R3和m定义于公开中。本发明专利技术还公开了包含式(1)化合物的组合物和用于控制不期望植被的方法，所述方法包括使所述不期望植被或其环境与有效量的本发明专利技术的化合物或组合物接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及某些嘧啶氧基苯衍生物、它们的N-氧化物、盐和组合物，以及使用它们控制不期望植被的方法。
技术介绍
为了获得高作物效率，控制不期望的植被是极为重要的。实现选择性控制杂草的生长是非常令人期望的，特别是在有用的作物中，如稻、大豆、糖用甜菜、玉米、马铃薯、小麦、大麦、西红柿和种植性作物等。在此类有用作物中未受控制的杂草生长可引起产量的显著减少，由此导致消费者成本上升。控制非耕作区中不期望的植被也是极为重要的。用于这些目的的许多产品是可商购获得的，但是持续需要更有效、更经济、毒性更小、对环境更安全或具有不同作用位点的新型化合物。JP 61236766 A(Sumitomo，1986)公开了作为除草剂的某些碳-连接的嘧啶氧基苯衍生物。WO 94/17059(Nippon Soda，1994)公开了作为除草剂的某些碳连接的嘧啶氧基苯衍生物。
技术实现思路
本专利技术涉及式1的化合物(包括所有立体异构体)、(其N-氧化物和盐)、包含它们的农业组合物、以及它们作为除草剂的用途：Q为5-或6-元芳族杂环环，所述环通过碳原子与式1其余部分结合，并且任选被1至4个R1取代；Z为O或S；每个R1独立地为卤素、氰基、硝基、SF5、CHO、C(＝O)NH2、C(＝S)NH2、SO2NH2、C1-C4烷基、C2-C4烯基、C2-C4炔基、C1-C4卤代烷基、C2-C4卤代烯基、C2-C4卤代炔基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C4–C8烷基环烷基、C4–C8环烷基烷基、C2–C6烷基羰基、C2–C6卤代烷基羰基、C2–C6烷氧基羰基、C3-C7环烷基羰基、C2–C8烷基氨基羰基、C3–C10二烷基氨基羰基、C1-C4烷氧基、C3-C4烯氧基、C3-C4炔氧基、C1-C4卤代烷氧基、C3-C4卤代烯氧基、C3-C4卤代炔氧基、C3–C6环烷氧基、C3–C6卤代环烷氧基、C4–C8环烷基烷氧基、C2-C6烷氧基烷基、C2-C6卤代烷氧基烷基、C2-C6烷氧基卤代烷基、C2–C6烷氧基烷氧基、C2-C4烷基羰氧基、C2-C6氰基烷基、C2-C6氰基烷氧基、C1-C4羟烷基、C2-C4烷基硫基烷基、SOnR1A、Si(CH3)3或B(-OC(R1B)2C(R1B)2O-)；或者任选被至多5个取代基取代的苯环，所述取代基独立地选自R1C；或者5-或6-元杂芳环，所述5-或6-元杂芳环包含选自碳原子和至多4个杂原子的环成员，所述杂原子独立地选自至多2个O、至多2个S、和至多4个N原子，每个环任选被至多3个取代基取代，所述取代基位于碳原子环成员上时独立地选自R1C和所述取代基位于氮原子环成员上时独立地选自R1D；R2为卤素、氰基、硝基、C1-C4烷氧基、C1-C4烷基、C2-C6烯基、C2-C6炔基、SOnR2A、C1-C4卤代烷基或C3-C6环烷基；每个R3独立地为卤素、氰基、羟基、硝基、氨基、CHO、C(＝O)NH2、C(＝S)NH2、SO2NH2、C1-C4烷基、C2-C4烯基、C2-C4炔基、C1-C4卤代烷基、C2-C4卤代烯基、C2-C4卤代炔基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C4–C8烷基环烷基、C4–C8环烷基烷基、C2–C6烷基羰基、C2–C6卤代烷基羰基、C2–C6烷氧基羰基、C3-C7环烷基羰基、C1-C4烷氧基、C3-C4烯氧基、C3-C4炔氧基、C1-C4卤代烷氧基、C3-C4卤代烯氧基、C3-C4卤代炔氧基、C3–C6环烷氧基、C3–C6卤代环烷氧基、C4–C8环烷基烷氧基、C2-C6