用于共享集成电路装置中的内部电源的方法和设备制造方法及图纸

本发明专利技术描述了用于共享集成电路装置中的内部电源的方法、系统和设备。包装（201）中包含多装置集成电路（200），该多装置集成电路（200）包括多个集成电路（202-205），每个集成电路具有内部电源。所描述的集成电路（202-205）示出了如何建立到内部电源的外部连接。连接（208-212）被提供给每个装置（202-205）的内部电源。系统的另一个实施例（500）提供由另一集成电路（501）禁用多个集成电路（502）、（503）和（504）中的调节器以降低功耗。所述方法包括提供装置并将内部电源连接在一起。本发明专利技术描述了具有适于所述系统和方法的电源（400）和用于禁用调节器（306）的附加电路（308）、（404）和（402）的集成电路（501）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总地涉及集成电路装置，并且尤其涉及具有内部电源的集成电路装置。
技术介绍
诸如DRAM (动态随机存取存储器)和闪存(电可擦除/可编程非易失性存储器)的集成电路装置通常针对不同操作需要多个电压来操作，该不同操作包括存储、读取和擦除数据。通过使用通常称作Vdd的外部供应的电压源来内部生成这些电压。传统的DRAM装置可具有:Vpp电源，用于提供高电压以用于将字线驱动至高于存储器单元中所存储的Vdd电平的电平；Vdd/2电源，用于驱动单元基板达到中间轨电位(mid-rail potential);以及Vbb电源,用于向存储器单元基底提供负反向偏置电位。传统的NAND闪存装置可具有泵电路(pump circuit)用于生成-Jpass,以在页面读取操作期间应用于所选块中的未选择的字线；Vpgm，以在页面编程操作中应用于所选字线；以及以在块擦除操作期间应用于所选块中的字线。这些内部电源电路占据了大量芯片面积并且增加了晶圆尺寸和成本，尤其在使用需要大的泵和储能电容器的电容式泵电路时会导致该问题。电源电路还可能限制性能。例如，在NAND闪存装置中，必须将Vpgm电压脉冲化，并且与验证读本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：P·吉利厄姆，
申请(专利权)人：莫塞德技术公司，
类型：
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