集成的半导体处理设备制造技术

本发明专利技术涉及一种集成的半导体处理设备，包括：集成的半导体处理主体，所述集成的半导体处理主体具有第一空间和第二空间，所述第一空间用于存储容纳有多个晶片的多个FOUP，并且在所述第二空间中安装有用于对存储在所述第一空间中的晶片进行处理的处理装置；装载口模块，所述装载口模块安装在所述集成的半导体处理主体的所述第一空间中，所述装载口模块开启所述FOUP以便使晶片能够从FOUP中被提取出来；以及传输装置，所述传输装置从所述FOUP提取晶片并且将晶片传输至所述第二空间中的所述处理装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及供应半导体晶片至用于对半导体进行热处理的热处理工艺的技术。更具体地，本专利技术涉及可使晶片从其所存储处到晶片处理装置的传输线长度最短并且晶片被供应给晶片处理装置的过程中相对外界暴露最少的技术。
技术介绍
一般地，随着半导体技术进步的加快，生产半导体所需的晶片的处理技术的研究变得活跃起来。晶片是用于生产半导体的材料片。硅晶片在成为半导体制造中所用的材料之前，经受不同种类的处理步骤。硅晶片是通过将圆柱形锭切成薄片而形成的圆形薄板，而所述圆柱形锭是通过使 与硅半导体的材料相同种类的材料的晶体生长而形成的。在使晶体生长以生产硅晶片的方法中，氧与硅晶片化合。这种形成于硅晶片上的杂质导致受控电阻值变得与期望电阻值不同。因此，热处理方法需要从晶片去除氧从而生广闻质量晶片。而且，热处理方法也需要消除机械加工应力或减少晶片晶体的缺陷。生产率和生产量是涉及对晶片进行热处理的方法的重要因素。增加生产量，换句话说，生产高质量晶片，是晶片热处理的明显目的。据此，需要能够快速地对晶片进行热处理并且生产大量的经热处理的晶片。
技术实现思路
技术问题因此，本专利技术考虑在现有技术中存在的以上问题，并且本专利技术的目的是提供一种集成的半导体处理设备，该设备用于对硅晶片进行热处理的方法中以生产半导体并且构造为使得晶片被传输的距离最小化，从而减少用于处理晶片的时间，进而提高经热处理的晶片的生产率。本专利技术的另一个目的是提供一种可以使晶片对外界的时空暴露最小化的集成的半导体处理设备，从此提供热处理中的生产量。本专利技术的又一目的是提供一种部件以合适地互相立体组合以形成紧凑结构的集成的半导体处理设备，从而减小在工厂中安装设备所需的空间。技术方案为了实现以上目标，本专利技术提供一种集成的半导体处理设备，包括集成的半导体处理主体，所述集成的半导体处理主体具有第一空间和第二空间，所述第一空间用于存储容纳有多个晶片的多个F0UP，并且在所述第二空间中安装有用于对存储在所述第一空间中的晶片进行处理的处理装置；装载口模块，所述装载口模块安装在所述集成的半导体处理主体的所述第一空间中，所述装载口模块开启所述FOUP以便使晶片能够从FOUP中被提取出来；以及传输装置，所述传输装置从所述FOUP提取晶片并且将晶片传输至所述第二空间中的所述处理装置。所述第一空间可存储一至四十个FOUP。所述装载口模块可包括安装在所述第一空间中的多个装载口模块，其中所述装载口模块中的至少一个装载口模块可将已经存储在对应FOUP中并且未被处理的晶片传输到所述处理装置，并且所述装载口模块中的其余装载口模块中的一个可将已经由所述处理装置处理的晶片传输至该FOUP使得晶片可以再次存储在该FOUP中。所述的集成的半导体处理设备，可还包括F0UP传输机械手，所述FOUP传输机械手安装在所述第一空间中以便在所述FOUP中的至少一个FOUP的存储位置与所述装载口模块之间传输该至少一个F0UP。·所述FOUP传输机械手可包括传输臂，所述传输臂夹持并且举起FOUP ；以及臂旋转单元，所述臂旋转单元旋转所述传输臂。所述FOUP传输机械手可包括夹持并且举起FOUP的传输臂，其中所述传输臂可包括分别设置在前侧和后侧的传输臂。所述处理装置可包括从用于对晶片进行热处理的热处理装置、蚀刻器和汽相沉淀装置中选择的一种。所述集成的半导体处理主体中可设置有空间隔墙。所述空间隔墙可用于将所述第一空间与所述第二空间隔断。所述空间隔墙可具有形成在所述空间隔墙中的连接开口。所述连接开口可将所述第一空间与所述第二空间连通，使得已经存储在所述FOUP中的晶片从所述第一空间提供到所述第二空间中的所述处理装置处。此外，所述集成的半导体处理主体中设置开口门以便可开启地关闭所述连接开□。有益效果根据本专利技术，用于处理晶片的部件可以集成在单个设备中，使传输晶片的传输线的长度最小，因此减少了处理时间。而且，使晶片对外界的时空暴露最小，因而提高了晶片处理量。此外，用于处理晶片的部件以紧凑地立体组装到一起，使得在工厂中安装该半导体处理设备所需空间最小。