半导体结构制造技术

本发明专利技术是有关于一种半导体结构，其具有第一角隅，该半导体结构包含有载体、第一保护层、第二保护层以及第三保护层，该载体具有载体表面，该载体表面具有保护层设置区，该第一保护层设置于该保护层设置区，该第一保护层具有第一表面，该第一表面具有第一设置区、第一抗应力区及第一显露区，该第一抗应力区位于该第一设置区的角隅，该第二保护层设置于该第一设置区，该第二保护层具有第二表面，该第二表面具有第二设置区、第二抗应力区及第二显露区，该第二抗应力区位于该第二设置区的角隅，该第三保护层设置于该第二设置区，该第一抗应力区及该第二抗应力区位于该第一角隅，且该第一抗应力区的面积不小于该第二抗应力区的面积。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本专利技术是关于一种半导体结构，特别是一种可避免应力集中于角隅的半导体结构。
技术介绍
请参阅图7，为一种公知的半导体结构200，其具有载体210、第一保护层220、第二保护层230以及第三保护层240，该载体具有表面211，该第一保护层220设置于该表面211上，且该第一保护层220具有第一侧墙221及连接该第一侧墙221的第二侧墙222，该第二保护层230设置于该第一保护层220上，该第二保护层230具有第三侧墙231及连接该第三侧墙231的第四侧墙232，该第三保护层240设置于该第二保护层230上，该第三保护层240具有第五侧墙241及连接该第五侧墙241的第六侧墙242，由于该第一保护层220、该第二保护层230及该第三保护层240的尺寸不同，且该第二保护层230的该第三侧墙231及该第四侧墙232连接处为直角，该第三保护层240的该第五侧墙241及该第六侧墙242连接处亦为直角，因此当该第一保护层220、该第二保护层230及该第三保护层240层设于该载体210的该表面211上时，应力容易集中于该第二保护层230的该第三侧墙231及该第四侧墙232连接处，使得该第三侧墙231及该第四侧墙232连接处破裂或断离，进而影响该半导体结构200的良率。 由此可见，上述现有的半导体结构在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的半导体结构，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种半导体结构，其借由各保护层的表面具有抗应力区，使得应力不会集中于各保护层的角隅，可避免半导体结构由角隅处破裂或断离。 本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的半导体结构，其具有第一角隅及第二角隅，该半导体结构还包含:载体，其具有载体表面，该载体表面具有保护层设置区及位于该保护层设置区外侧的保护层显露区；第一保护层，其设置于该保护层设置区，该第一保护层具有第一表面，该第一表面具有第一设置区、第一抗应力区及位于该第一设置区及该第一抗应力区外侧的第一显露区，该第一抗应力区位于该第一设置区的角隅；第二保护层，其设置于该第一设置区，且该第二保护层显露该第一抗应力区及该第一显露区，该第二保护层具有第二表面，该第二表面具有第二设置区、第二抗应力区及位于该第二设置区及该第二抗应力区外侧的第二显露区，该第二抗应力区位于该第二设置区的角隅；以及第三保护层，其设置于该第二设置区，且该第三保护层显露该第二抗应力区及该第二显露区，该第一抗应力区及该第二抗应力区位于该第一角隅，且该第一抗应力区的面积不小于该第二抗应力区的面积。 本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的半导体结构，其中该第二保护层具有第一侧墙、第二侧墙及连接该第一侧墙与该第二侧墙的第一导接墙，该第一侧墙具有第一底边且该第一底边具有第一端点，该第二侧墙具有第二底边且该第二底边具有第二端点，由该第一底边的该第一端点延伸形成的第一延伸线与由该第二底边的该第二端点延伸形成的第二延伸线相交形成有第一基点，且连接该第一基点、该第一端点与该第二端点所形成的区域为该第一抗应力区。 