【技术实现步骤摘要】
本公开涉及探测，尤其涉及一种平板探测器及探测基板。
技术介绍
1、随着社会的发展和科学技术的不断进步，平板探测器在医学影像等领域中逐步得到广泛应用。平板探测器包括探测基板。探测基板包括衬底和光电二极管。该光电二极管设于衬底上。然而，现有的探测基板还有待改进。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供一种平板探测器及探测基板，能够提高成像质量。
2、根据本公开的一个方面，提供一种探测基板，包括：
3、衬底；
4、光电转换结构，设于所述衬底的一侧；
5、多个透镜单元，设于所述光电转换结构的入光侧；多个所述透镜单元构成多个透镜单元列，相邻的两个所述透镜单元列错开设置。
6、进一步地，所述光电转换结构包括多个探测像素区，所述探测像素区包括多个感光器件，多个所述探测像素区中的多个所述感光器件与多个所述透镜单元一一对应。
7、进一步地，多个所述透镜单元列包括多个第一透镜单元列和多个第二透镜单元列，所述第一透镜单元列和所述第二透镜单元列交替设置，相邻的两个所述第一透镜单元列对齐设置，相邻的两个所述第二透镜单元列对齐设置。
8、进一步地，多个所述探测像素区呈矩形分布，所述探测像素区包括四个所述感光器件，与四个所述感光器件对应设置的四个所述透镜单元呈平行四边形分布。
9、进一步地，与四个所述感光器件对应设置的四个所述透镜单元呈菱形分布。
10、进一步地，所述探测像素区包括两个所述感光器件，与两个
11、进一步地，多个所述探测像素区呈矩形分布，所述探测像素区包括两个或四个所述感光器件。
12、进一步地，所述感光器件为光电二极管，所述光电二极管包括相对设置的第一电极和第二电极；所述探测基板还包括：
13、电路层，包括多个像素电路，多个所述像素电路与多个所述探测像素区一一对应；一个所述探测像素区中的多个所述感光器件的第一电极短接，且与对应地所述像素电路连接。
14、进一步地，所述像素电路与读取信号线以及数据信号线连接，用于在所述读取信号线传输的信号的控制下控制所述像素电路向所述数据信号线传输信号；
15、多个所述探测像素区呈矩形分布，所述数据信号线沿着列方向延伸，所述读取信号线包括多个第一线路单元，多个所述第一线路单元沿着行方向依次连接，所述第一线路单元包括第一线段和第二线段，所述第二线段沿着列方向延伸，所述第一线段连接于所述第二线段的一端，且所述第一线段与所述第二线段的夹角为锐角。
16、进一步地，所述像素电路与重置信号线以及电源线连接，用于在所述重置信号线传输的信号的控制下控制所述第一电极与电源线连接；
17、所述电源线沿着列方向延伸，所述重置信号线包括多个第二线路单元，多个所述第二线路单元沿着行方向依次连接，所述第二线路单元包括第三线段和第四线段，所述第四线段沿着列方向延伸，所述第三线段连接于所述第四线段的一端，且所述第三线段与所述第四线段的夹角为锐角。
18、进一步地，在行方向上所述电源线与所述数据信号线位于所述像素电路区的两侧，在列方向上所述重置信号线与所述读取信号线位于所述像素电路区的两侧。
19、进一步地，所述像素电路包括重置晶体管、放大晶体管以及读取晶体管；所述重置晶体管的源极连接于电源线，所述重置晶体管的栅极连接于重置信号线；所述放大晶体管的源极连接于所述电源线，所述放大晶体管的栅极连接于所述重置晶体管的漏极，且与所述光电二极管的第一电极连接；所述读取晶体管的源极连接于放大晶体管的漏极，所述读取晶体管的栅极连接于读取信号线，所述读取晶体管的漏极连接于数据信号线。
20、进一步地，所述像素电路包括薄膜晶体管，所述探测基板包括覆盖所述薄膜晶体管的第一平坦化层，所述第一平坦化层设有暴露所述薄膜晶体管的第一通孔；所述第一电极设于所述第一平坦化层背向衬底的一侧，且伸入所述第一通孔以与所述薄膜晶体管连接；
21、所述光电二极管还包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的半导体结构，所述半导体结构与所述第一通孔在平行于所述衬底的方向上间隔设置。
22、根据本公开的一个方面，提供一种平板探测器，包括所述的探测基板。
23、本公开的平板探测器及探测基板，多个透镜单元构成多个透镜单元列，相邻的两个透镜单元列错开设置，相比矩形分布的透镜单元，在透镜单元本身尺寸不变的情况下，本公开可以提高探测基板上透镜单元的填充率，即可以提高探测基板单位面积内的透镜单元的数量，进而可以使更多光线可以被透镜单元聚集，降低了光信号的损失，提高了成像质量；另一方面，由于本公开的多个像素探测区呈矩形分布，本公开在增加了透镜单元的空间占用率的同时，还不破坏探测像素区的周期性排列；又一方面，一个探测像素区内可以包括多个感光器件，降低了感光器件的填充率，本公开采用的低填充率的感光器件与高填充率的透镜单元结合的方案，既在电路端提高了信号增益，又在光路端提高了光效率用率，可以使灵敏度在现有方案的基础上实现数倍的提升。
