一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法，涉及液晶显示领域。阵列基板包括：薄膜晶体管TFT和像素区域，薄膜晶体管包括有源层、设置在有源层上的刻蚀阻挡层、设置在刻蚀阻挡层上且与有源层接触的源漏电极和设置在源漏电极上的第一绝缘层，像素区域包括像素电极，薄膜晶体管还包括三个露出源极或漏极的过孔，第一过孔和第二过孔的投影与所述有源层两侧未被刻蚀阻挡层覆盖的区域重合，所述第三过孔的投影与所述漏极的第一区域重合，所述第一区域的漏极下方未设置有源层，所述像素电极通过第二过孔和第三过孔与所述漏极相连接。所述阵列基板、显示装置及阵列基板的制备方法，减少了掩膜板使用数量，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，特别涉及。
技术介绍
氧化物TFT具有电子迁移率高，特性均匀性好，工艺相对简单，可大面积化等优点，被视为下一代TFT显示技术。目前的氧化物TFT制备普遍采用的是6张掩模板(Mask)的工艺，图la f为现有氧化物TFT的制备工艺流程图，其制备流程大致为使用栅掩模板(GateMask)在衬底110上形成栅极120 ;在栅极120上形成栅绝缘层130，使用IGZO (铟镓锌氧化物，一种有源层层材料)Mask在栅绝缘层130上形成有源层140 ;使用刻蚀阻挡层(Etch stopper layer,ESL)Mask在有源层140上形成刻蚀阻挡层150 ;使用源漏(SD)Mask在刻蚀阻挡层150上形成源漏电极160 ;使用刻蚀阻挡层(PVX) Mask在源漏电极160上形成绝缘层170 ;使用ITO (铟锡氧化物，一种像素电极层材料)Mask在绝缘层170上形成像素电极180。上述制备流程中，总共需要6张mask，由于Mask数目较多，生产成本较高。另外，像素电极与源极只有一处相连，一方面，接触电阻会比较大，另一方面，一旦绝缘层过孔刻蚀出现问题，就会导致屏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：薄膜晶体管TFT和像素区域，所述薄膜晶体管包括有源层、设置在有源层上的刻蚀阻挡层、设置在所述刻蚀阻挡层上且与有源层接触的源漏电极和设置在所述源漏电极上的第一绝缘层，所述像素区域包括像素电极，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括三个露出源极或漏极的过孔，第一过孔和第二过孔的投影与所述有源层两侧未被刻蚀阻挡层覆盖的区域重合，所述第三过孔的投影与所述漏极的第一区域重合，所述第一区域的漏极下方未设置有源层，所述像素电极通过第二过孔和第三过孔与所述漏极相连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高山，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：