烷氧基烷基、C2-C6卤代烷氧基烷基、C2-C6烷氧基卤代烷基、C2–C6烷氧基烷氧基、C2-C4烷基羰氧基、C2-C6氰基烷基、C2-C6氰基烷氧基、C2-C4烷基硫基烷基、Si(CH3)3、C≡CSi(CH3)3、C(＝O)N(R3A)(R3B)、C(＝NOR3C)H、C(＝NR3D)H、SOnR3E；或者任选被至多5个取代基取代的苯环，所述取代基独立地选自R3F；或者5-或6-元杂芳环，所述5-或6-元环包含选自碳原子和至多4个杂原子的环成员，所述杂原子独立地选自至多2个O、至多2个S、和至多4个N原子，每个环任选被至多3个取代基取代，所述取代基位于碳原子环成员上时独立地选自R3F和所述取代基位于氮原子环成员上时独立地选自R3G；或者嘧啶氧基；m为0、1、2或3；每个n独立地为0、1或2；每个R1A、R2A和R3E独立地为C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷基氨基或C2-C6二烷基氨基；每个R1B独立地为H或C1-C4烷基；每个R1C独立地为羟基、卤素、氰基、硝基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1–C6烷氧基或C1–C6卤代烷氧基；每个R1D独立地为氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1–C6烷氧基或C2-C6烷基羰基；每个R3A独立地为C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基；每个R3B独立地为H、C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基；每个R3C独立地为H或C1-C4烷基；每个R3D独立地为H、氨基、C1-C4烷基或C1-C4烷基氨基；每个R3F独立地为羟基、卤素、氰基、硝基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1–C6烷氧基或C1–C6卤代烷氧基；并且每个R3G独立地为氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1–C6烷氧基或C2-C6烷基羰基；更具体地，本专利技术涉及式1的化合物(包括所有立体异构体)、其N-氧化物或其盐。本专利技术还涉及除草剂组合物，所述除草剂组合物包含本专利技术化合物(即除草有效量的)和至少一种组分，所述组分选自表面活性剂、固体稀释剂和液体稀释剂。本专利技术还涉及用于控制不期望植被生长的方法，所述方法包括使所述植被或其环境与除草有效量的本专利技术化合物(例如为本文所述组合物形式)接触。本专利技术也包括除草剂混合物，其包含(a)选自式1、N-氧化物及其盐的化合物，和(b)至少一种附加活性成分，所述附加活性成分选自((b1)至(b16)；以及((b1)至(b16)的化合物的盐。具体实施方式如本文所用，术语“包括”、“包含”、“内含”、“涵盖”、“具有”、“含有”、“包容”、“容纳”、“特征在于”或其任何其它变型旨在涵盖非排它性的包括，以任何明确指明的限定为条件。例如，包含一系列元素的组合物、混合物、工艺或方法不必仅限于那些元素，而是可以包括未明确列出的其它元素，或此类组合物、混合物、工艺或方法的其它固有元素。连接短语“由…组成”不包括任何未指定的元素、步骤或成分。如果是在权利要求中，则此类词限制权利要求，以不包含除了通常与之伴随的杂质以外不是所述那些的其它。当短语“由…组成”出现在权利要求的主体的子句中，而非紧接前序时，其仅限制在该子句中提到的要素；其他元素总体上不会从权利要求中被排除。连接短语“基本上由…组成”用于限定组合物或方法，所述组合物或方法除了字面公开的那些以外，还包括物质、步骤、部件、组分或元素，前提条件是，这些附加的物质、步骤、部件、组分或元素没有在很大程度上影响受权利要求书保护的本专利技术的基本特征和一种或多种新型特征。