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制造堆叠的氮化物半导体结构的方法以及制造氮化物半导体发光装置的方法制造方法及图纸
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文档序号:8490683
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依据一个实施方案,一种执着堆叠的氮化物半导体结构的方法包括在基材的第二表面上形成第一保护薄膜,在基材的第一表面上形成第一氮化物半导体层,在第一氮化物半导体层上形成第二保护薄膜,去除第一保护薄膜,露出基材的第二表面,在基材的第二表面上形成第二...
该专利属于株式会社东芝所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社东芝授权不得商用。
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