用于半导体切单锯的清洁装置制造方法及图纸

技术编号:12672748 阅读:81 留言:0更新日期:2016-01-07 17:47
一种清洁子系统,从在半导体切单处理中使用的锯条去除不希望有的材料(诸如光滑面)。清洁模块径向地朝向锯条和相对于所述锯条垂直地移动,以便允许清洁模块的磨料清洁块选择性地从锯条的上下表面或者锯条的外缘去除材料。在切单处理期间的预定时间或者位置或者在检测到锯条旋转期间的负载不平衡时,清洁组件可以从锯条去除材料。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
技术介绍
本专利技术一般涉及半导体器件组装过程期间使用的锯,并且更具体地涉及半导体器件组装期间使用的具有自磨刃式锯条的锯。已知在半导体器件组装期间使用锯,例如从晶片切割管芯。另外,在半导体器件组装过程期间,多个半导体器件可以同时形成在引线框的一维或者二维组件(称为引线框阵列)上。为了完成半导体器件的组装,引线框阵列经受使用锯或者激光的切单处理。另外,锯被用来切单在半导体晶片上制造的集成电路管芯。当使用锯执行切单处理时,自磨锯条可以被用来保持锯条的锐利。图1A示出了自磨锯条101的一部分的典型放大图。自磨锯条101具有嵌入在接合材料103 (诸如镍)中的称为磨料102的材料片,诸如金刚石屑。当自磨锯条101切割材料时,容屑槽104将切下来的材料带离发生切割的区域。容屑槽104还向切割区运送水以用于冷却。保持磨料102的接合材料103在切割过程期间逐渐磨损。随着接合材料103磨损,已经保持在接合材料103内的磨料消失,暴露新的磨料。接合材料103的磨损和新的磨料的曝露被称为自磨。如图1B所示,磨料102、接合材料103和/或容屑槽104可能被光滑面105覆盖,光滑面是由来自正在被切割的物体(诸如硅晶片)的材料形成。光滑面105可能抑制锯条101的自磨功能并且使得锯条101损伤正在被切割的晶片,导致管芯边缘碎裂或者剥离。有利的是将不会损伤被封装的集成电路管芯的自磨锯用于半导体器件组装中。【附图说明】本专利技术通过示例的方式来示出并且不受附图的限制,在附图中相似的附图标记指示类似的元件。图中的元件为简单和清楚起见而示出并且没有必要按比例绘制。例如,为了清晰,层和区域的厚度可以被放大。图1A和IB示出了传统的自磨锯条的简化局部放大图;以及图2A示出了根据本专利技术实施例的切单锯的侧视图并且图2B-2E示出了其简化的由俯视图。【具体实施方式】在此公开本专利技术的详细的示例性实施例。然而,在此公开的特定的结构和功能细节出于描述本专利技术示例实施例的目的而仅仅是代表性的。本专利技术的实施例可以具体实现为许多可替代形成并且不应该理解为仅仅限于在此陈述的实施例。进一步的,在此使用的术语仅仅出于描述特定实施例的目的而不意图是限制本专利技术的示例实施例。如在此使用的,单数形式〃 一个〃、〃 一种〃和〃所述〃意图也包括复数形式,除非上下文清楚地做出相反表示。进一步将理解,术语〃包含〃、〃包括〃、〃具有〃、〃拥有〃、〃含有"和/或"带有"表示所述特征、步骤或元件的存在,但是不排除一个或更多个其它特征、步骤或元件的增加或存在。还应该注意,在可替代的实现方式中,所述的功能/行为可以不按照图中所述的顺序发生。例如,连续地示出的两个图实际上可以基本上同时执行或者有时可以以相反的顺序执行,则取决于所涉及的功能/行为。在此提及“一个实施例”或者“实施例”意味着与该实施例结合描述的特定的特征、结构或者特性可以被包括在本专利技术的至少一个实施例内。在说明书中各种位置出现的短语〃在一个实施例中〃不一定都是指相同的实施例,也不一定是必须地互斥的其它实施例的独立的或者可替代的实施例。上述情况也适用于术语〃实施方式〃。自磨锯条增强在晶片锯切处理期间发生的切单处理。然而,在自磨锯条上形成光滑面由于妨碍曝露新的磨料而影响了锯条的切削能力,由此抑制了自磨功能。此外,光滑面的存在将降低锯条的锐利,其增大了切割期间置于锯条上的机械应力,这可以导致集成电路管芯的碎裂和剥离。本专利技术的实施例是用于切单半导体器件的设备。该设备包括心轴模块,其在切单处理期间旋转用于锯穿晶片或者多器件阵列的锯条。该设备进一步包括可移动清洁模块,其相对于心轴模块移动以达到清洁模块在其处从锯条去除材料的位置。