术语“基本上由…组成”居于“包含”和“由…组成”中间。当申请人使用开放式术语(例如“包含”)来限定专利技术或其部分时，应当容易地理解到(除非另有指本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种选自式1的化合物、其N‑氧化物和盐，Q为5‑或6‑元芳族杂环，所述环通过碳原子与式1的其余部分结合，并任选地被1至4个R1取代；Z为O或S；每个R1独立地为卤素、氰基、硝基、SF5、CHO、C(＝O)NH2、C(＝S)NH2、SO2NH2、C1‑C4烷基、C2‑C4烯基、C2‑C4炔基、C1‑C4卤代烷基、C2‑C4卤代烯基、C2‑C4卤代炔基、C3‑C6环烷基、C3‑C6卤代环烷基、C4–C8烷基环烷基、C4–C8环烷基烷基、C2–C6烷基羰基、C2–C6卤代烷基羰基、C2–C6烷氧基羰基、C3‑C7环烷基羰基、C2–C8烷基氨基羰基、C3–C10二烷基氨基羰基、C1‑C4烷氧基、C3‑C4烯氧基、C3‑C4炔氧基、C1‑C4卤代烷氧基、C3‑C4卤代烯氧基、C3‑C4卤代炔氧基、C3–C6环烷氧基、C3–C6卤代环烷氧基、C4–C8环烷基烷氧基、C2‑C6烷氧基烷基、C2‑C6卤代烷氧基烷基、C2‑C6烷氧基卤代烷基、C2–C6烷氧基烷氧基、C2‑C4烷基羰氧基、C2‑C6氰基烷基、C2‑C6氰基烷氧基、C1‑C4羟烷基、C2‑C4烷基硫基烷基、SOnR1A、Si(CH3)3或B(‑OC(R1B)2C(R1B)2O‑)；或者任选地被至多5个取代基取代的苯环，所述取代基独立地选自R1C；或者5‑或6‑元杂芳环，所述5‑或6‑元杂芳环包含选自碳原子和至多4个杂原子的环成员，所述杂原子独立地选自至多2个O、至多2个S、和至多4个N原子，每个环任选地被至多3个取代基取代，当所述取代基位于碳原子环成员上时独立地选自R1C和当所述取代基位于氮原子环成员上时独立地选自R1D；R2为卤素、氰基、硝基、C1‑C4烷氧基、C1‑C4烷基、C2‑C6烯基、C2‑C6炔基、SOnR2A、C1‑C4卤代烷基或C3‑C6环烷基；每个R3独立地为卤素、氰基、羟基、硝基、氨基、CHO、C(＝O)NH2、C(＝S)NH2、SO2NH2、C1‑C4烷基、C2‑C4烯基、C2‑C4炔基、C1‑C4卤代烷基、C2‑C4卤代烯基、C2‑C4卤代炔基、C3‑C6环烷基、C3‑C6卤代环烷基、C4–C8烷基环烷基、C4–C8环烷基烷基、C2–C6烷基羰基、C2–C6卤代烷基羰基、C2–C6烷氧基羰基、C3‑C7环烷基羰基、C1‑C4烷氧基、C3‑C4烯氧基、C3‑C4炔氧基、C1‑C4卤代烷氧基、C3‑C4卤代烯氧基、C3‑C4卤代炔氧基、C3–C6环烷氧基、C3–C6卤代环烷氧基、C4–C8环烷基烷氧基、C2‑C6烷氧基烷基、C2‑C6卤代烷氧基烷基、C2‑C6烷氧基卤代烷基、C2–C6烷氧基烷氧基、C2‑C4烷基羰氧基、C2‑C6氰基烷基、C2‑C6氰基烷氧基、C2‑C4烷基硫基烷基、Si(CH3)3、C≡CSi(CH3)3、C(＝O)N(R3A)(R3B)、C(＝NOR3C)H、C(＝NR3D)H、SOnR3E；或者任选地被至多5个取代基取代的苯环，所述取代基独立地选自R3F；或者5‑或6‑元杂芳环，所述5‑或6‑元杂芳环包含选自碳原子和至多4个杂原子的环成员，所述杂原子独立地选自至多2个O、至多2个S、和至多4个N原子，每个环任选地被至多3个取代基取代，当所述取代基位于碳原子环成员上时独立地选自R3F和当所述取代基位于氮原子环成员上时独立地选自R3G；或者嘧啶氧基；m为0、1、2或3；每个n独立地为0、1或2；每个R1A、R2A和R3E独立地为C1‑C4烷基、C1‑C4卤代烷基、C1‑C4烷基氨基或C2‑C6二烷基氨基；每个R1B独立地为H或C1‑C4烷基；每个R1C独立地为羟基、卤素、氰基、硝基、C1‑C6烷