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具有掺杂空穴导体层的有机半导体元件制造技术

技术编号:9226436 阅读:168 留言:0更新日期:2013-10-04 20:19
具有空穴导体层(20)的有机半导体元件(10)可以通过依据本发明专利技术的具有超酸盐的p-掺杂在其电荷传输和光学性质上得到显著改善。除了在非常低的掺杂浓度下提高比传导率外,新的掺杂基本上对于人眼来说并不对层的颜色效果造成任何负面改变。空穴导体层的吸收能力在可见波长范围内因为具有超酸盐的p-掺杂而没有升高。还可以从溶液以及气相中沉积出来。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:G施密德JH威姆肯R凯勒曼A马尔坦伯格
申请(专利权)人:西门子公司
类型:
国别省市:

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