金属硅化物层的形成方法和NMOS晶体管的形成方法技术

本发明专利技术提供一种金属硅化物层的形成方法和NMOS晶体管的形成方法。所述金属硅化物层的形成方法包括：提供半导体衬底；采用物理气相沉积工艺，在所述半导体衬底上形成金属层，所述金属层包括碲元素；以及对所述半导体衬底及所述金属层进行热处理，在所述半导体衬底上形成金属硅化物层。在用于形成金属硅化物层的金属层中加入碲元素，使得金属硅化物层中包括碲元素，降低了金属硅化物层和与之接触的硅材料之间的肖特基势垒。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种金属硅化物层的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；采用物理气相沉积工艺，在所述半导体衬底上形成金属层，所述金属层包括碲元素；以及对所述半导体衬底及所述金属层进行热处理，在所述半导体衬底上形成金属硅化物层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖海波，鲍宇，平延磊，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：