半导体封装件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体封装件，公开了包括无半导体通孔（TSV）的中介片的半导体封装件的各种实施方式。一种半导体封装件，包括：第一有源芯片，位于中介片之上，所述中介片包括中介片电介质；所述中介片电介质，具有中介片内布线，所述第一有源芯片不利用半导体通孔（TSV）而利用所述中介片内布线将电信号传输至位于所述中介片之下的封装件基板。本文所公开的设计的各个实施方式通过中介片有利地实现了泄漏的大体减少或消除。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体封装件，更具体地，涉及具有无半导体通孔的超薄中介片的半导体封装件。
技术介绍
例如，诸如移动通信装置的许多被广泛使用的用户电子装置均需要集成电路(IC)用于其操作。随着这些电子装置变得日益复杂而同时常常尺寸减小，IC密度和封装成为愈发重要的设计限制。相应地，已研发出更先进的封装解决方案。一种这样的封装解决方案使用一个或多个中介片(interposer)来实现在单个封装件中多个有源半导体芯片的互联。现有的中介片一般包括形成在较厚半导体基板上的中介片电介质。半导体通孔(TSV:through-semiconductor via)常被用来在有源半导体芯片之间提供电连接,该有源半导体芯片可位于中介片上，且封装件基板位于中介片的下面。然而，通过半导体基板的泄漏会不利地影响通过TSV的电信号。
技术实现思路
为此，本公开提出了一种半导体封装件，具体地，一种具有无半导体通孔的超薄中介片的半导体封装件，可以避免通过半导体基板的泄漏会不利地影响通过TSV的电信号。(1)一种半导体封装件，包括:第一有源芯片，位于中介片之上，所述中介片包括中介片电介质；所述中介片电介质，具有中介片内布线，所述第一有源芯片不利用半导体通孔而利用所述中介片内布线将电信号传输至位于所述中介片之下的封装件基板。(2)根据(1)所述的半导体封装件，进一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，所述第二有源芯片不利用半导体通孔而利用所述中介片内布线将电信号传输至所述封装件基板。 (3)根据(1)所述的半导体封装件，进一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，所述第一有源芯片和所述第二有源芯片通过所述中介片传输芯片间信号。(4)根据(1)所述的半导体封装件，其中，所述中介片包括在所述中介片之下的中介片半导体。(5)根据(4)所述的半导体封装件，其中，所述中介片半导体包括连接垫，并且所述第一有源芯片通过所述中介片内布线和所述连接垫将电信号传输至所述封装件基板。(6)根据权利要求5所述的半导体封装件，进一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，所述第二有源芯片不利用半导体通孔而通过所述中介片内布线和所述连接垫将电信号传输至所述封装件基板。(7)根据(I)所述的半导体封装件，进一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，并进一步包括在所述第一有源芯片和所述第二有源芯片的各自的侧壁之间的填充材料，所述第一有源芯片通过所述填充材料将AC信号传输至所述第二有源芯片。(8)—种半导体封装件，包括:第一有源芯片，位于中介片之上，所述中介片包括中介片电介质，所述中介片电介质具有形成于其内的中介片内布线；中介片半导体，在所述中介片电介质之下，所述中介片半导体包括连接垫，所述第一有源芯片不利用半导体通孔而利用所述中介片内布线和所述连接垫将电信号传输至位于所述中介片之下的封装件基板。(9)根据(8)所述的半导体封装件，其中，所述连接垫延伸穿过所述中介片半导体以接触所述中介片内布线。(10)根据(8)所述的半导体封装件，其中，所述中介片电介质包括味之素TM增强II(ABF)0(11)根据(8 )所述的半导体封装件，其中，所述连接垫含有铜。(12)根据(8)所述的半导体封装件，进一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，所述第二有源芯片不利用半导体通孔而利用所述中介片内布线和所述连接垫将电信号传输至所述封装件基板。