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本发明提供了一种多晶硅料生产还原炉用电极保护罩的清洗方法,包括以下步骤:将待清洗的电极保护罩浸入质量分数为6~12%的碱液中,在30~60℃下超声清洗10~200分钟;超声清洗完毕后,采用20~60℃去离子水鼓泡喷淋清洗至洗出液的pH呈中性...该专利属于江西赛维LDK光伏硅科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过江西赛维LDK光伏硅科技有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种多晶硅料生产还原炉用电极保护罩的清洗方法,包括以下步骤:将待清洗的电极保护罩浸入质量分数为6~12%的碱液中,在30~60℃下超声清洗10~200分钟;超声清洗完毕后,采用20~60℃去离子水鼓泡喷淋清洗至洗出液的pH呈中性...