前述的半导体结构，其中该第三保护层具有第三侧墙、第四侧墙及连接该第三侧墙与该第四侧墙的第二导接墙，该第三侧墙具有第三底边且该第三底边具有第三端点，该第四侧墙具有第四底边且该第四底边具有第四端点，由该第三底边的该第三端点延伸形成的第三延伸线与由该第四底边的该第四端点延伸形成的第四延伸线相交形成有第二基点，且连接该第二基点、该第三端点与该第四端点所形成的区域为该第二抗应力区。 前述的半导体结构，其中该第二基点与该第三端点间具有第一距离，该第二基点与该第四端点具有第二距离，该第一距离等于该第二距离。 前述的半导体结构，其中该第二保护层具有第一侧墙、第二侧墙及连接该第一侧墙与该第二侧墙的第一导接墙，该第一侧墙具有第一顶边且该第一顶边具有第五端点，该第二侧墙具有第二顶边且该第二顶边具有第六端点，该第五端点至该第三端点之间具有第三距离，该第三距离为该第一顶边至该第三底边的最短距离，该第六端点至该第四端点之间具有第四距离，该第四距离为该第二顶边至该第四底边的最短距离。 前述的半导体结构，其中该第一导接墙为平面或弧面。 前述的半导体结构，其中该第二导接墙为平面或弧面。 前述的半导体结构，其中该第一保护层的该第一表面具有第三抗应力区，且该第三抗应力区位于该第一设置区的角隅，该第二保护层显露该第三抗应力区，该第二保护层的该第二表面具有第四抗应力区，该第四抗应力区位于该第二设置区的角隅，且该第三保护层显露该第四抗应力区，该第三抗应力区及该第四抗应力区位于该第二角隅，且该第三抗应力区的面积不小于该第四抗应力区的面积。 前述的半导体结构，其中该第二保护层具有第一侧墙、第五侧墙及连接该第一侧墙与该第五侧墙的第三导接墙，该第一侧墙具有第一底边且该第一底边具有第七端点，该第五侧墙具有第五底边且该第五底边具有第八端点，由该第一底边的该第七端点延伸形成的第五延伸线与由该第五底边的该第八端点延伸形成的第六延伸线相交形成有第三基点，且连接该第三基点、该第七端点与该第八端点所形成的区域为该第三抗应力区。 前述的半导体结构，其中该第三保护层具有第三侧墙、第六侧墙及连接该第三侧墙与该第六侧墙的第四导接墙，该第三侧墙具有第三底边且该第三底边具有第九端点，该第六侧墙具有第六底边且该第六底边具有第十端点，由该第三底边的该第九端点延伸形成的第七延伸线与由该第六底边的该第十端点延伸形成的第八延伸线相交形成有第四基点，且连接该第四基点、该第九端点与该第十端点所形成的区域为该第四抗应力区。 前述的半导体结构，其中该第二保护层具有第一侧墙、第五侧墙及连接该第一侧墙与该第五侧墙的第三导接墙，该第一侧墙具有第一顶边且该第一顶边具有第十一端点，该第五侧墙具有第三顶边且该第三顶边具有第十二端点，该第十一端点至该第九端点之间具有第五距离，该第五距离为该第一顶边至该第三底边的最短距离，该第十二端点至该第十端点之间具有第六距离，该第六距离为该第三顶边至该第六底边的最短距离。 前述的半导体结构，其中该第三基点与该第七端点间具有第七距离，该第三基点与该第八端点具有第八距离，该第七距离等于该第八距离。 前述的半导体结构，其中该第四基点与该第九端点间具有第九距离，该第四基点与该第十端点具有第十距离，该第九距离等于该第十距离。 前述的半导体结构，其中该第三导接墙为平面或弧面。 前述的半导体结构，其中该第四导接墙为平面或弧面。 借由上述技术方案，本专利技术半导体结构至少具有下列优点及有益效果:由于本专利技术的该第一保护层具有该第一抗应力区，该第二保护层具有该第二抗应力区，因此该半导体结构的应力不会集中于该第一角隅，可避免该半导体结构由该第一角隅破裂或断离而导致该半导体结构的良率降低。 