附图说明图1是根据本专利技术实施例的集成的半导体处理设备的透视图；图2是根据本专利技术实施例的集成的半导体处理设备的侧视图；图3至图6是表示根据本专利技术的FOUP传输机械手的实施例的平面图；图7是根据本专利技术的装载口模块的实施例的透视图；图8是示出根据本专利技术的装载口模块的结构的截面图；图9是示出根据本专利技术另一实施例的集成的半导体处理设备的内部结构的示意图；以及*附图中的元件说明*10 :集成的半导体处理主体11 :第一空间12 :第二空间20 :装载口模块30 :传输装置40 :处理装置50 F0UP传输机械手具体实施例方式在下文中，将参照附图详细地描述本专利技术的优选实施例。参照图1和图2，根据本专利技术的集成的半导体处理设备包括具有第一空间11和第二空间12的集成的半导体处理主体10。第一空间11和FOUP I形成无氧环境以防止晶片受损。例如，第一空间11和FOUPI可以被填充氮，以防止晶片与氧化合。每个FOUP I的形状是在其一侧上具有门Ia的壳体的形状，以便该壳体由门Ia可开启地关闭。FOUP I可以存储待处理的或已经被处理的晶片。也可以将已由处理装置40处理的晶片存储在第一空间11中。 因此，可以将不仅存储未处理晶片而且还存储已处理晶片的多个FOUP I 一起容纳在第一空间11中。例如，容纳FOUP I的第一空间11被划分为第一部分和第二部分，并且第一空间容纳多个存储未处理晶片的FOUP 1，而第二空间容纳多个存储已处理晶片的FOUP I。第一空间11 一般地容纳一至四十个FOUP I。在本专利技术的实施例中，第一部分具有平行六面体结构。FOUP I可以按如下方式设置在第一部分的内侧壁上预定数量的FOUP I设置在几个部分中的每个部分上并且一个FOUP I堆叠在另一个FOUP I的顶部上。例如，FOUP I以一个堆叠在另一个顶部的方式堆叠在第一空间11的(在第一部分下部安装有装载口模块20的)一个侧壁的两侧的每侧处。在图1中示出这一点的详细形状。支承FOUP I的安装底座(诸如机架或框架)IOc设置在第一空间11中使得FOUPI可以容易地存储在第一空间11中。在该实施例中，可以支承FOUP I的安装底座IOc设置在空间隔墙13的前表面的上部上，该空间隔墙13设置在第一空间11中。装载口模块20设置在第一空间11的下部中以开启FOUP I并且允许从FOUP I提取晶片。优选地,本专利技术还包括FOUP传输机械手50,该FOUP传输机械手50安装在第一空间11中并且在其存储位置与相应装载部分模块20之间传输FOUPl。FOUP传输机械手50包括用于支承FOUP I的装置和用于传输FOUP I的装置。用于传输的装置可以向前、向后、向上、向下、向左和向右移动以在其存储位置与相应装载口模块20之间传输FOUP I。FOUP传输机械手50包括垂直传输导轨51、水平传输导轨52和FOUP夹持器53。垂直传输导轨51设置在第一空间11中并且被垂直地定向。水平传输导轨52设置在第一空间11中并且被水平地定向。水平传输导轨52连接到垂直传输导轨51，以便水平传输导轨52可以通过分离驱动装置而沿着垂直传输导轨51垂直地移动。FOUP夹持器本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.05.07 KR 10-2010-0042747;2011.05.06 KR 10-2011.一种集成的半导体处理设备，包括 集成的半导体处理主体，所述集成的半导体处理主体具有第一空间和第二空间，所述第一空间用于存储容纳有多个晶片的多个FOUP，并且在所述第二空间中安装有用于对存储在所述第一空间中的晶片进行处理的处理装置； 装载口模块，所述装载口模块安装在所述集成的半导体处理主体的所述第一空间中，所述装载口模块开启所述FOUP以便使晶片能够从FOUP中被提取出来；以及 传输装置，所述传输装置从所述FOUP提取晶片并且将晶片传输至所述第二空间中的所述处理装置。2.根据权利要求1所述的集成的半导体处理设备，其中，所述第一空间存储一至四十个 FOUP。3.根据权利要求1所述的集成的半导体处理设备，其中，所述装载口模块包括安装在所述第一空间中的多个装载口模块，其中所述装载口模块中的至少一个装载口模块将已经存储在对应FOUP中并且未被处理的晶片传输到所述处理装置，并且所述装载口模块中的其余装载口模块中的一个将已经由所述处理装置处理的晶片传输至该FOUP使得晶片可以再次存储在该FOUP中。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：刘政昊，
申请(专利权)人：纳米半导体株，
类型：
国别省市：