一种基板制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体加工技术领域，公开了一种基板制备方法，包括：形成防护层，对防护层进行处理，得到相应图形的防护层，并使防护层的表面粗糙化；在所述防护层的粗糙表面上生成金属层；对所述金属层进行曝光显影、以及湿法刻蚀进行构图。在形成防护层时，对防护层进行处理，可以使防护层的表面比较粗糙，在对防护层的粗糙表面上形成的金属层进行过刻时，刻蚀液可以通过防护层的粗糙表面上的坑洼处进行渗透，使刻蚀液可对金属层的底面进行刻蚀，发生侧面刻蚀，侧面刻蚀的发生能够提高刻蚀液对金属层的刻蚀速率，进而提高基板整体的产出效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体加工
，特别涉及。
技术介绍
目前，在半导体加工，特别是液晶显示装置的TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)阵列基板等基板的制备工艺中，都是在一些防护层的平滑表面沉积金属层，然后对金属层进行构图，如曝光显影、湿法刻蚀等来形成所需要的图形，湿法刻蚀具有稳定性好，工艺简单的优点。如图1所示，金属层2沉积于防护层I的平滑表面上，沉积均匀的金属层2的底面在防护层I的平滑表面上密度均匀，在对金属层2的湿法刻蚀过程中，首先对金属层2中没有光刻胶3保护的位置进行刻蚀，刻蚀之后还需要对有光刻胶3保护的金属层2的位置进行适当时间的过刻，以保证将金属层2中需要刻蚀的金属全部刻蚀掉，得到如图2所示的图形。由于金属层2沉积于防护层I的平滑表面上，导致进行过刻时，刻蚀液只能通过金属的上表面以及周面进行刻蚀，刻蚀的速率较慢，影响了基板整体的产出效率。
技术实现思路
本专利技术提供了，该制备方法中对防护层上方的金属层进行湿法刻蚀时会产生钻刻现象，从而提高湿法刻蚀的刻蚀速率，提高基板整体的产出效率。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案 —种基板制备方法,包括形成防护层，对防护层进行处理，使防护层的表面粗糙化；在所述防护层的粗糙表面上生成金属层；对所述金属层进行曝光显影、以及湿法刻蚀进行构图。优选地，所述防护层由SiNx材料制作而成，所述对防护层进行处理具体包括用O2 (氧)离子对防护层的表面进行低功率轰击。优选地，所述用O2离子对基板表面进行低功率轰击中，O2离子的轰击功率为 5 20KW，轰击时间10 20s。优选地，所述防护层由有机材料制作而成，所述对防护层进行处理包括清洗防护层，并利用远紫外线对空气进行照射，使空气中的O2离子变为O3 (臭氧) 离子，O3离子与防护层表面的有机材料反应。优选地，所述防护层为阵列基板的栅极绝缘层。优选地，所述防护层为阵列基板的钝化层。优选地，所述防护层形成于阵列基板制备过程中使用的成膜参数测试基板上。本专利技术提供的基板制备方法，包括形成防护层，对防护层进行处理，得到相应图形的防护层，并使防护层的表面粗糙化；在所述防护层的粗糙表面上生成金属层；对所述金属层进行曝光显影、以及湿法刻蚀进行构图。在形成防护层时，对防护层进行处理，可以使防护层的表面比较粗糙，在对防护层的粗糙表面上形成的金属层进行过刻时，刻蚀液可以通过防护层的粗糙表面上的坑洼处进行渗透，使刻蚀液可对金属层的底面进行刻蚀，发生侧面刻蚀，侧面刻蚀的发生能够提高刻蚀液对金属层的刻蚀速率，进而提高基板整体的产出效率。附图说明图1为现有技术中金属层曝光之后的结构示意图2为现有技术中刻蚀完成之后的结构不意图3为本专利技术实施例中对位于防护层粗糙表面上的金属层侧面刻蚀的原理图4为本专利技术提供的基板制备方法的流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图4所示，本专利技术提供了，包括步骤S401 :形成防护层01，对防护层01进行处理，使防护层的表面粗糙化；如图3 所示防护层01的粗糙表 面011。步骤S402 :在所述防护层01的粗糙表面011上生成金属层02 ；步骤S403 :对所述金属层02进行曝光显影、以及湿法刻蚀进行构图。