【技术实现步骤摘要】
在此描述的示例性实施方案通常涉及。
技术介绍
不同类型的基材，如蓝宝石基材、硅基材或类似物被用作生长氮化物半导体的基材。氮化物半导体的热膨胀系数与不同类型的各个基材的热膨胀系数不同。因此，在堆叠的氮化物半导体结构中产生翘曲，所述氮化物半导体结构具有在不同类型的基材上的氮化物半导体。通常，以下提及的堆叠的氮化物半导体结构已经是公知的。在堆叠的氮化物半导体结构中，在基材的表面和背面上分别提供具有活性层的氮化物半导体层和另一个氮化物半导体层。按照如下所述制造堆叠的氮化物半导体结构，以减少翘曲。首先，在基材的背面上形成氮化物半导体层。其次，在基材的表面上形成具有活性层的氮化物半导体层。在基材的背面上提供氮化物半导体层的加工步骤中，加工气体渗透进基材表面的一侧。另外，沉积物质被附着在基材表面的外围部分。当沉积物质保留时，在具有活性层的氮化物半导体层中产生晶体缺陷，从而降低了装置性能和装置产量。因此，在基材上形成具有活性层的氮化物半导体层之前，有必要去除基材上的沉积物质而不损害基材表面。然而，氮化物半导体具有强的耐化学性。结果，产生下列问题，沉积物质不能充分去除，会留下残留...
【技术保护点】
一种制造堆叠的氮化物半导体结构的方法，其包括：在具有第一热膨胀系数的基材的第二表面上形成第一保护薄膜，第二表面构造为与基材的第一表面相对；在基材的第一表面上形成第一氮化物半导体层，第一氮化物半导体层具有与第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数；在第一氮化物半导体层上形成第二保护薄膜；去除第一保护薄膜，以露出基材的第二表面；在基材的第二表面上形成第二氮化物半导体层，第二氮化物半导体层具有与第二热膨胀系数大致相等的第三热膨胀系数；和去除第二保护薄膜，以露出第二氮化物半导体层的表面。
【技术特征摘要】
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