一种纵向NPN触发的高维持电压的高压ESD保护器件制造技术

一种纵向NPN触发的高维持电压的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由衬底Psub，N埋层，P外延，N下沉阱，高压深N阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区，多晶硅栅，栅薄氧化层和若干场氧隔离区构成。该保护器件在高压ESD脉冲作用下，内部纵向NPN结构的反向PN结被触发导通，形成并联连接的多条ESD电流泄放路径，可以提高器件的二次击穿电流，降低导通电阻，增强器件的鲁棒性。通过拉升LDMOS器件多晶硅栅的长度，增大NPN结构的基区宽度，以及利用N埋层和N下沉阱，延长器件触发导通后的电流路径，改变器件内部的电场分布，提高器件的耐压能力和维持电压。

【技术实现步骤摘要】
—种纵向NPN触发的高维持电压的高压ESD保护器件
本专利技术属于集成电路的静电保护领域，涉及一种高压ESD保护器件，具体涉及一种纵向NPN触发的高维持电压的高压ESD保护器件，可用于提高片上IC高压ESD保护的可靠性。
技术介绍
LDMOS和VDMOS功率场效应器件是上世纪末迅速发展起来的新型功率器件，随着功率半导体器件的功率、容量不断增加和性能的不断提高，其应用范围也在不断扩大。在高压直流电源，马达传动等低频大功率领域，功率器件更是不可缺少的重要半导体器件。然而，在工程应用过程中，常常会因一些“偶然”因素导致电路功能失效或损坏。经调查，除电路元件老化及短路、断路等易修复的故障因素外，还存在一些不易为人所知的静电放电 (ESD)产生的电路故障，即“偶然”失效。要排除这些潜在失效因素，需要在功率器件和电路端口采用适当的静电防护措施。近20年来，人们利用功率器件大电流、耐高压的特性，常采用横向双扩散绝缘栅场效应管(LDMOS)在智能功率IC的输出端口既用作功率趋动管，又用作ESD防护器件。然而，在ESD防护应用中的实践证明，LDMOS器件的ESD保护性能较差，少数LDMOS器件因其栅氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纵向NPN触发的高维持电压的高压ESD保护器件，其特征在于：主要由衬底Psub(101)，N埋层(102)，P外延(103)，第一N下沉阱(104)，高压深N阱(105)，第二N下沉阱(106)，第一N+注入区(107)，第一P+注入区(108)，第二N+注入区(109)，第三N+注入区(110)，第一场氧隔离区(111)、第二场氧隔离区(112)、第三场氧隔离区(113)、第四场氧隔离区(114)、第五场氧隔离区(117)和多晶硅栅(115)及其覆盖的栅薄氧化层(116)构成；所述N埋层(102)在所述衬底Psub(101)的表面；所述P外延(103)在所述N埋层(102)上；所述P外延...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁海莲，顾晓峰，董树荣，丁盛，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：发明
国别省市：