半导体结构制造技术

本发明专利技术公开一种半导体结构，其包含有一第一电容与一第二电容。该第一电容包含有多个第一单元，各该第一单元包含多个第一指状电极。该第二电容包含有多个第二单元，各该第二单元包含多个第二指状电极。该等第一单元与该等第二单元交错排列形成一阵列。该半导体结构还包含有多个彼此平行的第一连接线与第二连接线，该等第一连接线电连接该等第一指状电极，且该等第一指状电极及其相邻的该等第一连接线形成一直线；该等第二连接线电连接该等第二指状电极，且该等第二指状电极及其相邻的该等第二连接线形成一直线。

Semiconductor structure

The invention discloses a semiconductor structure, which comprises a first capacitor and a second capacitor. The first capacitor comprises a plurality of first units, each of which comprises a plurality of first finger electrodes. The second capacitor comprises a plurality of second units, each of the second units including a plurality of second finger electrodes. The first unit and the other two units are staggered to form an array. The semiconductor structure also includes a plurality of parallel first connecting line and the second connecting line, the first connecting line is electrically connected to the first finger electrode, and the first interdigital electrode and adjacent the first connecting line form a straight line; the other two connection lines are electrically connected with the two finger. The electrode, and the other two finger electrode and the adjacent and two connecting line form a straight line.

