一种双向三路径导通的高压ESD保护器件制造技术

一种双向三路径导通的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。包括P-衬底、N+埋层、左/右N型外延、漂移区、高压P阱、漏区、源区、多晶硅栅、阳极/阴极接触区。其中漂移区、高压P阱、漏区、源区、多晶硅栅构成的NLDMOS结构和阳极接触区、N+埋层、高压P阱和源区构成的正向SCR结构，形成两条高压ESD电流泄放路径，可提高器件的二次击穿电流，降低导通电阻和触发电压。阴极接触区、左N型外延、高压P阱、N+埋层和漏区构成的反向SCR结构，形成一条反向高压ESD电流泄放路径。上述两种SCR结构的电流路径较长，可提高器件的维持电压，还能实现ESD电流双向泄放，具有双向ESD保护功能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路的静电保护领域，涉及一种高压ESD保护器件，具体涉及一种双向三路径导通的高压ESD保护器件，可用于提高片上IC高压ESD保护的可靠性。
技术介绍
ESD是指处于不同电势的物体之间静电电荷转移的一种物理现象，它在IC中引起 产品失效的现象日益受到关注。目前，针对亚微米、深亚微米以及纳米尺度片上IC的低压静电放电防护已得到较广泛和深入的研究，已有多种结构的低压ESD防护器件如二极管、三极管、可控硅(SCR)和栅接地NMOS等器件，在国内外相关文献中已有报道。从研究中的实验数据来看，这些器件已具有高鲁棒性、低触发电压以及高灵敏度快速响应等特点，形成了较为成熟的片上IC低压ESD保护方案。但是，随着智能BCD工艺的快速发展和便携式智能电子产品需求的扩大，智能电子电路中既有低压CMOS电路，又有高压驱动电路和高低压接口电路，因此，不仅需要在低压CMOS电路接口处设置低压ESD保护，同时还要在高低压接口及高压驱动电路中建立高压ESD保护。相对片上IC低压ESD保护器件，高压ESD保护器件的设计面临的挑战很大。这是因为要得到可靠实用的高压ESD保护器件，既要考虑电路中较高的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双向三路径导通的高压ESD保护器件，其包括两条正向高压ESD电流泄放路径和一条反向高压ESD电流泄放路径，以降低触发电压和导通电阻，提高维持电压和二次击穿电流。其特征在于：包括P?衬底(201)，N+埋层(202)，左/右N型外延(203)(205)，高压P阱(204)，漂移区(206)、多个场氧隔离(211)(212)(213)(214)(215)，一些主要的电学接触区域：源区(208)、漏区(209)、阳极/阴极接触区(207)(210)、多晶硅栅(218)及其覆盖的薄栅氧化层(217)和多晶硅栅左右两侧的氮化硅侧墙(216)(219)；所述N+埋层(202)在所述P?衬底(201)的...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁海莲，顾晓峰，董树荣，吴健，黄龙，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：发明
国别省市：