在形成防护层时，对防护层进行处理后，使防护层01的表面比较粗糙，如图3中所示防护层01的粗糙表面011，在对防护层01的粗糙表面011上形成的金属层02进行过刻时，刻蚀液可以通过防护层01的粗糙表面011上的坑洼处进行渗透，如图3中所示位置a， 使刻蚀液可对金属层02的底面进行刻蚀，发生侧面刻蚀，侧面刻蚀的发生能够提高刻蚀液对金属层02的刻蚀速率，进而提高基板整体的产出效率。当然，上述防护层01的制备材料可以有多种选择，且根据上述防护层01的材料不同，其处理方式也不同方式一上述防护层01可以由SiNx材料制作而成，此时，步骤S401中描述的对防护层01进行处理具体包括用O2离子对防护层01的表面进行低功率轰击，从而使防护层的表面粗糙化，得到防护层01的粗糙表面011。使用O2离子对防护层的表面进行低功率轰击，可以在保证防护层01在不受到过度的损伤的情况下将其表面粗糙化，O2离子在防护层01的表面轰出的坑洼均匀，实现粗糙表面011的粗糙程度达到要求，满足在对金属层02的过刻过程中加快刻蚀速率的目的。优选地，上述技术方案中使用O2离子对防护层01的表面进行低功率轰击时，O2离子的轰击功率为5 20KW，轰击时间l(T20s。限于轰击设备的最低启动标准，本技术方案中O2离子的轰击功率不能低于5KW，而同时，为保证防护层01在O2离子轰击时不受到过度损伤，O2离子的轰击功率不能高于20KW，O2离子的轰击功率可以为5KW、7KW、10KW、15KW.20KW 等，当然轰击时间可以为10s、12s、15s、17s、20s等，02离子的轰击功率和轰击时间的选择可以多样化，只要能够在保证防护膜01在不受过度损伤的情况下得到满足粗糙程度的粗糙表面011即可，这里不再一一列举。方式二 上述防护层01还可以由有机材料制作而成，此时，步骤S401中描述的对防护层01进行处理具体包括在对防护层01进行清洗，并使用远紫外光线对空气进行照射，使空气中的O2离子变为O3离子，O3离子与防护层01表面的有机物产生反应，进而制造出粗糙的表面。具体的，上述技术方案中基板制备方法可以应用在多种基板上优选方案一，上述防护层01可以为阵列基板的栅极绝缘层。优选方案二，上述防护层01还可以为阵列基板的钝化层。因此，根据优选方案一和优选方案二可知，上述基板制备方法可以应用到阵列基板的制备方法中。当然，还可以应用到触控膜制备、彩膜基板制备等工艺中，这里不再赘述。优选方案三，上述防护层01还可以形成于阵列基板制备过程中使用的成膜参数测试基板上。成膜参数测试基板用来确认阵列基板制备过程中各层金属层的成膜参数，一般来说，一张成膜参数测试基板在所用过程中会经过反复的沉积金属层、刻蚀，以实现对其最大的利用率。但是，经过多次沉积刻蚀后，成膜参数测试基板表面的金属残留物会很难刻蚀干净，而利用上述基板制备方法中的方案，在可以在基板中的底层防护层增加粗糙结构， 从而可以在对其进行刻蚀时产生侧面刻蚀，加快刻蚀的速度，以保证对使得玻璃基板利用率的进一步提闻。 显然，本领域的技术人员可以对本专利技术实施例进行各种改动和变型而不脱离本专利技术的精神和范围。这样，倘若本专利技术的这些修改和变型属于本专利技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本专利技术也意图包含这些改动和变型在内。权利要求1.，其特征在于，包括形成防护层，对所述防护层进行处理，使所述防护层的表面粗糙化；在所述防护层的粗糙表面上生成金属层；对所述金属层进行曝光显影、以及湿法刻蚀来完成构图工艺。2.根据权利要求1所述的基板制备方法，其特征在于，所述防护层由SiNx材料制作而成，所述对防护层进行处理具体包括用O2离子对防护层的表面进行低功率轰击。3.根据权利要求2所述的基板制备方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板制备方法，其特征在于，包括：形成防护层，对所述防护层进行处理，使所述防护层的表面粗糙化；在所述防护层的粗糙表面上生成金属层；对所述金属层进行曝光显影、以及湿法刻蚀来完成构图工艺。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：