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本发明提供一种金属硅化物层的形成方法和NMOS晶体管的形成方法。所述金属硅化物层的形成方法包括：提供半导体衬底；采用物理气相沉积工艺，在所述半导体衬底上形成金属层，所述金属层包括碲元素；以及对所述半导体衬底及所述金属层进行热处理，在所述半导...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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