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本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种铝栅半导体器件及其制造方法，该方法，包括：向衬底内注入硼杂质，形成硼P阱区，所述P阱区的结深满足铝栅半导体器件的预定结深要求；在所述P阱区的上表面生长薄膜氧化层；在所述薄膜氧化层上生长多晶硅，并进...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。