【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及供应半导体晶片至用于对半导体进行热处理的热处理工艺的技术。更具体地，本专利技术涉及可使晶片从其所存储处到晶片处理装置的传输线长度最短并且晶片被供应给晶片处理装置的过程中相对外界暴露最少的技术。
技术介绍
一般地，随着半导体技术进步的加快，生产半导体所需的晶片的处理技术的研究变得活跃起来。晶片是用于生产半导体的材料片。硅晶片在成为半导体制造中所用的材料之前，经受不同种类的处理步骤。硅晶片是通过将圆柱形锭切成薄片而形成的圆形薄板，而所述圆柱形锭是通过使 与硅半导体的材料相同种类的材料的晶体生长而形成的。在使晶体生长以生产硅晶片的方法中，氧与硅晶片化合。这种形成于硅晶片上的杂质导致受控电阻值变得与期望电阻值不同。因此，热处理方法需要从晶片去除氧从而生广闻质量晶片。而且，热处理方法也需要消除机械加工应力或减少晶片晶体的缺陷。生产率和生产量是涉及对晶片进行热处理的方法的重要因素。增加生产量，换句话说，生产高质量晶片，是晶片热处理的明显目的。据此，需要能够快速地对晶片进行热处理并且生产大量的经热处理的晶片。
技术实现思路
技术问题因此，本专利技术考虑在现有技术中存...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.05.07 KR 10-2010-0042747;2011.05.06 KR 10-2011.一种集成的半导体处理设备，包括 集成的半导体处理主体，所述集成的半导体处理主体具有第一空间和第二空间，所述第一空间用于存储容纳有多个晶片的多个FOUP，并且在所述第二空间中安装有用于对存储在所述第一空间中的晶片进行处理的处理装置； 装载口模块，所述装载口模块安装在所述集成的半导体处理主体的所述第一空间中，所述装载口模块开启所述FOUP以便使晶片能够从FOUP中被提取出来；以及 传输装置，所述传输装置从所述FOUP提取晶片并且将晶片传输至所述第二空间中的所述处理装置。2.根据权利要求1所述的集成的半导体处理设备，其中，所述第一空间存储一至四十个 FOUP。3.根据权利要求1所述的集成的半导体处理设备，其中，所述装载口模块包括安装在所述第一空间中的多个装载口模块，其中所述装载口模块中的至少一个装载口模块将已经存储在对应FOUP中并且未被处理的晶片传输到所述处理装置，并且所述装载口模块中的其余装载口模块中的一个将已经由所述处理装置处理的晶片传输至该FOUP使得晶片可以再次存储在该FOUP中。4....
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