一种铝栅半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种铝栅半导体器件及其制造方法，该方法，包括：向衬底内注入硼杂质，形成硼P阱区，所述P阱区的结深满足铝栅半导体器件的预定结深要求；在所述P阱区的上表面生长薄膜氧化层；在所述薄膜氧化层上生长多晶硅，并进行掺杂后，形成多晶硅层，所述多晶硅层的杂质浓度满足预定电阻值要求；在所述多晶硅层上生长金属层；在所述金属层上覆盖绝缘层。使用本发明专利技术实施例提供的铝栅半导体器件及其制造方法，通过使用多晶硅电阻代替原P阱型电阻，使得P阱的浓度满足铝栅半导体器件的功能参数要求，多晶硅电阻满足铝栅半导体器件的电阻要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及。
技术介绍
目前，广泛使用的铝栅互补金属氧化物半导体器件均使用P型阱电阻调整频率等重要参数。在传统的半导体芯片制造工艺中，通过一次阱注入形成P型阱，该P型阱具有的电阻为P型阱电阻。为了满足P型阱电阻的阻值要求，形成该P型阱时，需要该P型阱的杂质浓度达到一定值。同时，该P型阱的浓度直接影响N型金属氧化物半导体器件或N型耗尽管的功能参数，例如当P型阱的杂质浓度过大时，P阱电阻变小，开启电压Vtn会变大，从而影响电路的开启。但是，该P型阱的杂质浓度很难同时满足电阻值和半导体器件参数的要求。
技术实现思路
本专利技术实施例提供的，用以使用多晶硅电阻代替原P型阱电阻，使得P型阱的浓度满足半导体器件的功能参数要求，多晶硅电阻满足铝栅半导体器件的电阻要求。本专利技术实施例提供的一种铝栅半导体器件，包括位于衬底内的硼P阱区，所述硼P阱区的结深满足铝栅半导体器件的预定结深要求；位于所述硼P阱区上表面的薄膜氧化层； 位于所述薄膜氧化层上表面的多晶硅层，所述多晶硅层的杂质浓度满足预定电阻值要求；位于所述多晶娃层表面的金属层； 位于所述金属层表面的绝缘层。较佳的，所述铝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铝栅半导体器件，其特征在于，包括：位于衬底内的硼P阱区，所述硼P阱区的结深满足铝栅半导体器件的预定结深要求；位于所述硼P阱区上表面的薄膜氧化层；位于所述薄膜氧化层上表面的多晶硅层，所述多晶硅层的杂质浓度满足预定电阻值要求；位于所述多晶硅层表面的金属层；位于所述金属层表面的绝缘层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谭灿健，李如东，谭志辉，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：