一种多晶硅料生产还原炉用电极保护罩的清洗方法技术

本发明专利技术提供了一种多晶硅料生产还原炉用电极保护罩的清洗方法，包括以下步骤：将待清洗的电极保护罩浸入质量分数为6~12%的碱液中，在30~60℃下超声清洗10~200分钟；超声清洗完毕后，采用20~60℃去离子水鼓泡喷淋清洗至洗出液的pH呈中性，氮气干燥后，即得清洁的再生电极保护罩。该清洗方法采用物理与化学方法相结合，工艺简单，能有效去除还原炉电极保护罩表面沉积的多晶硅，实现保护罩得到重复利用，有利于降低多晶硅的生产成本，提升多晶硅产品的成本竞争优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及多晶硅生产领域，尤其涉及。
技术介绍
目前西门子法是当今生产多晶硅的主流技术，采用该技术生产的高纯硅约占全球娃总产量的80%。而在多晶娃的生产过程中，三氯氢娃会在还原炉内氢气气氛下加热到1080°C的硅芯表面发生气相沉积反应，析出多晶硅，而还原炉的电极保护罩主要起到了阻热的作用，因此其表面温度通常超过800°C。而三氯氢硅与氢气在700°C就可以反应生成多晶硅，故多晶硅的生产过程中，保护罩表面通常被多晶硅覆盖，覆盖率一般超过97%(保护罩上表面覆盖率100%，保护罩侧面及内表面覆盖率>95%);其保护罩内表面的多晶硅距离底盘的最近距离只有l-3cm，保护罩上表面的多晶硅距离电极上的石墨夹头只有l-3mm的间隙；如果不将保护罩表面的硅去除，则弃之不能重复利用；否则将在多晶硅沉积过程中极易造成电流短路，对设备造成严重损害，并严重影响正常的生产。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术旨在提供，该方法采用物理与化学方法相结合进行清洗，能有效去除保护罩表面的多晶硅，使其能达到使用要求，实现废弃保护罩的重复利用，使废弃保护罩的经济价值最大化，有利于降低多晶硅的生产成本，提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅料生产还原炉用电极保护罩的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将待清洗的电极保护罩浸入质量分数为6~12%的碱液中，在30~70℃下超声清洗10~200分钟；（2）超声清洗完毕后，采用20~60℃去离子水鼓泡喷淋清洗至洗出液的pH呈中性，氮气干燥后，即得清洁的再生电极保护罩。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅料生产还原炉用电极保护罩的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤 (O将待清洗的电极保护罩浸入质量分数为6 12%的碱液中，在3(T70°C下超声清洗10 200分钟； (2)超声清洗完毕后，采用2(T60°C去离子水鼓泡喷淋清洗至洗出液的pH呈中性，氮气干燥后，即得清洁的再生电极保护罩。2.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，在所述超声清洗完毕后，进一步包括将所述电极保护罩采用4(T60°C去离子水清洗2 30分钟，再将所述电极保护罩在3(T60°C下采用酸液浸泡2 30分钟。3.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述碱液的质量分...

【专利技术属性】
技术研发人员：敖小俊，聂思武，吴一兵，辛钧启，
申请(专利权)人：江西赛维LDK光伏硅科技有限公司，
类型：发明
国别省市：