半导体器件、衬底和用于制造半导体层序列的方法技术

提出一种半导体器件（1），所述半导体器件具有半导体本体（2）和衬底（3），其中所述半导体本体以氮化物的化合物半导体材料为基础并且半导体本体设置在所述衬底上。在衬底中有针对性地构成杂质。此外，提出一种衬底和一种用于制造半导体器件（1）的半导体层序列（20）的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请涉及一种半导体器件、一种用于制造半导体器件的衬底以及一种用于制造半导体器件的半导体层序列的方法。
技术介绍
·当氮化物的化合物半导体材料在生长衬底上外延沉积时，已沉积的半导体层的相对于生长衬底的应力导致生长衬底的弯曲。这种弯曲能够引起生长衬底不再整面地平放在衬底支架上，由此损害到衬底支架的热连接。这能够造成半导体层的不均匀沉积。
技术实现思路
目的是提出一种半导体器件，所述半导体器件能够简化地并且可靠地制造。此外，能够应提出一种衬底以及一种方法，借助于所述方法能够均匀地并且可靠地沉积半导体层。所述目的通过根据独立权利要求所述的一种半导体器件、一种衬底以及一种方法来实现。设计方案和改进形式是从属权利要求的主题。在一个实施形式中，半导体器件具有半导体本体和衬底，所述半导体本体以氮化物的化合物半导体材料为基础，半导体本体设置在所述衬底上。在衬底中有针对性地构成有杂质。在一个实施形式中，在制造以氮化物的化合物半导体材料为基础的半导体层序列时，将半导体层序列沉积在衬底上，其中在衬底中有针对性地构成有杂质。为了制造半导体器件，能够通过分离从半导体层序列中得出用于半导体器件的半导体本体。“以氮本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.15 DE 102010027411.91.半导体器件(I)，所述半导体器件具有半导体本体和衬底，所述半导体本体以氮化物的化合物半导体材料为基础，并且所述半导体本体设置在所述衬底上，其中在所述衬底中有针对性地构成杂质(4 )。2.根据权利要求1所述的半导体器件， 其中所述杂质设置成用于提升所述衬底的屈服上限。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件， 其中所述衬底具有硅表面(30)。4.根据权利要求3所述的半导体器件， 其中所述表面(30)是(111)平面。5.根据权利要求1至4之一所述的半导体器件， 其中所述衬底是娃体积衬底。6.根据权利要求1至5之一所述的半导体器件， 其中所述杂质以l*1014cm_3和l*102°cm_3之间的浓度构成在所述衬底中，其中包括边界值。7.根据权利要求1至6之一所述的半导体器件， 其中所述杂质包含碳、氮、硼或氧。8.根据权利要求1至7之一所述的半导体器件， 其...

【专利技术属性】
技术研发人员：彼得·施陶斯，帕特里克·罗德，菲利普·德雷克塞尔，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：
国别省市：