本发明专利技术是关于一种半导体结构，其包含载体、第一保护层、第二保护层及第三保护层，该第一保护层设置于该载体，该第一保护层的第一表面有第一设置区及第一抗应力区，该第二保护层设置于该第一设置区且显露该第一抗应力区，该第二保护层有第二表面、第一侧边、第二侧边及第一导接边，该第二表面有第二设置区及第二抗应力区，该第一侧边的延伸线与该第二侧边的延伸线相交形成第一交点，该第一交点连接该第一导接边的两端点形成的区域为该第一抗应力区，该第三保护层设置于该第二设置区且显露该第二抗应力区，该第三保护层具有第二导接边，且该第二导接边于该第一表面形成有投影线，该投影线平行该第二保护层的该第一导接边。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术是关于一种半导体结构，其包含载体、第一保护层、第二保护层及第三保护层，该第一保护层设置于该载体，该第一保护层的第一表面有第一设置区及第一抗应力区，该第二保护层设置于该第一设置区且显露该第一抗应力区，该第二保护层有第二表面、第一侧边、第二侧边及第一导接边，该第二表面有第二设置区及第二抗应力区，该第一侧边的延伸线与该第二侧边的延伸线相交形成第一交点，该第一交点连接该第一导接边的两端点形成的区域为该第一抗应力区，该第三保护层设置于该第二设置区且显露该第二抗应力区，该第三保护层具有第二导接边，且该第二导接边于该第一表面形成有投影线，该投影线平行该第二保护层的该第一导接边。【专利说明】半导体结构
本专利技术是关于一种半导体结构，特别是一种具有抗应力区的半导体结构。
技术介绍
请参阅图6，一种现有习知的半导体结构200，其具有载体210、第一保护层220、第二保护层230以及第三保护层240，由于该第一保护层220、该第二保护层230及该第三保护层240皆为四边形且该第一保护层220、该第二保护层230及该第三保护层240以层叠方式设置于该载体210，因此该半导体结构200的应力容易集中于该第一保护层220与该第二保护层230重叠角隅处，使得该第一保护层220与该第二保护层230重叠角隅处破裂或断离，进而降低该半导体结构200的良率。 由此可见，上述现有的半导体结构在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种半导体结构，其借由第二保护层及第三保护层具有缺角，以避免多层保护层堆叠时应力集中于单一保护层而导致该半导体结构损坏。 本专利技术的目的是采用以下技术方案来实现的。本专利技术的一种半导体结构，具有角隅，该半导体结构包含有载体、第一保护层、第二保护层以及第三保护层，该载体具有载体表面，该载体表面具有保护层设置区及位于该保护层设置区外侧的保护层显露区，该第一保护层设置于该保护层设置区，该第一保护层具有第一表面，该第一表面具有第一设置区、第一抗应力区及位于该第一设置区与该第一抗应力区外侧的第一显露区，该第一抗应力区位于该角隅且该第一抗应力区位于该第一设置区与该第一显露区之间，该第二保护层设置于该第一设置区，且该第二保护层显露该第一抗应力区及该第一显露区，该第二保护层具有第二表面、第一侧边、第二侧边及连接该第一侧边与该第二侧边的第一导接边，该第二表面具有第二设置区、第二抗应力区及位于该第二设置区与该第二抗应力区外侧的第二显露区，该第二抗应力区位于该角隅且该第二抗应力区位于该第二设置区与该第二显露区之间，该第一侧边的延伸线与该第二侧边的延伸线相交形成有第一交点，该第一导接边具有第一端点及第二端点，该第一交点、该第一端点与该第二端点所形成的区域为该第一抗应力区，该第三保护层设置于该第二设置区，且该第三保护层显露该第二抗应力区及该第二显露区，该第三保护层具有第三侧边、第四侧边及连接该第三侧边与该第四侧边的第二导接边，该第三侧边的延伸线与该第四侧边的延伸线相交形成有第二交点，该第二导接边具有第三端点及第四端点，该第二交点、该第三端点与该第四端点所形成的区域为该第二抗应力区，且该第二导接边于该第一保护层的该第一表面形成有投影线，该投影线平行该第二保护层的该第一导接边。 本专利技术的目的还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的半导体结构，其中该第一导接边为平面或弧面。 前述的半导体结构，其中该第二导接边为平面或弧面。 前述的半导体结构，其中该第一交点与该第一端点具有第一距离，该第一交点与该第二端点具有第二距离，该第一距离等于该第二距离。 前述的半导体结构，其中该第一抗应力区及该第二抗应力区为三角形。 前述的半导体结构，其中该第一抗应力区及该第二抗应力区为相似三角形。 