【技术实现步骤摘要】
用于半导体或导体核材料中氧同位素的SIMS测量方法
本专利技术涉及核材料领域，尤其涉及一种用于半导体或导体核材料中氧同位素的SMS测量方法。
技术介绍
现有技术中，核法证学分析是从现场截获核材料开始，通过核法证学确认的技术、方法进行样品的主要成分等特征属性的分析，并与数据库的信息进行比对，追溯可疑样品的来源；特征属性,一般包括放射性的类型、放射性活度、主要成分、同位素丰度、杂质种类及含量、宏观尺寸、微观结构等。有时通过常用的特征属性不能准确溯源，需要对更多的特征属性进行分析，氧就是用于地理定位的一个主要特征元素。因为根据海水或者雨水中氧同位素的组成变化，不同地区由于地理位置的原因，造成了天然氧同位素在自然界中含量有微小的差别，差别大约是1%~5%。目前铀氧化物中氧同位素比值的测量方法主要是气体质谱法、TIMS方法和SMS方法，其中，气体质谱法是常规、经典的氧同位素测量方法，但气体质谱法测量氧同位素时样品用量大、需要化学处理和测量过程比较复杂的技术缺陷。鉴于上述缺陷，本专利技术创作者经过长时间的研究和实践终于获得了本创作。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于半导体或导体核材料中氧同位素的SIMS测量方法，用以克服上述技术缺陷。为实现上述目的，本专利技术提供一种用于半导体或导体核材料中氧同位素的SMS测量方法，其过程为:步骤a，将样品进行处理并制作测量样品后，进行装样；清洗实验设备，设置测量参数，并对SIMS质谱仪进行调试；步骤b，加载样品后，对样品进行测量，分别统计180、160的计数率；步骤c，根据上述步骤al2的测量结果计算180、1...
【技术保护点】
一种用于半导体或导体核材料中氧同位素的SIMS测量方法，其特征在于，其过程为：步骤a,将样品进行处理并制作测量样品后，进行装样；清洗实验设备，设置测量参数，并对SIMS质谱仪进行调试；步骤b,加载样品后，对样品进行测量，分别统计18O、16O的计数率；步骤c,根据上述步骤a12的测量结果计算18O、16O的比值；步骤d,对测量值进行校正及不确定计算；步骤e,结束测量。
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体或导体核材料中氧同位素的SIMS测量方法，其特征在于，其过程为: 步骤a，将样品进行处理并制作测量样品后，进行装样；清洗实验设备，设置测量参数，并对SIMS质谱仪进行调试； 步骤b，加载样品后，对样品进行测量，分别统计180、160的计数率； 步骤C，根据上述步骤al2的测量结果计算180、160的比值； 步骤d，对测量值进行校正及不确定计算； 步骤e，结束测量。2.根据权利要求1所述的用于半导体或导体核材料中氧同位素的SIMS测量方法，其特征在于，上述步骤d中，首先用质谱仪测量标准物质的180/160比值，利用公式(I)计算得到校正系数k， 3.根据权利要求2所述的用于半导体或导体核材料中氧同位素的SIMS测量方法，其特征在于， 测量值不确定度的计算过程为，测量值的测量标准偏差(σ_);测量标准物质的测量标准偏差(σ standard);标准物质的不确定度(Wtrastantod);其中， 测量标准偏差(σ _)使用式(3)进行计算， 4.根据权利要求1或2所述的用于半导体或导体核材料中氧同位素的SIMS测量方法，其特征在于， 在上述步骤a中，对样品进行处理的过程为，将金属铀样品表面压平，保证表面平整，并保存在充满Ar的干燥器中，待用。5.根据权利要求4所述的用于半导体或导体核材料中氧同位素的SIMS测量方法，其特征在于，在上述步骤a中，样品制备过程为，用剪刀和镊子剪取一小块导电胶，一面粘到碳片上，再把金属铀样品粘到导电胶的另一面。6.根据权利要求4所述的用于半导体或导体核材料中氧同位素的SIMS测量方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：王同兴，张生栋，赵永刚，张燕，沈彦，姜小燕，鹿捷，
申请(专利权)人：中国原子能科学研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11
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