集成电路结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种集成电路结构，包括：芯片主体电路；与所述芯片主体电路耦合的非易失性存储元件；与所述非易失性存储元件耦合的寻址模块，经由所述寻址模块对所述非易失性存储元件进行编程以调节所述芯片主体电路的结构；所述寻址模块设置在划片槽中。本实用新型专利技术能够减少寻址模块占用的芯片面积，并且能够有效地保护知识产权。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

集成电路结构
本技术涉及一种集成电路结构。
技术介绍
在集成电路制造过程中，由于工艺参数不稳定是始终存在的，因而需要在芯片制造之后仍能够对其结构进行调整的机制。现有技术中，常规的方法是在芯片中设置记忆性元件，制造完成之后对其进行测试，根据测试结果通过对记忆性元件编程来调整电路结构，从而实现对芯片内部结构、参数的调整。但是，附加的记忆性元件以及与记忆性元件配合使用的寻址模块将占用额外的芯片面积，而且占用的面积比较大。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种集成电路结构，能够减少寻址模块占用的芯片面积。为解决上述技术问题，本技术提供了一种集成电路结构，包括芯片主体电路；与所述芯片主体电路耦合的非易失性存储元件；与所述非易失性存储元件耦合的寻址模块，经由所述寻址模块对所述非易失性存储元件进行编程以调节所述芯片主体电路的结构；其中，所述寻址模块设置在划片槽中。可选地，所述非易失性存储元件包括电容、闪存、EEPROM或者薄栅MOS晶体管。可选地，所述寻址模块在划开所述划片槽后被破坏。与现有技术相比，本技术具有以下优点本技术实施例的集成电路结构中，将寻址模块设置在芯片之间的划片槽中， 从本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路结构，包括：芯片主体电路；与所述芯片主体电路耦合的非易失性存储元件；与所述非易失性存储元件耦合的寻址模块，经由所述寻址模块对所述非易失性存储元件进行编程以调节所述芯片主体电路的结构；其特征在于，所述寻址模块设置在划片槽中。

【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，包括 芯片主体电路； 与所述芯片主体电路耦合的非易失性存储元件； 与所述非易失性存储元件耦合的寻址模块，经由所述寻址模块对所述非易失性存储元件进行编程以调节所述芯片主体电路的结构； 其特征在于，所述寻...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊茂，
申请(专利权)人：华润矽威科技上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：