背对背堆叠芯片制造技术

本文公开的实施方案提供一种电路，所述电路包括具有有源侧和背侧的第一芯片，其中所述第一芯片是以倒装晶片方式安装到载体。所述电路也包括堆叠在所述第一芯片的所述背侧上的第二芯片，其中所述第二芯片堆叠在所述第一芯片上，使得所述第二芯片的背侧面向所述第一芯片的所述背侧，并且所述第二芯片的有源侧背对所述第一芯片。

【技术实现步骤摘要】
背对背堆叠芯片相关申请的交叉引用本申请案要求2011年8月17日提交的美国临时申请案第61/524，382号的优先权的权利，所述临时申请案在此以引用的方式并入本文。专利技术涉及的
本文的主题涉及半导体装置，具体来说，涉及半导体封装。现有技术工业中需要具有高功率密度、高效率和低成本的功率变换系统，诸如DC至DC转换器。惯用功率变换系统有若干不同的形式。一种此类功率变换系统包括第一 IC中的高侧装置，其堆叠在第二 IC中的低侧装置上，其中控制器与高侧装置和低侧装置相邻。这些功率变换系统使用铜夹来将高侧芯片与低侧芯片连接在一起。这些铜夹可增加功率变换系统的成本和大小。这些功率变换系统也可使用导线接合来将高侧装置耦合至输出引线，从而可能导致归结于较高串联电阻和/或电感的降低的性能。另一种此类功率变换系统包括单片1C，所述单片IC包括高侧装置、低侧装置和控制器。这些功率变换系统可使用倒装晶片、晶片级封装(CSP)和引线框上倒装晶片(FCOL)来来构建。因为这些系统将所有组件放置在单片IC上，所以归结于整合式高电压横向功率装置的较小Rdson乘以面积(与可用多个芯片实现的装置相比)，所述系本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路，其包括：第一芯片，其具有有源侧和背侧，其中所述第一芯片以倒装晶片方式安装到载体；及第二芯片，其堆叠在所述第一芯片的所述背侧上，其中所述第二芯片堆叠在所述第一芯片上，使得所述第二芯片的背侧面向所述第一芯片的所述背侧，并且所述第二芯片的有源侧背对所述第一芯片。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·希伯特，S·R·里韦特，M·艾尔萨，P·奥克兰德，
申请(专利权)人：英特赛尔美国有限公司，
类型：发明
国别省市：