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本专利技术涉及一种半导体结构，尤其是涉及一种可改善电容不匹配(mismatch)的半导体电容结构。
技术介绍
在现代的集成电路中，电容器为主要的电路元件之一。举例来说，业界用于逻辑模拟元件的电容器包含金属-氧化层-金属(metal-oxide-metal，MOM)电容器以及金属-绝缘层-金属(metal-insulator-metal，MIM)电容器等。电容器的电容值对制作工艺及结构设计是相当敏感的，所以各电容器的电容常因电容不匹配的问题，影响到后来数字信号的准确性。因此，业界仍需要一种可有效改善电容不匹配等问题的电容器结构。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种半导体结构，该半导体结构包含有一第一电容，设置于一第一膜层，该第一电容包含有多个第一单元，各该第一单元还包含多个第一指状电极。该半导体结构还包含有一第二电容，设置于该第一膜层，该第二电容包含有多个第二单元，该等第二单元与该等第一单元交错排列而形成一阵列，且各该第二单元还包含多个第二指状电极。该半导体结构还包含有多个设置于该第一膜层的第一连接线与第二连接线，该等第一连接线与该等第二连接线彼此平行。该等第一连接线电连接该等第一指状电极，且该等第一指状电极及其相邻的该等第一连接线形成一直线；而该等第二连接线电连接该等第二指状电极，且该等第二指状电极及其相邻的该等第二连接线形成一直线。本专利技术还提供一种半导体结构，该半导体结构包含有多个设置于一第一膜层与一第二膜层的第一指状电极、多个设置于该第一膜层与该第二膜层的第二指状电极、多个设置于该第一膜层与该第二膜层的共同指状电极、多个设置于该第一膜层内的第一连接线、以及多个设置于该第二膜层内的第二连接线。该等共同指状电极与该等第一指状电极交错叉合排列以于该第一膜层与该第二膜层内形成多个第一单元，且该等共同指状电极与该等第二指状电极交错叉合排列以于该第一膜层与该第二膜层内形成多个第二单元。该等第一连接线用以电连接该等第一单元内最相近的两个第一指状电极；而该等第二连接线以电连接该等第二单元内最相近的两个第二指状电极，且该等第一连接线与该等第二连接线彼此平行。根据本专利技术所提供的半导体结构，用以连接指状电极的连接线彼此皆为平行设置，因此在不影响电容不匹配的前提中更提升电容器的可靠度。附图说明图1至图3为本专利技术所提供的半导体结构的第一较佳实施例的示意图；图4为本专利技术所提供的一半导体结构的一第二较佳实施例的示意图；图5至图7为本专利技术所提供的一半导体元件的一第三较佳实施例的示意图；图8为本专利技术所提供的一半导体元件的第四较佳实施例的一示意图；图9为本专利技术所提供的半导体结构的第五较佳实施例的示意图；图10为本专利技术所提供的半导体元件的一第六较佳实施例的示意图；图11为本专利技术所提供的半导体元件的一第七较佳实施例的示意图；图12与图13为本专利技术所提供的一半导体元件的一第八较佳实施例的示意图。主要元件符号说明10、14第一膜层20、24第二膜层12膜层30、32保护环34插塞100、300、700第一单元110、310、710第一指状电极112、312、712第一电极120第三指状电极122第三电极130、330、730第一连接线132第三连接线200、400、800第二单元210、410、810第二指状电极212、412、812第二电极220第四指状电极222第四电极230、430、830第二连接线232第四连接线500、900共同指状电极714第一介层插塞814第二介层插塞914第三介层插塞d1、d2间距具体实施方式请参阅图1至图3，图1至图3为本专利技术所提供的半导体结构的第一较佳实施例的示意图。如图1所示，第一较佳实施例提供一第一电容C1与一第二电容C2，第一电容C1包含多个第一单元(unit)100，而第二电容C2包含多个第二单元200。在本较佳实施例中第一单元100与第二单元200的数量相同，也就是说第一单元100与第二单元200的数量比比值为1。如图1所示，各第一单元100分别包含多个第一指状电极110与多个第三指状电极120，且第一指状电极110与第三指状电极120交错叉合排列而构成该第一单元100。同理，各第二单元200分别包含多个第二指状电极210与多个第四指状电极220，且第二指状电极210与第四指状电极220交错叉合排列而构成该第二单元200。另外第一指状电极110通过一第一电极112彼此电连接而呈一梳子状，同理第三指状电极120通过一第三电极122彼此电连接而成一梳子状、第二指状电极210通过一第二电极212彼此电连接而成一梳子状、第四指状电极220通过一第四电极222彼此电连接而成一梳子状。第一单元100与第二单元200设置于第一膜层10与第二膜层20中，换句话说，第一指状电极110与第三指状电极120设置于第一膜层10与第二膜层20中；同理第二指状电极210与第四指状电极220也设置于第一膜层10与第二膜层20中，且第一膜层10与第二膜层20例如可以是位于后段金属内连线层的第一膜层(M1)与第二膜层(M2)，但不限于此。请继续参阅图1。在第一膜层10与第二膜层20中的第一单元100与第二单元200具有相同的排列位置。值得注意的是，第一膜层10与第二膜层20中第一单元100与第二单元200皆交错排列而形成一阵列。如图1所示，第一单元100与第二单元200所组成的阵列具有多行(column)与多列(row)，而设置于同一列的第一单元100的中心点与第二单元200的中心点如图1所示形成一折线。不仅如此，设置于同一行的第一单元100的中心点与第二单元200的中心点也如图1所示形成一折线。另外相邻列中的第一单元100的第一指状电极110与第三指状电极120排列顺序相反。举例来说，在单数列的第一单元100中，第一指状电极110与第三指状电极120的排列顺序是第三指状电极120为先，而第一指状电极110在后；然而在偶数列的第一单元100中，第一指状电极110与第三指状电极120的排列顺序则是第一指状电极110为先，而第三指状电极120在后。同理相邻列中的第二单元200的第二指状电极210与第四指状电极220排列顺序也相反。举例来说，在单数列的第二单元200中，第二指状电极210与第四指状电极220的排列顺序是第二指状电极210为先，而第四指状电极220在后；然而在偶数列的第二单元200中，第二指状电极210与第四指状电极220的排列顺序则是第四指状电极220为先，而第二指状电极210在后。请参阅图2。本较佳实施例所提供的半导体结构还包含多个第一连接线130，设置于第一膜层10，第一连接线130电连接第一指状电极110，也就是说，第一膜层10内的第一指状电极110通过第一电极112与第一连接线130全部电连接在一起。第一指状电极110及其相邻的第一连接线130平行，更如图2所示形成一直线。值得注意的是，第一连接线130通过连接第一指状电极110而将相邻列的第一单元100电连接，且相邻列的第一单元100如互生叶般交互排列在第一连接线130两侧。此外本较佳实施例所提供的半导体结构还包含多个第二连接线230，设置于第一膜层10，第二连接线230电连接第二指状电极210，也就是说，第一膜层10内的第二指状电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包含有：第一电容，设置于第一膜层，该第一电容包含有多个第一单元，各该第一单元还包含多个第一指状电极；第二电容，设置于该第一膜层，该第二电容包含有多个第二单元，该多个第二单元与该多个第一单元交错排列而形成一阵列，且各该第二单元还包含多个第二指状电极；多个第一连接线，设置于该第一膜层，该多个第一连接线电连接该多个第一指状电极，且该多个第一指状电极及其相邻的该多个第一连接线形成一直线；以及多个第二连接线，设置于该第一膜层并与该多个第一连接线平行，该多个第二连接线电连接该多个第二指状电极，且该多个第二指状电极及其相邻的该多个第二连接线形成一直线。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包含有：第一电容，设置于第一膜层，该第一电容包含有多个第一单元，各该第一单元还包含多个第一指状电极；第二电容，设置于该第一膜层，该第二电容包含有多个第二单元，该多个第二单元与该多个第一单元交错排列而形成一阵列，且各该第二单元还包含多个第二指状电极；多个第一连接线，设置于该第一膜层，该多个第一连接线电连接该多个第一指状电极，且该多个第一指状电极及其相邻的该多个第一连接线形成一直线；以及多个第二连接线，设置于该第一膜层并与该多个第一连接线平行，该多个第二连接线电连接该多个第二指状电极，且该多个第二指状电极及其相邻的该多个第二连接线形成一直线。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该阵列包含多行与多列。3.如权利要求2所述的半导体结构，其中设置于同一列的该多个第一单元的中心点与该多个第二单元的中心点形成一折线。4.如权利要求2所述的半导体结构，其中设置于同一行的该多个第一单元的中心点与该多个第二单元的中心点形成一折线。5.如权利要求1所述的半导体结构，其中各该第一单元还包含多个第三指状电极，设置于该第一膜层，且该多个第三指状电极与该多个第一指状电极交错叉合排列以形成该第一单元。6.如权利要求5所述的半导体结构，其中各该第二单元还包含多个第四指状电极，设置于该第一膜层，且该多个第四指状电极与该多个第二指状电极交错叉合排列以形成该第二单元。7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该多个第一指状电极与该多个第三指状电极还形成于一第二膜层，且该多个第二指状电极与该多个第四指状电极还形成于该第二膜层。8.如权利要求7所述的半导体结构，还包含多个第三连接线与多个第四连接线，设置于该第二膜层，该多个第三连接线电连接该多个第三指状电极，而该多个第四连接线电连接该多个第四指状电极。9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该多个第三连接线与该多个第四连接线彼此平行。10.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一单元与该第二连接线的间距，以及该第二单元与该第一连接线的间距皆介于0.6微米至0.8微米。11.如权利要求1所述的半导体结构，还包含多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑兆升，邱凯翎，曾志裕，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：