半导体结构制造技术

本发明专利技术公开一种半导体结构。该半导体结构适用于在高压环境下进行操作。根据本发明专利技术的一方面，此种半导体结构包括基板、栅极、源极区、漏极区以及场调整结构。栅极设置在基板上。源极区和漏极区设置在基板中，并分别位于栅极的相对侧。场调整结构设置在基板上，并位于源极区和漏极区的其中一者的外侧。场调整结构包括一第一部分和一第二部分。第二部分设置在第一部分的外侧。第一部分连接至栅极。第二部分连接至所述源极区和漏极区的其中一者。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体结构，特别是涉及一种包括场(field)调整结构的半导体结构。
技术介绍
半导体装置典型地可包括高压元件和低压元件。高压元件是在高压下进行操作。需要注意的是，高压元件的击穿电压(breakdownvoltage)必须够高，以避免元件损坏。举例来说，高压元件中接入电路的电压(Vcc)可大约为24V～35V，而击穿电压至少需为此值的1.2倍。随着装置尺寸的下降，此点变得更为重要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种包括场调整结构的半导体结构，其适用于在高压环境下进行操作。为达上述目的，根据本专利技术的一方面，此种半导体结构包括基板、栅极、源极区、漏极区以及场调整结构。栅极设置在基板上。源极区和漏极区设置在基板中，并分别位于栅极的相对侧。场调整结构设置在基板上，并位于源极区和漏极区的其中一者的外侧。场调整结构包括一第一部分和一第二部分。第二部分设置在第一部分的外侧。第一部分连接至栅极。第二部分连接至所述源极区和漏极区的其中一者。根据本专利技术的另一方面，此种半导体结构包括基板、栅极介电质、栅极、第一漂移区(driftregion)、第二漂移区、第一隔离结构、第一重掺杂区以及场调整结构。栅极介电质设置在基板上。栅极设置在栅极介电质上。第一漂移区设置在基板中，并有一部分位于栅极下。第一漂移区具有第一掺杂类型。第二漂移区设置在基板中，并位于第一漂移区的外侧且和第一漂移区分离。第二漂移区具有第二掺杂类型。第一隔离结构设置在第一漂移区和第二漂移区间，并隔离第一漂移区和第二漂移区。第一重掺杂区设置在第一漂移区中。第一重掺杂区具有第一掺杂类型。场调整结构设置在第一隔离结构上。场调整结构包括一第一部分和一第二部分。第一部分位于由第一漂移区所定义的范围内并连接至栅极。第二部分位于由第二漂移区所定义的范围内并连接至第一重掺杂区。为了让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下：附图说明图1A～图1B为一实施例的半导体结构的示意图；图2A～图2B为一实施例的半导体结构的示意图；图3A～图3B为一实施例的半导体结构的示意图。附图标记100、200、300：半导体结构102：基板104：栅极106：栅极介电质108：第一漂移区110：第二漂移区112：第一隔离结构114：第一重掺杂区116、216、316：场调整结构118-1、118-2、218-1、218-2、318-1、318-2：第一部分120-1、120-2、220-1、220-2、320-1、320-2：第二部分122：导孔124、324-1、324-2：金属层126：第二重掺杂区128：第三漂移区130：第三重掺杂区132：第二隔离结构具体实施方式以下将说明所述半导体结构。需要注意的是，当描述一个元件和另一个元件的关系是“设置在…上”、“设置在…下”、…、“连接至”时，可以是直接地“设置在…上”、“设置在…下”、…、“连接至”，或者也可以存在至少一个中介元件。请参照图1A～图1B，其绘示根据一实施例的半导体结构100，其中图1A是半导体结构100的俯视图，图1B是半导体结构100取自图1A中1-1’线的剖视图。半导体结构100包括基板102、栅极104、第一重掺杂区114以及场调整结构116。栅极104设置在基板102上。举例来说，半导体结构100还可包括设置在基板102上的栅极介电质106，而栅极104设置在栅极介电质106上。第一重掺杂区114设置在基板102中，并位于栅极104的一侧。第一重掺杂区114具有第一掺杂类型。基板102可具有第二掺杂类型。第一掺杂类型可以是n型，第二掺杂类型可以是p型。场调整结构116设置在基板102上，并位于第一重掺杂区114的外侧。场调整结构116可以由导电材料制成，例如多晶硅或导电金属材料。举例来说，场调整结构116可由和栅极104相同的材料制成，例如多晶硅，且场调整结构116和栅极104可由相同的制造步骤形成。但即使如此，场调整结构116的下方可不存在有介电层。或者，场调整结构116可由和半导体集成电路中的其他导电金属材料形成的部分(如导孔122或金属层124、324-1、324-2等等)相同的材料制成。在这样的情况下，场调整结构116可具有图1A所示的布局形状。并且，在一实施例中，如图1B所示与连接用的导孔122分别形成。或者在另一实施例中，与导孔122以相同的材料由相同的制造步骤形成，并具有相同的高度，而不需要对应配置于场调整结构116上的导孔122。但需要注意本专利技术并不受限于这些例子。半导体结构100还可包括第一漂移区108。第一漂移区108设置在基板102中，并有一部分位于栅极104下。第一漂移区108具有第一掺杂类型。在这样的情况下，第一重掺杂区114可设置在第一漂移区108中。半导体结构100还可包括第二漂移区110。