借由上述技术方案，本专利技术的半导体结构至少具有下列优点及有益效果:由于该第一保护层的该第一表面具有该第一抗应力区，且该第二保护层显露出该第一抗应力区，及该第二保护层的该第二表面具有该第二抗应力区，且该第三保护层显露出该第二抗应力区，使得该半导体结构的应力不会集中于该第二保护层的角隅，避免该半导体结构由该半导体结构的该角隅破裂或断离。 上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。 【专利附图】【附图说明】 图1:依据本专利技术的第一较佳实施例，一种半导体结构的分解立体图。 图2:依据本专利技术的第一较佳实施例，该半导体结构的立体图。 图3:依据本专利技术的第一较佳实施例，该半导体结构的俯视图。 图4:依据本专利技术的第二较佳实施例，一种半导体结构的立体图。 图5:依据本专利技术的第二较佳实施例，该半导体结构的俯视图。 图6:现有习知的半导体结构的立体图。 【主要元件符号说明】 100:半导体结构100a:角隅 110:载体111:载体表面 Illa:保护层设置区Illb:保护层显露区 120:第一保护层121:第一表面 121a:第一设置区121b:第一抗应力区 121c:第一显露区130:第二保护层 131:第二表面131a:第二设置区 131b:第二抗应力区131c:第二显露区 132:第一侧边133:第二侧边 134:第一导接边140:第三保护层 141:第三侧边142:第四侧边 143:第二导接边200:半导体结构 210:载体220:第一保护层 230:第二保护层240:第三保护层 Al:第一交点A2:第二交点 B1:第一端点B2:第二端点 B3:第三端点B4:第四端点 Dl:第一距离D2:第二距离 P:投影线 【具体实施方式】 为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的一种半导体结构的【具体实施方式】、结构、特征及其功效，详细说明如后。 请参阅图1及图2，一种半导体结构100，具有角隅100a，该半导体结构100包含有载体110、第一保护层120、第二保护层130以及第三保护层140，该载体110具有载体表面111，该载体表面111具有保护层设置区Illa及位于该保护层设置区Illa外侧的保护层显露区111b，该第一保护层120设置于该保护层设置区111a，该第一保护层120具有第一表面121,该第一表面121具有第一设置区121a、第一抗应力区121b及位于该第一设置区121a与该第一抗应力区121b外侧的第一显露区121c，该第一抗应力区121b位于该角隅10a且该第一抗应力区121b位于该第一设置区121a与该第一显露区121c之间，在本实施例中，该第一抗应力区121b为三角形。 请参阅图1及图2，该第二保护层130设置于该第一设置区121a，且该第二保护层130显露该第一抗应力区121b及该本文档来自技高网...
【技术保护点】
种半导体结构，具有角隅，其特征在于该半导体结构包含：载体，具有载体表面，该载体表面具有保护层设置区及位于该保护层设置区外侧的保护层显露区；第一保护层，设置于该保护层设置区，该第一保护层具有第一表面，该第一表面具有第一设置区、第一抗应力区及位于该第一设置区与该第一抗应力区外侧的第一显露区，该第一抗应力区位于该角隅且该第一抗应力区位于该第一设置区与该第一显露区之间；第二保护层，设置于该第一设置区，且该第二保护层显露该第一抗应力区及该第一显露区，该第二保护层具有第二表面、第一侧边、第二侧边及连接该第一侧边与该第二侧边的第一导接边，该第二表面具有第二设置区、第二抗应力区及位于该第二设置区与该第二抗应力区外侧的第二显露区，该第二抗应力区位于该角隅且该第二抗应力区位于该第二设置区与该第二显露区之间，该第一侧边的延伸线与该第二侧边的延伸线相交形成有第一交点，该第一导接边具有第一端点及第二端点，该第一交点、该第一端点与该第二端点所形成的区域为该第一抗应力区；以及第三保护层，设置于该第二设置区，且该第三保护层显露该第二抗应力区及该第二显露区，该第三保护层具有第三侧边、第四侧边及连接该第三侧边与该第四侧边的第二导接边，该第三侧边的延伸线与该第四侧边的延伸线相交形成有第二交点，该第二导接边具有第三端点及第四端点，该第二交点、该第三端点与该第四端点所形成的区域为该第二抗应力区，且该第二导接边于该第一保护层的该第一表面形成有投影线，该投影线平行该第二保护层的该第一导接边。...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢庆堂，徐佑铭，刘明昇，王智平，
申请(专利权)人：颀邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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