适于应用于集成电路的电容结构制造技术

本发明专利技术公开一种适于应用于集成电路的电容结构，该电容结构包括：金属氧化物半导体电容，具有第一端点与第二端点；以及两相异结构的金属电容，形成在金属氧化物半导体电容上，且各耦接于第一端点与第二端点之间。该电容结构的电容值可以在局限的芯片面积下达到设计值，且又具有流通较大电流量的特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体结构，且特别是涉及一种适于应用于集成电路的电容结构。
技术介绍
随着半导体元件集成度(integration)的增加，元件的尺寸逐渐缩小，相对地使作为电容器的空间越来越小(其因电容极板(Plate)可使用的芯片面积被迫缩减)，也因此降低了电容器的电容值。而在进入深次微米(deep sub-micron)的工艺后，电容器的电容值降低的问题即更加地严重。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提出一种适于应用于集成电路的电容结构，其电容值可以在局限的芯片面积下达到设计值，且又较传统的叉合金属电容具有流通较大电流量的特性。本专利技术的实施例提供一种适于应用于集成电路的电容结构，其包括金属氧化物半导体(MOS)电容，具有第一端点与第二端点；以及两相异结构的金属电容，形成在金属氧化物半导体电容上，且各耦接于第一端点与第二端点之间。于本专利技术的实施例中，所述两相异结构的金属电容包括第一金属电容与第二金属电容，且第一金属电容可以为多层平板金属电容，而第二金属电容可以为多层叉合 (interdigitated)金属电容。 于此，本专利技术所提的电容结构主要是在金属氧化物半导体电容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容结构，适于应用于集成电路，该电容结构包括：金属氧化物半导体电容，具有第一端点与第二端点；以及两相异结构的金属电容，形成在该金属氧化物半导体电容上，且各耦接于该第一端点与该第二端点之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈天龙，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：