一种功率半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种功率半导体器件及其制造方法，该功率半导体器件包括划片道区与多个芯片区，划片道区用于分隔多个芯片区，每个芯片区包括截止环区，截止环区邻接划片道区，截止环区上覆盖有金属层，金属层的一部分设置在划片道区上。本发明专利技术打破不在划片道内设置金属的传统做法，将靠近划片道区侧的截止环区域的金属层放置到划片道内，节省了截止环区的面积，进而减小了半导体功率器件的面积，降低了成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率半导体制造工艺，具体涉及一种功率半导体器件及制造方法。
技术介绍
功率半导体器件包括垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)、快速恢复二极管(FRD)、肖特基二极管、瞬变电压抑制二极管(TVS)等。为了降低成本，在保证电流驱动能力和击穿电压足够的情况下，希望功率半导体器件尺寸尽量小，这样可以在该器件上集成更多的芯片。如图1所示，在版图布局(LayoutFrame)中，半导体分为芯片区和划片道区。芯片区就是芯片占用的区域，是真正有用的部分；划片道区是在芯片加工完成后，用于将功率半导体器件切割成一个个的芯片区。划片道区有时也会放上监控生产工艺的测试器件，生产完成后，这些器件将不再发挥作用。由于现有技术中，有划片道内不设置金属层的传统，从而使得不再发挥作用的器件占据了半导体器件的宝贵面积。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术提供一种功率半导体器件及制造方法，达到缩小芯片区面积，进而减小半导体功率器件面积的目的。第一方面，本专利技术提供了一种功率半导体器件，包括划片道区与多个芯片区，所述划片道区用于分隔所述多个芯片区，其中，每个所述芯片区包括截止环区，所述截止环区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率半导体器件，包括划片道区与多个芯片区，所述划片道区用于分隔所述多个芯片区，其特征在于：每个所述芯片区包括截止环区，所述截止环区邻接所述划片道区，所述截止环区上覆盖有金属层，所述金属层的一部分设置在所述划片道区上。

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件，包括划片道区与多个芯片区，所述划片道区用于分隔所述多个芯片区，其特征在于：每个所述芯片区包括截止环区，所述截止环区邻接所述划片道区，所述截止环区上覆盖有金属层，所述金属层的一部分设置在所述划片道区上。2.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于：每个所述芯片区还包括元胞区、分压环区，所述分压环区设置为环绕所述元胞区，所述截止环区设置为环绕所述分压环区。3.如权利要求1或2所述的功率半导体器件，其特征在于：所述截止环区包括设置在基底中的截止环离子注入区和设置在基底上的介电层，所述金属层通过贯穿所述介电层的接触孔与所述截止环离子注入区电连接。4.如权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于：所述划片道区的基...

【专利技术属性】
技术研发人员：马万里，闻正锋，赵文魁，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11