基、C1‑C6卤代烷基、C1–C6烷氧基或C1–C6卤代烷氧基；每个R1D独立地为氰基、C1‑C6烷基、C1‑C6卤代烷基、C1–C6烷氧基或C2‑C6烷基羰基；每个R3A独立地为C1‑C4烷基或C1‑C4卤代烷基；每个R3B独立地为H、C1‑C4烷基或C1‑C4卤代烷基；每个R3C独立地为H或C1‑C4烷基；每个R3D独立地为H、氨基、C1‑C4烷基或C1‑C4烷基氨基；每个R3F独立地为羟基、卤素、氰基、硝基、C1‑C6烷基、C1‑C6卤代烷基、C1–C6烷氧基或C1–C6卤代烷氧基；并且每个R3G独立地为氰基、C1‑C6烷基、C1‑C6卤代烷基、C1–C6烷氧基或C2‑C6烷基羰基。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.16 US 61/928,1291.一种选自式1的化合物、其N-氧化物和盐，Q为5-或6-元芳族杂环，所述环通过碳原子与式1的其余部分结合，并且任选地被1至4个R1取代；Z为O或S；每个R1独立地为卤素、氰基、硝基、SF5、CHO、C(＝O)NH2、C(＝S)NH2、SO2NH2、C1-C4烷基、C2-C4烯基、C2-C4炔基、C1-C4卤代烷基、C2-C4卤代烯基、C2-C4卤代炔基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C4–C8烷基环烷基、C4–C8环烷基烷基、C2–C6烷基羰基、C2–C6卤代烷基羰基、C2–C6烷氧基羰基、C3-C7环烷基羰基、C2–C8烷基氨基羰基、C3–C10二烷基氨基羰基、C1-C4烷氧基、C3-C4烯氧基、C3-C4炔氧基、C1-C4卤代烷氧基、C3-C4卤代烯氧基、C3-C4卤代炔氧基、C3–C6环烷氧基、C3–C6卤代环烷氧基、C4–C8环烷基烷氧基、C2-C6烷氧基烷基、C2-C6卤代烷氧基烷基、C2-C6烷氧基卤代烷基、C2–C6烷氧基烷氧基、C2-C4烷基羰氧基、C2-C6氰基烷基、C2-C6氰基烷氧基、C1-C4羟烷基、C2-C4烷基硫基烷基、SOnR1A、Si(CH3)3或B(-OC(R1B)2C(R1B)2O-)；或者任选地被至多5个取代基取代的苯环，所述取代基独立地选自R1C；或者5-或6-元杂芳环，所述5-或6-元杂芳环包含选自碳原子和至多4个杂原子的环成员，所述杂原子独立地选自至多2个O、至多2个S、和至多4个N原子，每个环任选地被至多3个取代基取代，所述取代基位于碳原子环成员上时独立地选自R1C和所述取代基位于氮原子环成员上时独立地选自R1D；R2为卤素、氰基、硝基、C1-C4烷氧基、C1-C4烷基、C2-C6烯基、C2-C6炔基、SOnR2A、C1-C4卤代烷基或C3-C6环烷基；每个R3独立地为卤素、氰基、羟基、硝基、氨基、CHO、C(＝O)NH2、C(＝S)NH2、SO2NH2、C1-C4烷基、C2-C4烯基、C2-C4炔基、C1-C4卤代烷基、C2-C4卤代烯基、C2-C4卤代炔基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C4–C8烷基环烷基、C4–C8环烷基烷基、C2–C6烷基羰基、C2–C6卤代烷基羰基、C2–C6烷氧基羰基、C3-C7环烷基羰基、C1-C4烷氧基、C3-C4烯氧基、C3-C4炔氧基、C1-C4卤代烷氧基、C3-C4卤代烯氧基、C3-C4卤代炔氧基、C3–C6环烷氧基、C3–C6卤代环烷氧基、C4–C8环烷基烷氧基、C2-C6烷氧基烷基、C2-C6卤代烷氧基烷基、C2-C6烷氧基卤代烷基、C2–C6烷氧基烷氧基、C2-C4烷基羰氧基、C2-C6氰基烷基、C2-C6氰基烷氧基、C2-C4烷基硫基烷基、Si(CH3)3、C≡CSi(CH3)3、C(＝O)N(R3A)(R3B)、C(＝NOR3C)H、C(＝NR3D)H、SOnR3E；或者任选地被至多5个取代基取代的苯环，所述取代基独立地选自R