三维集成半导体系统和形成该三维集成半导体系统的方法技术方案

本发明专利技术涉及三维集成半导体系统和形成该三维集成半导体系统的方法。三维集成半导体系统包括与绝缘体上半导体（SeOI）基板上的电流/电压转换器可操作地耦接的光敏器件。光学互连被可操作地耦接至光敏器件。半导体器件被接合在SeOI基板上，并且电通路在电流/电压转换器与接合在SeOI基板上的半导体器件之间延伸。形成这种系统的方法包括以下步骤：在SeOI基板上形成光敏器件，并且可操作地耦接波导与该光敏器件。可以将电流/电压转换器形成在SeOI基板上，并且光敏器件和电流/电压转换器可以彼此可操作地耦接。可以将半导体器件接合在SeOI基板上，并且与电流/电压转换器可操作地耦接。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及利用三维(3D)集成技术的接合半导体结构，并且涉及通过这种方法形成的接合半导体结构。更具体地说，本公开涉及包括至少ー个光敏器件和绝缘体上半导体(SeOI)基板的至少一部分的三维集成半导体系统，并涉及形成这种三维集成半导体系统的方法。
技术介绍
两个或更多个半导体结构的三维(3D)集成可以对微电子应用产生许多益处。例如，微电子组件的3D集成可以获得改进的电性能和功耗，同时缩减器件覆盖区(footprint)的面积。例如，參见P. Garrou等人的“ The Handbook of 3DIntegration, ”Wiley-VCH (2008)。半导体结构的3D集成可以通过将半导体管芯(die)附接至一个或更多个附加半导体管芯(即，管芯至管芯(D2D))、将半导体管芯附接至一个或更多个半导体晶片(即，管芯至晶片(D2W))、以及将半导体晶片附接至一个或更多个附加半导体晶片(即，晶片至晶片(W2W))，或它们的组合而发生。虽然三维集成技术已经成功地应用于电子集成电路，但本领域仍存在对三维集成光子集成电路系统和形成这种系统的方法的需要。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
，以按简本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维集成半导体系统，该三维集成半导体系统包括：绝缘体上半导体SeOI基板，该SeOI基板包括：半导体材料层；和电绝缘材料层，该电绝缘材料层与所述半导体材料层的主表面相邻地设置；至少一个光敏器件，该至少一个光敏器件形成在所述SeOI基板的所述半导体材料层上；以及至少一个光学互连，该至少一个光学互连包括所述SeOI基板的所述半导体材料层的一部分，所述至少一个光学互连可操作地耦接至所述至少一个光敏器件；至少一个电流/电压转换器，该至少一个电流/电压转换器形成在所述SeOI基板的所述半导体材料层上；在所述至少一个光敏器件与所述至少一个电流/电压转换器之间延伸的至少一条电通路；至少一个半导体器件，该...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：比什因·阮，玛丽亚姆·萨达卡，
申请(专利权)人：索泰克公司，
类型：发明
国别省市：