半导体结构制造技术

本发明专利技术公开一种半导体结构。该半导体结构适用于在高压环境下进行操作。根据本发明专利技术的一方面，此种半导体结构包括基板、栅极、源极区、漏极区以及场调整结构。栅极设置在基板上。源极区和漏极区设置在基板中，并分别位于栅极的相对侧。场调整结构设置在基板上，并位于源极区和漏极区的其中一者的外侧。场调整结构包括一第一部分和一第二部分。第二部分设置在第一部分的外侧。第一部分连接至栅极。第二部分连接至所述源极区和漏极区的其中一者。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体结构，特别是涉及一种包括场(field)调整结构的半导体结构。
技术介绍
半导体装置典型地可包括高压元件和低压元件。高压元件是在高压下进行操作。需要注意的是，高压元件的击穿电压(breakdownvoltage)必须够高，以避免元件损坏。举例来说，高压元件中接入电路的电压(Vcc)可大约为24V～35V，而击穿电压至少需为此值的1.2倍。随着装置尺寸的下降，此点变得更为重要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种包括场调整结构的半导体结构，其适用于在高压环境下进行操作。为达上述目的，根据本专利技术的一方面，此种半导体结构包括基板、栅极、源极区、漏极区以及场调整结构。栅极设置在基板上。源极区和漏极区设置在基板中，并分别位于栅极的相对侧。场调整结构设置在基板上，并位于源极区和漏极区的其中一者的外侧。场调整结构包括一第一部分和一第二部分。第二部分设置在第一部分的外侧。第一部分连接至栅极。第二部分连接至所述源极区和漏极区的其中一者。根据本专利技术的另一方面，此种半导体结构包括基板、栅极介电质、栅极、第一漂移区(driftregion)、第二漂移区、第一隔离结构、第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：基板；栅极，设置在所述基板上；源极区和漏极区，设置在所述基板中，并分别位于所述栅极的相对侧；以及场调整结构，设置在所述基板上，并位于所述源极区和所述漏极区的其中一者的外侧，所述场调整结构包括一第一部分和一第二部分，所述第二部分设置在所述第一部分的外侧，所述第一部分连接至所述栅极，所述第二部分连接至所述源极区和所述漏极区的所述其中一者。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：基板；栅极，设置在所述基板上；源极区和漏极区，设置在所述基板中，并分别位于所述栅极的相对侧；以及场调整结构，设置在所述基板上，并位于所述源极区和所述漏极区的其中一者的外侧，所述场调整结构包括一第一部分和一第二部分，所述第二部分设置在所述第一部分的外侧，所述第一部分连接至所述栅极，所述第二部分连接至所述源极区和所述漏极区的所述其中一者。2.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：保护环，设置在所述基板中，并环绕所述栅极、所述源极区、所述漏极区和所述场调整结构。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述场调整结构也位于所述源极区和所述漏极区的另一者的外侧，且所述场调整结构还包括另一第一部分和另一第二部分，所述另一第二部分设置在所述另一第一部分的外侧，所述另一第一部分连接至所述栅极，所述另一第二部分连接至所述源极区和所述漏极区的所述另一者。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一部分的外观呈线形。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一部分的外观呈U形。6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二部分的外观呈线形。7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二部分的外观呈U形。8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述场调整结构包含多晶硅。9.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述场调整结构包含导电金属材料。10.一种半导体结构，包括：基板；栅极介电质，设置在所述基板上；栅极，设置在所述栅极介电质上；第一漂移区，设置在所述基板中，并有一部分位于所述栅极下，所述第一漂移区具有第一掺杂类型；第二漂移区，设置在所述基板中，并位于所述第一漂移区的外侧且和所述第一漂移区分离，所述第二漂移区具有第二掺杂类型；第一隔离结构，设置在所述第一漂移区和所述第二漂移区间，并隔离所述第一漂...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧世楹，熊昌铂，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71