多芯片封装结构、变换器模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种堆叠式多芯片封装结构。该堆叠式芯片封装结构包括引线框架以及垂直堆叠在一起的第一倒装芯片、第二倒装芯片、第三倒装芯片。其中第一倒装芯片通过多个第一组焊料凸块粘贴并电耦接至引线框架的下表面，第二倒装芯片通过多个第二组焊料凸块粘贴并电耦接至第一倒装芯片，第三倒装芯片通过多个第三组焊料凸块粘贴并电耦接至引线框架的上表面。根据本实用新型专利技术的堆叠式多芯片封装结构，可以减小芯片的封装尺寸，降低芯片能耗。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术大体涉及半导体器件，具体涉及一种多芯片封装结构。
技术介绍
随着近年来消费类电子产品市场对可携式电子产品小型化、便携化的需求迅速增长，对集成电路IC的封装结构提出了新的要求。小型化、多功能化的电子可携式产品成为消费市场的主流。为了达到上述需求，在集成电路工艺进步的推动下，在封装领域出现了如三维(3D)封装技术等新技术。三维封装技术是将多个具有独立功能的芯片相互重叠放置并集成于同一个封装中。集成在同一封装中的芯片可以是中央处理器(CPU)、现场可编程逻 辑门阵列(FPGA)、射频(RF)芯片、存储器、功率器件等。和将芯片平面置放的二维封装技术相比，三维封装技术将芯片堆叠在更为紧凑的空间里，缩小了器件尺寸，提高了硅片效率，具有更短的延迟时间，产生的噪声更小。从速度方面，三维封装技术具有更快的转换速度。此外，三维封装技术具有更小的电容、电感等寄生参数。图I为现有的堆叠式三维芯片封装结构100的剖视图。封装结构100例如可以是球栅阵列(BGA)封装。以一个功率电源系统为例，该堆叠式三维芯片封装结构100包括用作控制电路的第一芯片101，用作功率分立器件的第二芯片102和用作功率分立器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多芯片封装结构，包括：第一倒装芯片；第二倒装芯片；第三倒装芯片；以及引线框架，引线框架具有上表面和下表面，引线框架包括多个引脚；其中第一倒装芯片通过焊料凸块耦接到引线框架的下表面，第二倒装芯片通过焊料凸块耦接到第一倒装芯片，第三倒装芯片通过焊料凸块耦接到引线框架的上表面。

【技术特征摘要】
2011.04.28 US 13/096,6341.一种多芯片封装结构，包括 第一倒装芯片； 第二倒装芯片； 第三倒装芯片；以及 引线框架，引线框架具有上表面和下表面，引线框架包括多个引脚；其中 第一倒装芯片通过焊料凸块耦接到引线框架的下表面，第二倒装芯片通过焊料凸块耦接到第一倒装芯片，第三倒装芯片通过焊料凸块耦接到引线框架的上表面。2.如权利要求I所述的多芯片封装结构，其特征在于，第一倒装芯片包括金属层，第二倒装芯片通过第一倒装芯片的金属层电气连接到引线框架。3.如权利要求2所述的多芯片封装结构，其特征在于，第二倒装芯片通过第一倒装芯片的金属层电气连接到第三倒装芯片。4.如权利要求2所述的多芯片封装结构，其特征在于，引线框架包括第一引脚，第二引脚，第三引脚以及第四引脚，其中 第一倒装芯片包括第一端子，第二端子，以及控制端子，其中第一端子通过焊料凸块电耦接至引线框架的第一引脚，第二端子通过焊料凸块电耦接至引线框架的第二引脚； 第三倒装芯片包括第一端子，第二端子，以及控制端子，其中第一端子通过焊料凸块电耦接至引线框架的第一引脚，第二端子通过焊料凸块电耦接至引线框架的第三引脚；以及 第二倒装芯片包括第一输出端子和第二输出端子，其中第一输出端子通过焊料凸块电耦接至第一倒装芯片的控制端子，第二输出端子依次通过第一倒装芯片和第二倒装芯片之间的焊料凸块、第一倒装芯片的金属层、第一倒装芯片和引线框架的第四引脚之间的焊料凸块、以及引线框架的第四引脚和第三倒装芯片之间的焊料凸块电耦接至第三倒装芯片的控制端子。5.如权利要求4所述的多芯片封装结构，其特征在于，引线框架还包括第五引脚，第二倒装芯片进一步包括输入端子，其中第二倒装芯片的输入端子依次通过第一倒装芯片和第二倒装芯片之间的焊料凸块、第一倒装芯片的金属层、第一倒装芯片和引线框架第五引脚之间的焊料凸块电耦接至引线框架的第五引脚。6.如权利要求4所述的多芯片封装结构，其特征在于，多芯片封装结构电耦接至电感器，其中电感器的一端电耦接至引线框架的第一引脚，电感器的另一端电耦接至电容器。7.如权利要求I所述的多芯片封装结构，其特征在于，引线框架包括用来放置第二倒装芯片的中空区域。8.如权利要求I所述的多芯片封装结构，其特征在于，第一倒装芯片包括多个电耦接至焊料凸块的接触焊盘，第二倒装芯片包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋航，
申请(专利权)人：成都芯源系统有限公司，
类型：实用新型
国别省市：