3F；或者5-或6-元杂芳环，所述5-或6-元杂芳环包含选自碳原子和至多4个杂原子的环成员，所述杂原子独立地选自至多2个O、至多2个S、和至多4个N原子，每个环任选地被至多3个取代基取代，所述取代基位于碳原子环成员上时独立地选自R3F和所述取代基位于氮原子环成员上时独立地选自R3G；或者嘧啶氧基；m为0、1、2或3；每个n独立地为0、1或2；每个R1A、R2A和R3E独立地为C1-C4烷基、C1-C4卤代烷基、C1-C4烷基氨基或C2-C6二烷基氨基；每个R1B独立地为H或C1-C4烷基；每个R1C独立地为羟基、卤素、氰基、硝基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1–C6烷氧基或C1–C6卤代烷氧基；每个R1D独立地为氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1–C6烷氧基或C2-C6烷基羰基；每个R3A独立地为C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基；每个R3B独立地为H、C1-C4烷基或C1-C4卤代烷基；每个R3C独立地为H或C1-C4烷基；每个R3D独立地为H、氨基、C1-C4烷基或C1-C4烷基氨基；每个R3F独立地为羟基、卤素、氰基、硝基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1–C6烷氧基或C1–C6卤代烷氧基；并且每个R3G独立地为氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1–C6烷氧基或C2-C6烷基羰基。2.根据权利要求1所述的化合物，其中Q选自其中r为0、1、2或3；并且s为0或1；每个R1独立地为卤素、氰基、SF5、CHO、C1-C4烷基、C2-C4烯基、C2-C4炔基、C1-C4卤代烷基、C2-C4卤代烯基、C2-C4卤代炔基、C2–C6烷基羰基、C2–C6卤代烷基羰基、C2–C6烷氧基羰基、C1-C4烷氧基、C3-C4烯氧基、C3-C4炔氧基、C1-C4卤代烷氧基、C3-C4卤代烯氧基、C3-C4卤代炔氧基、C2-C6烷氧基烷基、C2-C6卤代烷氧基烷基、C2-C6氰基烷基、C1-C4羟烷基、C2-C4烷基硫基烷基或SOnR1A；R3独立地为卤素、氰基、CHO、C1-C4烷基、C2-C4烯基、C2-C4炔基、C1-C4卤代烷基、C2-C4卤代烯基、C2-C4卤代炔基、C3-C6环烷基、C3-C6卤代环烷基、C4–C8烷基环烷基、C2–C6烷基羰基、C2–C6卤代烷基羰基、C2–C6烷氧基羰基、C1-C4烷氧基、C3-C4烯氧基、C3-C4炔氧基、C1-C4卤代烷氧基、C3-C4卤代烯氧基、C3-C4卤代炔氧基、C3–C6环烷氧基、C3–C6卤代环烷氧基、C2-C6烷氧基烷基、C2-C6卤代烷氧基烷基、C2-C4烷基羰氧基、C2-C6氰基烷基、C(＝O)N(R3A)(R3B)、C(＝NOR3C)H、SOnR3E；或者任选地被至多5个取代基取代的苯环，所述取代基独立地选自R3F；或者5-或6-元杂芳环，所述5-或6-元杂芳环包含选自碳原子和至多4个杂原子的环成员，所述杂原子独立地选自至多2个O、至多2个S、和至多4个N原子，每个环任选地被至多3个取代基取代，所述取代基位于碳原子环成员上时独立地选自R3F和所述取代基位于氮原子环成员上时独立地选自R3G；Z为O；并且m为0、1或2。3.根据权利要求2所述的化合物，其中每个R1独立地为卤素、氰基、CHO、C1-C4烷基、C2-C4烯基、C2-C4炔基、C1-C4卤代烷基、C2-C4卤代烯基、C2-C4卤代炔基、C1-C4烷氧基、C3-...

【专利技术属性】
技术研发人员：NR德普雷兹，RP雷蒂，PL萨佩，TM斯特文森，
申请(专利权)人：纳幕尔杜邦公司，
类型：发明
国别省市：美国;US