第二漂移区110设置在基板102中，并位于第一漂移区108的外侧且和第一漂移区108分离。第二漂移区110具有第二掺杂类型。半导体结构100还可包括第一隔离结构112，例如是浅沟槽隔离(ShallowTrenchIsolation,STI)结构。第一隔离结构112设置在第一漂移区108和第二漂移区110间，并隔离第一漂移区108和第二漂移区110。场调整结构116可设置在第一隔离结构112上。场调整结构116包括一第一部分118-1和一第二部分120-1。第一部分118-1可位于由第一漂移区108所定义的范围内。第二部分120-1可位于由第二漂移区110所定义的范围内。请参照图1A，如俯视图所示，场调整结构116设置在(位于第一漂移区108中的)第一重掺杂区114的外侧，且第二部分120-1设置在第一部分118-1的外侧。第一部分118-1连接至栅极104，第二部分120-1连接至第一重掺杂区114。这样的连接可通过物理接触或中介元件来达成，中介元件例如是导孔122和金属层124。半导体结构100还可包括第二重掺杂区126。第二重掺杂区126设置在第二漂移区110中。第二重掺杂区126具有第二掺杂类型。第二重掺杂区126可环绕栅极104、第一重掺杂区114、将在以下段落介绍的第三重掺杂区130和场调整结构116，并可作为保护环(guardring)。半导体结构100还可包括第三漂移区128。第三漂移区128设置在基板102中，并有一部分位于栅极104下。第一漂移区108和第三漂移区128位于栅极104的相对侧。第三漂移区128具有第一掺杂类型。第二漂移区110可也设置在第三漂移区128的外侧且和第三漂移区128分离。第一隔离结构112可也设置在第三漂移区128和第二漂移区110间并隔离第二漂移区110和第三漂移区128。半导体结构100还可包括第三重掺杂区130。第三重掺杂区130设置在基板102中，并位于栅极104相对于第一重掺杂区114的一侧。第三重掺杂区130可设置在第三漂移区128中。第三重掺杂区130具有第一掺杂类型。第一重掺杂区114和第三重掺杂区130的其中一者可作为半导体结构100的源极区，而另一者可作为漏极区。举例来说，第三重掺杂区130可作为源极区，而第一重掺杂区114可作为漏极区。场调整结构1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：基板；栅极，设置在所述基板上；源极区和漏极区，设置在所述基板中，并分别位于所述栅极的相对侧；以及场调整结构，设置在所述基板上，并位于所述源极区和所述漏极区的其中一者的外侧，所述场调整结构包括一第一部分和一第二部分，所述第二部分设置在所述第一部分的外侧，所述第一部分连接至所述栅极，所述第二部分连接至所述源极区和所述漏极区的所述其中一者。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：基板；栅极，设置在所述基板上；源极区和漏极区，设置在所述基板中，并分别位于所述栅极的相对侧；以及场调整结构，设置在所述基板上，并位于所述源极区和所述漏极区的其中一者的外侧，所述场调整结构包括一第一部分和一第二部分，所述第二部分设置在所述第一部分的外侧，所述第一部分连接至所述栅极，所述第二部分连接至所述源极区和所述漏极区的所述其中一者。2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：保护环，设置在所述基板中，并环绕所述栅极、所述源极区、所述漏极区和所述场调整结构。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述场调整结构也位于所述源极区和所述漏极区的另一者的外侧，且所述场调整结构还包括另一第一部分和另一第二部分，所述另一第二部分设置在所述另一第一部分的外侧，所述另一第一部分连接至所述栅极，所述另一第二部分连接至所述源极区和所述漏极区的所述另一者。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一部分的外观呈线形。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一部分的外观呈U形。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二部分的外观呈线形。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二部分的外观呈U形。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述场调整结构包含多晶硅。9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述场调整结构包含导电金属材料。10.一种半导体结构，包括：基板；栅极介电质，设置在所述基板上；栅极，设置在所述栅极介电质上；第一漂移区，设置在所述基板中，并有一部分位于所述栅极下，所述第一漂移区具有第一掺杂类型；第二漂移区，设置在所述基板中，并位于所述第一漂移区的外侧且和所述第一漂移区分离，所述第二漂移区具有第二掺杂类型；第一隔离结构，设置在所述第一漂移区和所述第二漂移区间，并隔离所述第一漂...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧世楹，熊昌铂，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71