上述说明仅是本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，其特征在于其具有第一角隅及第二角隅，该半导体结构还包含：载体，其具有载体表面，该载体表面具有保护层设置区及位于该保护层设置区外侧的保护层显露区；第一保护层，其设置于该保护层设置区，该第一保护层具有第一表面，该第一表面具有第一设置区、第一抗应力区及位于该第一设置区及该第一抗应力区外侧的第一显露区，该第一抗应力区位于该第一设置区的角隅；第二保护层，其设置于该第一设置区，且该第二保护层显露该第一抗应力区及该第一显露区，该第二保护层具有第二表面，该第二表面具有第二设置区、第二抗应力区及位于该第二设置区及该第二抗应力区外侧的第二显露区，该第二抗应力区位于该第二设置区的角隅；以及第三保护层，其设置于该第二设置区，且该第三保护层显露该第二抗应力区及该第二显露区，该第一抗应力区及该第二抗应力区位于该第一角隅，且该第一抗应力区的面积不小于该第二抗应力区的面积。

【技术特征摘要】
2013.08.02 TW 1021276971.一种半导体结构，其特征在于其具有第一角隅及第二角隅，该半导体结构还包含: 载体，其具有载体表面，该载体表面具有保护层设置区及位于该保护层设置区外侧的保护层显露区； 第一保护层，其设置于该保护层设置区，该第一保护层具有第一表面，该第一表面具有第一设置区、第一抗应力区及位于该第一设置区及该第一抗应力区外侧的第一显露区，该第一抗应力区位于该第一设置区的角隅； 第二保护层，其设置于该第一设置区，且该第二保护层显露该第一抗应力区及该第一显露区，该第二保护层具有第二表面，该第二表面具有第二设置区、第二抗应力区及位于该第二设置区及该第二抗应力区外侧的第二显露区，该第二抗应力区位于该第二设置区的角隅；以及 第三保护层，其设置于该第二设置区，且该第三保护层显露该第二抗应力区及该第二显露区，该第一抗应力区及该第二抗应力区位于该第一角隅，且该第一抗应力区的面积不小于该第二抗应力区的面积。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该第二保护层具有第一侧墙、第二侧墙及连接该第一侧墙与该第二侧墙的第一导接墙，该第一侧墙具有第一底边且该第一底边具有第一端点，该第二侧墙具有第二底边且该第二底边具有第二端点，由该第一底边的该第一端点延伸形成的第一延伸线与由该第二底边的该第二端点延伸形成的第二延伸线相交形成有第一基点，且连接该第一基点、该第一端点与该第二端点所形成的区域为该第一抗应力区。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该第三保护层具有第三侧墙、第四侧墙及连接该第三侧墙与该第四侧墙的第二导接墙，该第三侧墙具有第三底边且该第三底边具有第三端点，该第四侧墙具有第四底边且该第四底边具有第四端点，由该第三底边的该第三端点延伸形成的第三延伸线与由该第四底边的该第四端点延伸形成的第四延伸线相交形成有第二基点，且连接该第二基点、该第三端点与该第四端点所形成的区域为该第二抗应力区。4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于该第二基点与该第三端点间具有第一距离，该第二基点与该第四端点具有第二距离，该第一距离等于该第二距离。5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于该第二保护层具有第一侧墙、第二侧墙及连接该第一侧墙与该第二侧墙的第一导接墙，该第一侧墙具有第一顶边且该第一顶边具有第五端点，该第二侧墙具有第二顶边且该第二顶边具有第六端点，该第五端点至该第三端点之间具有第三距离，该第三距离为该第一顶边至该第三底边的最短距离，该第六端点至该第四端点之间具有第四距离，该第四距离为该...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢庆堂，郭士祯，徐佑铭，
申请(专利权)人：颀邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71