一种探测基板、其驱动方法及探测装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种探测基板、其驱动方法及探测装置，其中，该探测基板包括：衬底基板和位于衬底基板上呈阵列排布的多个探测单元；各个探测单元中信号读出晶体管的第一极与信号传输端耦接，第二极与放大晶体管的第一极耦接，且栅极与信号读出端耦接；放大晶体管的第二极与第一电源端耦接，且栅极分别与复位晶体管的第一极和探测控制晶体管的第一极耦接；复位晶体管的第二极与第二电源端耦接，且栅极与复位控制端耦接；探测控制晶体管的第二极与光电传感器的第一极耦接，且栅极与探测控制端耦接；存储电容耦接于光电传感器的第一极和第二极之间，且光电传感器的第二极与偏置电压端耦接；等效电容耦接于放大晶体管的栅极和第三电源端之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及探测，特别涉及一种探测基板、其驱动方法及探测装置。

技术介绍

1、近年来玻璃基光学指纹在终端市场得到了广泛的肯定，其相应的传感器性能亟待进一步提升。

2、如图1所示的传统主动式像素传感器(active pixel sensor，aps)3t像素读取电路中，01表示扫描tft，02表示放大tft，03表示复位tft，04表示pin器件。其中，放大tft相应的栅极g点的电压的漏电路径如图1中箭头x所示，导致g点电位增大。由于常规pin感光之后，g点电位为减小，相应变化量为感光量的体现，g点漏电会导致采集量不足。此外，g点的漏电路径会使得g点电压随着关态电流(ioff)的不同，电压保持时间的不同，而发生漏电引起电压变化量的不均一性，从而影响噪声、信噪比以及图像质量等传感器特性。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种探测基板、其驱动方法及探测装置，用于降低光电二极管漏电可能性，减小漏流引起的噪声，提高面内均一性，提高了aps传感器的图像稳定性以及成像质量。

2、第一方面，本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种探测基板，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述等效电容包括层叠设置的第一电极和第二电极，所述第一电极与所述放大晶体管的栅极耦接，所述第二电极与所述第三电源端耦接，所述第三电源端与所述偏置电压端加载相同的电位信号，或者所述第三电源端与所述信号读出端加载相同的电位信号。

3.如权利要求2所述的探测基板，其特征在于，所述等效电容还包括设置在所述第二电极背离所述第一电极一侧的第三电极，所述第一电极与所述第三电极短接。

4.如权利要求3所述的探测基板，其特征在于，所述探测基板包括依次设置在所述衬底基板上的有源层、栅极金属层...

【技术特征摘要】

1.一种探测基板，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述等效电容包括层叠设置的第一电极和第二电极，所述第一电极与所述放大晶体管的栅极耦接，所述第二电极与所述第三电源端耦接，所述第三电源端与所述偏置电压端加载相同的电位信号，或者所述第三电源端与所述信号读出端加载相同的电位信号。

3.如权利要求2所述的探测基板，其特征在于，所述等效电容还包括设置在所述第二电极背离所述第一电极一侧的第三电极，所述第一电极与所述第三电极短接。

4.如权利要求3所述的探测基板，其特征在于，所述探测基板包括依次设置在所述衬底基板上的有源层、栅极金属层、源漏金属层；

5.如权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述等效电容包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述放大晶体管的栅极耦接，所述薄膜晶体管的第一电极和第二电极均与所述第三电源端耦接。

6.如权利要求5所述的探测基板，其特征在于，所述薄膜晶体管、所述信号读出晶体管、所述放大晶体管、所述复位晶体管和所述探测控制晶体管的类型相同。

7.如权利要求5所述的探测基板，其特征在于，所述薄膜晶体管与所述信号读出晶体管、所述放大晶体管、所述复位晶体管和所述探测控制晶体管的类型相反。

8.如权利要求1-7任一项所述的探测基板，其特征在于，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张洁，程锦，蔡寿金，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：