本专利技术的另一个实施例是一种方法,用于在切单处理期间从用于切穿晶片或者多器件阵列的锯的锯条去除材料。所述方法包括在切单锯的心轴模块上旋转锯条,并且相对于心轴模块移动所述切单锯的清洁模块以从所述锯条去除材料。现在参考图2A,示出了根据本专利技术实施例的用于切割晶片的切单锯206的侧视图。切单锯206包括(i)自磨锯条201,用于在切单处理期间切穿晶片(未示出)和(ii)清洁子系统207,用于清洁自磨锯条201。如所示出的,盖208可以遮蔽一部分锯条201,以便在切割过程期间提供保护。接近锯条201放置的是冷却剂分配器209,其提供冷却剂(诸如水)到锯条201,以免锯条201过热。来自分配器209的冷却剂也可以从锯道区域以及锯条表面冲走在晶片切割过程期间产生的硅粉尘。图2B是图2A的切单锯206的简化平面图。图2B中示出了心轴模块210,其保持和旋转锯条201。微控制器位于PCB板上,PCB板位于切单锯206的插件板导轨中,微控制器用于控制锯条201的旋转以及控制清洁子系统207。控制器还接收基于负载电流的信号,其间接地体现在切穿晶片的同时发生到锯条的机械负载。因为在已知的半导体组装过程中使用的微控制器是公知的,因此除为本专利技术所特有的内容之外不提供进一步的详细说明。清洁子系统207包括X轴导轨211、Y轴导轨212和可移动清洁模块213,其进一步包括引导柱214、弹簧215、停止器结构216、第一和第二清洁块217和218和表面清洁表面219。清洁子系统207执行清洁处理,其通过将清洁模块213移动到清洁块217和218中一个或者两者接触材料(例如光滑面)并由此去除材料的位置,光滑面可能不利地影响锯条201的切削能力。一个或更多个直线伺服电机(未示出)沿X轴导轨211和Y轴导轨212移动清洁模块213。X轴导轨211允许相对于锯条201沿X轴移动清洁模块213。Y轴导轨212允许相对于锯条201沿Y轴移动清洁模块213。沿X轴导轨211的移动距离由控制器使用关于锯条201的半径测量数据确定。锯条的半径测量数据指的是锯条的半径测量值,并且可以使用位于切单锯上的遇阻传感器(touchdown sensor)(未示出)周期性地确定。在半径测量确定期间,切单锯206将停止旋转锯条201,锯条201将被指向到设置了遇阻传感器的指定位置,将移动锯条201直到接触到遇阻传感器,并且控制器将基于移动的距离计算半径。引导柱214、弹簧215和停止器结构216在清洁过程期间控制第一和第二清洁块217和218的位置。引导柱214彼此平行,其是附接于停止器结构216的伸长结构。引导柱214确保清洁块217、218的表面清洁表面219在清洁过程期间相对于彼此保持平行。引导柱214和弹簧215协同进一步允许第一和第二清洁块217和218具有相对于彼此的相对Y轴移动,使得其间的距离根据锯条201的厚度(即,在锯条201周边处的上下表面220之间的距离)通过弹簧215的作用是可调节的。图2B的实施例具有两个引导柱214。其它实施例可以具有其它数目的引导柱或者其它机构确保两个清洁块217、218的表面清洁表面219相对于彼此保持平行。清洁模块213被设计成在两个清洁块217和218的表面清洁表面219之间在选择的最小间隔距离和选择的最大间隔距离之间建立间隔距离的工作范围。根据情况,最小间隔距离可以被选择为等于安装锯条201的原始厚度(或者可选地稍微大于或者稍微小于原始的锯条厚度),而最大间隔距离可以被选择为等于比原始锯条厚度大某一百分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于切单半导体器件的设备,所述设备包括:心轴模块,被配置为在切单处理期间旋转用于锯穿晶片或者多器件阵列的锯条;以及可移动的清洁模块,被配置为相对于所述心轴模块移动以达到所述清洁模块在其处从所述锯条去除材料的位置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王志杰白志刚刘美牛继勇孙志美张虎昌
申请(专利权)人:飞思卡尔半导体公司
类型:发明
国别省市:美国;US

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1