电路基板构造及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种电路基板构造及其制作方法，所述电路基板构造主要包含一个氧化硅基板层及多个导线。每一所述导线垂直穿过所述氧化硅基板层。本发明专利技术的电路基板构造的氧化硅基板层及多个导线能取代现有硅间隔层及硅穿导孔的功能，以运用在一间隔件的上下表面电路之间的电性连接。相较于现有硅穿导孔在制作上较为费时，本发明专利技术结合打线工艺与溶胶凝胶法制作导线及氧化硅基板层，可以节省加工时间及降低制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是涉及一种，特别是涉及一种结合打线工艺与溶胶凝胶法取代硅穿导孔的。
技术介绍
在现有半导体
中，娃穿导孔(TSV, Through-Silicon Via)技术经常被运用在同一芯片或硅间隔件(interposer)的上下表面电路之间的电性连接，以应用在堆栈式的芯片封装中，因此硅穿导孔有利于3D堆栈式封装技术的发展，并能够有效提高芯片的整合度与效能。现有的直通硅穿孔的作法是在硅基板(如硅晶圆)上蚀刻出一个柱状孔，并且先在孔壁形成绝缘壁(例如化学气相沉积法，Chemical Vapor Deposition, CVD),绝缘壁例如为二氧化硅；接着，再将金属(例如铜)填入孔内形成导电金属柱，以及研磨或蚀刻所述硅基板的底部以曝露出所述导电金属柱。然而，所述以化学气相沉积法(CVD)所形成的直通硅穿孔的绝缘壁常有厚度不足或不均而可能造成漏电短路的问题，因此一定程度的影响所述直通硅穿孔的良率及电性传输质量。为解决上述问题，后续发展出一种制作直通硅穿孔的改良技术，其通过两次干式蚀刻的工艺来分别制作出二次硅深孔，以供依序填入绝缘壁及金属柱，如此可以有效改善绝缘壁厚度不足的问题。然而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路基板构造，其特征在于：所述电路基板构造包含：一个氧化硅基板层，具有一第一表面及对应侧的一第二表面；及多个导线，每一所述导线由所述第一表面垂直穿过所述氧化硅基板层至所述第二表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王昱祺，翁肇甫，黄泰源，徐悠和，周泽川，赵兴华，吴荣富，陈志松，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：