(13)根据(8)所述的半导体封装件，进一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，所述第一有源芯片和所述第二有源芯片通过所述中介片传输芯片间信号。(14)根据(8)所述的半导体封装件，进一步包括位于所述中介片之上的第二有源芯片，并进一步包括在所述第一有源芯片和所述第二有源芯片的各自的侧壁之间的填充材料，所述第一有源芯片通过所述填充材料将AC信号传输至所述第二有源芯片。(15)—种半导体封装件,包括:第一有源芯片和第二有源芯片,位于包括中介片电介质的中介片之上，所述中介片电介质具有形成于其内的中介片内布线；填充材料，在所述第一有源芯片和所述第二有源芯片的各自的侧壁之间，所述第一有源芯片通过所述填充材料将AC信号传输至所述第二有源芯片。(16)根据(15)所述的半导体封装件，其中，所述第一有源芯片和所述第二有源芯片中的至少一个不利用半导体通孔 (TSV)而利用所述中介片内布线将电信号传输至位于所述中介片之下的封装件基板。 (17)根据(15)所述的半导体封装件，其中，所述中介片电介质包括味之素TM增强II(ABF)0(18)根据(15)所述的半导体封装件，其中，所述中介片包括在所述中介片电介质之下的中介片半导体。(19)根据(18)所述的半导体封装件，其中，所述中介片半导体包括连接垫，且所述第一有源芯片和所述第二有源芯片中的至少一个不利用半导体通孔而通过所述中介片内布线和所述连接垫将电信号传输至位于所述中介片之下的封装件基板。(20)根据(19)所述的半导体封装件，其中，所述连接垫含有铜。通过利用具有减少的中介片半导体或没有中介片半导体的中介片，本文所公开的思想的各个实施方式通过中介片有利地实现了泄漏的大体减少或消除。此外，所述实施方式有利地公开了不具有TSV的中介片的使用。从而，本文公开的思想和实施方式实现了对穿过具有TSV的现有中介片的信号的不利影响的避免。此外，可通过本文所公开的各个实施方式实现小(超薄)型器件。附图说明图1示出了具有无半导体通孔(TSV)的超薄中介片的半导体封装件的一种实施方式的截面图。图2示出了具有无TSV的超薄中介片的半导体封装件的另一种实施方式的截面图。图3示出了具有无TSV的超薄中介片的半导体封装件的再一种实施方式的截面图。具体实施方式以下描述包括根据本公开的实施方式的具体信息。本领域技术人员应理解，本公开可以以不同于本文具体讨论的方式来实施。本申请中的附图及其相关详细描述仅涉及示例性实施方式。除非另外指出，否则图中相同或相应的元件可由相同或相应的附图标记表示。此外，本申请中的附图和示例一般不成比例，并不意为与实际相应的尺寸对应。图1示出了具有无半导体通孔(TSV)的超薄中介片的半导体封装件的一种实施方式的截面图。如图1所示，半导体封装件100包括第一有源芯片(die) 121、第二有源芯片122、中介片110和封装件基板102。如图1进一步所示，中介片110包括:中介片电介质112,具有形成在其中的中介片内布线(intra-1nterposer routing trace) 114、钝化层116、以及形成在钝化层116中以接触中介片内布线114的下凸点金属件(UBM) 118。在图1中还示出将中介片110电连接至封装件基板102的焊球104、以及将第一有源芯片121和第二有源芯片122电连接到中介片110的微凸点124。注意，尽管在图1中只有两个示例性中介片内布线由附图标记114具体指定，应理解，中介片电介质112内示出的12个中介片内布线中的任意或所有布线均可被表征为中介片内布线114。还应注意，在图1中尽管焊球104、UBM118和微凸点124中的每一个均只有一个被附图标记具体指定，但图1中示出的8个焊球、8个UBM和16个微凸点中的任意个或所有均可以分别被表征为焊球104、UBM118和微凸点124。例如，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装件，包括：第一有源芯片，位于中介片之上，所述中介片包括中介片电介质；所述中介片电介质，具有中介片内布线，所述第一有源芯片不利用半导体通孔而利用所述中介片内布线将电信号传输至位于所述中介片之下的封装件基板。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：桑帕施·K·V·卡里卡兰，赵子群，胡坤忠，雷佐尔·拉赫曼·卡恩，彼得·沃伦坎普，陈向东，
申请(专利权)人：美国博通公司，
类型：实用新型
国别省市：