【技术实现步骤摘要】
采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路
本技术涉及IOGbps及IOGbps以上速率的高速激光二极管驱动器集成电路，属于集成电路领域。
技术介绍
人们对于网络接入到基于万维网(WEB)应用和集成多媒体应用(如声音/数据/图像)的爆炸性需求催生了对更宽带宽的网络的强烈要求。微电子及光网络技术的快速演进能够推动带宽容量的不断增长，促使人们能够不断地向更快的网络过度，从lOMb/s、100Mb/sUGb/s 一直到 10Gb/s。IOG PON(passive optical network,无源光网络)的技术如今已经成熟，正走向大规模应用阶段，为加快推进其大规模应用速度，有必要增强10G PON的各个模块的集成度和性能，并降低功耗和价格，尤其是在整个PON系统中负责光电信号转换接口的光收发模块。在光收发系统中，激光二极管驱动器主要实现把电信号转换成光信号的功能，其调制电流输出能力影响着激光二极管输出光功率的大小，其输出电信号的抖动性能和眼图质量也对整个光通信系统的误码率产生一定的影响。如图1所示，传统的10Gb/S或IOGbps以上速率的高速激光二极...
【技术保护点】
采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路，它由m级放大器级联构成，m为大于或等于1的自然数；其特征在于，m级放大器中的第n级放大器为采用负电容中和技术的可控增益放大器，n≤m，第n级放大器包括差分放大器和源极跟随器；所述差分放大器包括可控电流源In1、NMOS晶体管Nn1、NMOS晶体管Nn2、负载电阻Rn1、负载电阻Rn2、电容Cn1和电容Cn2；所述源极跟随器包括可控电流源In2、可控电流源In3、NMOS晶体管Nn3和NMOS晶体管Nn4；电源VDD同时连接负载电阻Rn1的一端、负载电阻Rn2的一端、NMOS晶体管Nn3的漏极和NMOS晶体管Nn4的漏极；负载...
【技术特征摘要】
1.采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路，它由m级放大器级联构成，m为大于或等于I的自然数； 其特征在于，m级放大器中的第η级放大器为采用负电容中和技术的可控增益放大器，η < m，第η级放大器包括差分放大器和源极跟随器； 所述差分放大器包括可控电流源Inl、NMOS晶体管Nnl、NMOS晶体管Nn2、负载电阻Rnl、负载电阻Rn2、电容Cnl和电容Cn2 ； 所述源极跟随器包括可控电流源In2、可控电流源In3、?OS晶体管Nn3和NMOS晶体管Nn4 ; 电源VDD同时连接负载电阻Rnl的一端、负载电阻Rn2的一端、NMOS晶体管Nn3的漏极和NMOS晶体管Nn4的漏极； 负载电阻Rnl的另一端同时连接NMOS晶体管Nnl的漏极、电容Cnl的一端和NMOS晶体管Nn3的栅极；电容Cnl的另一端同时连接NMOS晶体管Nn2的栅极和m级放大器中的第n_l级放大器的输出端Vorv1 ； NMOS晶体管Nn2的漏极同时连接NMOS晶体管Nn4的栅极、电容Cn2的一端和负载电阻Rn2的另一端；电容Cn2的另一端同时连接m级放大器中的第η-1级放大器的输出端Vopiri和NMOS晶体管Nnl的栅极； NMOS晶体管Nnl的源极和NMOS晶体管Nn2的源极的公共节点Vmn连接可控电流源Inl的正极，可控电流源Inl的 负极接地GND ； NMOS晶体管Nn3的源极同时连接可控电流源In2的正极和第η级放大器的输出端Vopn,可控电流源In2的负极接地GND ； NMOS晶体管Nn4的源极同时连接可控电流源In3的正极和第η级放大器的输出端Vonn,可控电流源In3的负极接地GND。2.采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路，它由m级放大器级联构成，m为大于或等于I的自然数； 其特征在于，m级放大器中的第η级放大器为采用负电容中和技术的可控增益放大器，η < ...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄果池，李景虎，张远燚，
申请(专利权)人：福建一丁芯光通信科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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