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1.一种探测基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述光电转换结构包括多个探测像素区，所述探测像素区包括多个感光器件，多个所述探测像素区中的多个所述感光器件与多个所述透镜单元一一对应。
3.根据权利要求2所述的探测基板，其特征在于，多个所述透镜单元列包括多个第一透镜单元列和多个第二透镜单元列，所述第一透镜单元列和所述第二透镜单元列交替设置，相邻的两个所述第一透镜单元列对齐设置，相邻的两个所述第二透镜单元列对齐设置。
4.根据权利要求2或3所述的探测基板，其特征在于，多个所述探测像素区呈矩形分布，所述探测像素区包括四个所述感光器件，与四个所述感光器件对应设置的四个所述透镜单元呈平行四边形分布。
5.根据权利要求4所述的探测基板，其特征在于，与四个所述感光器件对应设置的四个所述透镜单元呈菱形分布。
6.根据权利要求2或3所述的探测基板，其特征在于，所述探测像素区包括两个所述感光器件，与两个所述感光器件对应设置的两个所述透镜单元的分布方向与所述透镜单元列的延伸方向相交。
7.根据权
8.根据权利要求2或3所述的探测基板，其特征在于，所述感光器件为光电二极管，所述光电二极管包括相对设置的第一电极和第二电极；所述探测基板还包括：
9.根据权利要求8所述的探测基板，其特征在于，所述像素电路与读取信号线以及数据信号线连接，用于在所述读取信号线传输的信号的控制下控制所述像素电路向所述数据信号线传输信号；
10.根据权利要求9所述的探测基板，其特征在于，所述像素电路与重置信号线以及电源线连接，用于在所述重置信号线传输的信号的控制下控制所述第一电极与电源线连接；
11.根据权利要求10所述的探测基板，其特征在于，在行方向上所述电源线与所述数据信号线位于所述像素电路区的两侧，在列方向上所述重置信号线与所述读取信号线位于所述像素电路区的两侧。
12.根据权利要求10所述的探测基板，其特征在于，所述像素电路包括重置晶体管、放大晶体管以及读取晶体管；所述重置晶体管的源极连接于电源线，所述重置晶体管的栅极连接于重置信号线；所述放大晶体管的源极连接于所述电源线，所述放大晶体管的栅极连接于所述重置晶体管的漏极，且与所述光电二极管的第一电极连接；所述读取晶体管的源极连接于放大晶体管的漏极，所述读取晶体管的栅极连接于读取信号线，所述读取晶体管的漏极连接于数据信号线。
13.根据权利要求8所述的探测基板，其特征在于，所述像素电路包括薄膜晶体管，所述探测基板包括覆盖所述薄膜晶体管的第一平坦化层，所述第一平坦化层设有暴露所述薄膜晶体管的第一通孔；所述第一电极设于所述第一平坦化层背向衬底的一侧，且伸入所述第一通孔以与所述薄膜晶体管连接；
14.一种平板探测器，其特征在于，包括权利要求1-13任一项所述的探测基板。
...【技术特征摘要】
1.一种探测基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述光电转换结构包括多个探测像素区，所述探测像素区包括多个感光器件，多个所述探测像素区中的多个所述感光器件与多个所述透镜单元一一对应。
3.根据权利要求2所述的探测基板，其特征在于，多个所述透镜单元列包括多个第一透镜单元列和多个第二透镜单元列，所述第一透镜单元列和所述第二透镜单元列交替设置，相邻的两个所述第一透镜单元列对齐设置，相邻的两个所述第二透镜单元列对齐设置。
4.根据权利要求2或3所述的探测基板，其特征在于，多个所述探测像素区呈矩形分布，所述探测像素区包括四个所述感光器件，与四个所述感光器件对应设置的四个所述透镜单元呈平行四边形分布。
5.根据权利要求4所述的探测基板，其特征在于，与四个所述感光器件对应设置的四个所述透镜单元呈菱形分布。
6.根据权利要求2或3所述的探测基板，其特征在于，所述探测像素区包括两个所述感光器件，与两个所述感光器件对应设置的两个所述透镜单元的分布方向与所述透镜单元列的延伸方向相交。
7.根据权利要求2或3所述的探测基板，其特征在于，多个所述探测像素区呈矩形分布，所述探测像素区包括两个或四个所述感光器件。
8.根据权利要求2或3所述的探测基板，其特征在于，所述感光器件为光电二极管，所述光电二极管包括相对设置的第一电极和第二电极；所述探测基板还包括：
9.根据权利要求8所述的探测...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈紫霄，李成，程锦，崔颂，黄根，孔德玺，彭志良，张洁，周琳，王迎姿，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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